在DDRII和DDRIII中 VRAM部分placement方式 利弊简谈～

CarryZ

      因為 VRAM BGA 的placement的不同，造成 layout 和 tune equal length 的难易度也会不同。在此show 出两种 placement的方式，供大家参考。    一、在DDRII设计中

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第一种placement 方式：
     
     第二种placement 方式
     
3 ]- ?/ e5 m6 R' Q 总结：以上两种placement方式所佔据的空间大致相同，第一种方式在Y轴需要更多的空间；第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间，但它节省了Y轴上的空间。
$ p3 d1 K( x; S6 A& C% E) P4 f/ o9 M        在拉线方面，第一种方式data组内的长度相差不多，但group 与group之间相差很大（这点尤其在DDRIII时表现很突出）；第二种方式 group 与group之间 的长度相差不大，但 data组内则相差较多。
         而address也是各有千秋。因為DDRII的Address pin在小BGA的一端，因此第一种方式address的路径上不会有data挡路；而第二种方式则会必须从小BGA外面绕，但接小BGA的那一段可以直接用表层接，整段trace会小一颗via，少换一次层，且等长较好tune。
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CarryZ

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二、在DDRIII设计中：第一种placement方式：

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第二种placement 方式：


总结：以上两种placement方式所佔据的空间差别较大，但第一种方式在Y轴需要更多的空间；第二种方式则在X轴方向会佔据更多的空间，但它节省了Y轴上的空间。
# D4 \0 V( w. G        这两种placement方式的最大差别还是在拉线和调等长的时候表现出来。
  u9 n8 m9 e# I5 \4 y! I' R7 q  X8 f4 M         data 方面，它的pin define与DDRII是有区别的，整个Group是完全集中的。第一种方式Group I 与Group II的长度误差大概在800mil左右；而第二种方式可以减少这方面的局限。
         addres 方面，第二种方式的优点更加明显，不但比第一种方式少一颗via，少换一次层，且用表层可以使两个小BGA 直接相连。且等长不用说也可以很容易做到。
/ A3 L. y4 \0 b7 i6 r
     如下图：
   
/ b) o8 D) b# j9 [5 Y按照上图的placement方式，每个小BGA data中的三个group可以走在同一层，另外一个group 可以与address走一层。且等长也较easy!
- W6 ?/ a: t( V  ~       也许，这对Cost down 来说是一个不小的福音！！！
        而第一种的placement方式，对拉线和等长都有不小的难度，用四个内层还走得那麼辛苦，
5 Q; \4 N! o" O8 X: x/ v/ p; r如下图
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8 a. K9 S0 n! E  y; V
" q. |/ j5 y! Q' }9 p
7 F. G$ ]# L: n* T6 A) a3 Q

- Y$ y  D: g% m( X6 i7 U弦外之音,抛砖引玉：
' Z& g+ ]* }' @$ x GDDRIII共用Address和 Command的小BGA Data 可以swap，swap方式如下：
8 N7 ]. l: h0 D% N          同一BGA的data group可以换，但必须保証DQS/DM的pin 互相对应。
          同一group的data net 可以互换。

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Sunnyly621

wzh6328

结论呢？

CarryZ

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结论就是，在DDRIII元件的place，推荐第二种placement方式;至于DDRII设计，两种情况都有自己的利弊，看自己的想法了，呵呵～

fromnow

LZ辛苦，很直观，很强大～

紫菁

:victory:

oostilloo

LZ辛苦了

huo_xing

lz强大啊

minger2008

不错

leavic

太棒了，最需要的就是这种复杂器件的place经验

wanghuazhi

不错．很有启发意义．

nbhand

学习中，感谢楼主分享

CAD_SI

只要层数够，怎么摆都行

fromnow

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5 B6 W3 e4 T0 {5 m# X# d4 Y呵呵，如果这么说，那么如果工厂不考虑亏本，买方不考虑消费，还用我们设计做什么？