TA的每日心情 | 开心
2020-7-31 15:46 |
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摘―要:分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基 HEMT( High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实& f) x0 M* }- X' x
验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT器件主要参数随受主浓度的退化规律,仿真结果与实验
+ q& s' e0 g0 q; H+ \结果有较好的一致性.本文实验结果也表明场板结构和SiN钝化层有效地阻止了电子陷落在表面态中,屏蔽了绝大部分的辐照损伤,是很有效的辐射加固手段.& j0 i& W8 ^, M3 k: M8 F+ ^( p7 |
关键词:AlGaN/GaN HEMT;质子辐照;辐射感生受主缺陷;辐射加固* w& o, S( }/ d& ]0 j; i
质子辐照对场板AlGaN%2FGaN HEMT器件电特性的影响.pdf
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发表于 2021-5-11 09:24
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