分享推荐Everspin 256Mb ST-DDR3自旋转移扭矩MRAM

英尚微电子

Everspin型号EMD3D256M08/16B 256Mb DDR3自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）是非易失性存储器，在DDR3速度下具有非挥发性和高耐久性。该设备能够以高达1333MT /秒/引脚的速率进行DDR3操作。它的设计符合所有DDR3 DRAM功能，包括设备端接（ODT）和内部ZQ校准，但具有数据持久性和极高的写周期耐久性的优点。借助Spin-Torque MRAM技术，不需要刷新单元，从而大大简化了系统设计并减少了开销。
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. r. @& P- G# M2 J所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步，输入锁存在时钟交叉点。 I / O与一对双向选通脉冲（DQS，DQS）同步。该器件使用RAS / CAS多路复用方案，并在1.5V下工作。

特征
•非易失性256Mb（32Mb x 8，16Mb x 16）DDR3
  _5 j% p. M3 ^# h3 k7 k0 h- I•支持标准DDR3 SDRAM功能
/ R3 w* J4 F' a1 ~•VDD = 1.5v +/- 0.075v
•高达667MHz fCK（1333MT /秒/针）
•页面大小为512位（x8）或1024位（x16）
•设备上终止
* Y) b3 r: T/ @" Z•片上DLL将DQ，DQS，DQS转换与CK转换对齐
( L# D2 E1 \1 w$ p+ t•所有地址和控制输入均在时钟的上升沿锁存
# C( r) ]. [' {. @$ ?9 ?5 c. f8 p/ Z•突发长度为8，可编程突发斩波长度为4
3 `5 ]% h% X5 R: v•标准10x13mm 78球（x8）或96球（x16）BGA封装
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DDR3 DRAM兼容性
7 w. h7 d/ e5 t4 G% fEverspin DDR3自旋扭矩MRAM与JEDEC标准JESD79-3F中定义的DRAM操作的DDR3标准完全兼容。
9 I  o) {, R5 C8 W6 _•自旋扭矩MRAM是非易失性存储器。无论何时出于任何原因断开设备电源，已关闭/预充电存储区中的所有数据都将保留在内存中。
•在某些情况下，命令时间会有所不同。
•DDR3标准适用于高于256Mb的密度，从而导致寻址和页面大小差异。
  N/ c% j3 ?+ D9 S•突发类型/突发顺序仅支持CA <2：0 = 000或100的连续突发类型。请参见第30页的“突发长度，类型和顺序”。
* [7 j2 s- x9 Z- x( T
基本功能
2 s3 C5 ?# t$ e/ [4 a* g2 j# Z% }DDR3 STT-MRAM是内部配置为八存储区RAM的高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器。它使用8n预取架构来实现高速操作。8n预取架构与旨在在I/O引脚的每个时钟周期传输两个数据字的接口相结合。DDR3 MRAM的单个读或写操作包括内部STT-MRAM内核的单个8n位宽，四个时钟数据传输以及I/O引脚上的两个相应的n位宽，半时钟周期数据传输。
8 v3 w4 n' N$ @, M/ M
对DDR3 STT-MRAM的读和写操作是面向突发的，从选定的位置开始，并按照编程的顺序继续进行八次突发长度或四次“斩波”突发。操作从激活活动命令的注册开始，然后是READ或WRITE命令。与激活命令一致注册的地址位用于选择要激活的存储体和行（[BA0：BA2]选择存储体； A0-A13选择行）；有关特定要求，与READ或WRITE命令一致的已注册地址位用于选择突发操作的起始列位置，确定是否要发出自动预充电命令（通过A10），并“即时”选择BC4或BL8模式。 （通过A12）（如果在模式寄存器中启用）。在正常操作之前，必须以预定义的方式上电并初始化DDR3 STT-MRAM。
0 O8 D2 H# v) `" k" b/ w0 y
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EMD3D256M型号表

$ A1 @8 T  |5 T/ G

Density	Org.	Part Number	Voltage	Speed	Temp Rating	Package
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	96-BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	96-BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2T	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1333	0-85	BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-187CBS2R	1.5v +/- 0.075v	1066	0-85	BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	78-BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1T	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	78-BGA
256Mb	32Mb x 8	EMD3D256M08G1-150CBS1R	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	78-BGA
256Mb	16Mb x 16	EMD3D256M16G2-150CBS1	1.5v +/- 0.075v	667	Commercial	96-BGA

* A2 i, Z/ |3 I( @3 F$ a, q
$ |# q! t- m: I2 S- j$ p6 LEMD3D256M08规格书下载
3 z/ B$ }/ t) B& t. ~ EMD3D256M08G1-150CBS1.pdf (2.47 MB, 下载次数: 1)

2021-5-7 16:46 上传

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DDR3 STT-MRAM是内部配置为八存储区RAM的高速自旋扭矩磁阻随机存取存储器