分享一款具有扩展温度的2Mbit串行FRAM存储器FM25V20A-DGQTR

英尚微电子

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FM25V20A-DGQTR功能介绍
9 Z9 {! _) r( OFM25V20A-DGQTR是采用先进铁电工艺的2Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了121年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。

# K6 d0 f+ `  Y# A! m. K8 a与串行闪存和EEPROM不同，FM25V20A-DGQTR以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。FM25V20A-DGQTR能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1000万倍的写周期。
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% @4 J) `! H4 p9 l) Y这些功能使FM25V20A-DGQTR非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，例如数据收集（可能是关键的写入周期数）到要求严格的工业控制，而串行闪存或EEPROM的长时间写入会导致数据丢失。
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FM25V20A-DGQTR为串行EEPROM或闪存的用户提供了可观的好处，可作为硬件的替代产品。FM25V20A-DGQTR使用高速SPI总线，从而增强了FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，该ID允许主机确定制造商，产品密度和产品版本。在–40℃至+105℃的扩展温度范围内保证器件的规格。

特征
3 [4 @, e- t7 L1 N4 C■逻辑组织为256K×8的2Mbit铁电随机存取存储器（FRAM）
1 z5 Z6 N# P, d, O•高耐用性10万亿（1014）读/写
•121年的数据保留
" l7 |4 L; b( x, U* ?/ [% L9 p•NoDelay™写道
•先进的高可靠性铁电工艺
' j& E: T& r: z. k" t■极快的SPI
•高达33MHz的频率
•直接更换串行闪存和EEPROM的硬件
7 v& u9 p, d3 e+ X( m4 s3 ~•支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）
/ W& K6 e' G- ~■复杂的写保护方案
•使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
6 ^4 a& \( ~7 n/ o% O; W4 f•使用禁止写入指令进行软件保护
. v0 a+ s( g  i' P+ @•适用于1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
■设备ID
•制造商ID和产品ID
■低功耗
+ S/ w6 u& z, e, e) j•在33MHz时有3.0mA有功电流
•400μA待机电流
•12μA睡眠模式电流
' g* ^8 [- Q! f4 u  B■低压操作：VDD=2.0V至3.6V
/ `5 F6 K: R$ V9 i4 w■扩展温度：–40℃至+105℃
. e+ y6 a* {, O6 N2 [  A5 h/ E■8引脚薄型双扁平无引线（DFN）封装
■符合有害物质限制（RoHS）

英尚微电子

FM25V20A-DGQTR是采用先进铁电工艺的2Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器或FRAM是非易失性的，并且执行类似于RAM的读取和写入操作。它提供了121年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。

英尚微电子

与串行闪存和EEPROM不同，FM25V20A-DGQTR以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。FM25V20A-DGQTR能够支持1014个读/写周期，或比EEPROM多1000万倍的写周期。