TA的每日心情 | 奋斗
2020-9-8 15:12 |
|---|
签到天数: 2 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
摘 要： 基于 ＣＭＯＳ体驱动，提出低电压放大器抗电磁干扰结构．电路采用部分正反馈结构提高体驱动输入级 的等效输入跨导，通过输入电压降结构改善体驱动结构的直流非线性，采用双输入级结构保证放大器良好的交流特 性，同时，对称拓扑结构保证了电路的高度对称性，实现了对称的转换速率．该设计采用电源电压为 １Ｖ的 ０．３５μｍ标准 ＣＭＯＳ工艺实现．对该放大器的抗电磁干扰特性进行理论分析与仿真验证，并同传统体驱动放大器相比较．实验结果 表明：该结构的电压失调小于 ５０ｍＶ，１０ｋＨｚ频点的输出功率谱密度相比传统结构降低 ３３ｄＢｍ．
! q" f) E. S3 V& W; A) _% P' O- P
& G6 s7 `2 \% t1 p) \
# @: i! T$ z5 y7 O2 {# l& b
. g) u+ W! e! J# ^关键词： ＣＭＯＳ体驱动；低电压放大器；抗电磁干扰；直流非线性
* r. o/ t- v/ j9 B$ @4 ~
6 b( s* y/ w1 ^7 ]- o3 v5 r4 a
w/ j# l8 F% r
1 S$ s( m5 V5 E6 N: U. L: E7 D随着集成电路（ＩＣ，ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）特征尺寸不断 缩减、集成度越来越高，片上及片间电磁干扰（ＥＭＩ， ＥｌｅｃｔｒｏＭａｇｎｅｔｉｃＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）问题愈加严重［１］，为避免干 扰引起的 ＩＣ性能削弱及失效，片上系统抗干扰设计尤 为重要．随着工艺进步和便携式设备的广泛应用，低电 压芯片已成为 ＩＣ的发展趋势［２］，特别是随着穿戴式智 能电子产品和生物医学微纳器件的发展［３］，如植入式脑 机交互微系统［４］等，低电压抗干扰设计已成为技术关 键．为满足特种芯片长续航时间等要求，需要设计性能 良好的低电压放大器［５］；另一方面，由于脑电信号的微 弱性（峰电位小于 ５００μＶ），前端采集放大处理电路易受 电磁干扰影响．因此，抗电磁干扰低电压放大器设计是 当前面临的技术挑战之一．9 r$ W r2 W4 j, U% R/ g
/ k' v2 {$ t: S& C: N) [4 C
2 E: H& d, u0 r, Q4 M: K3 n5 }
) w+ O l: f) X0 _
5 W; A, x7 I3 F0 G+ Z( ~
附件下载;
抗电磁干扰低电压CMOS放大器设计.pdf
(1.78 MB, 下载次数: 0)
- A" c4 w8 O7 A* W. W1 Q
|
|
/1 
发表于 2021-5-18 11:07
收藏
淘帖
支持！
反对！