TA的每日心情 | 难过 2021-7-6 15:55 |
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磁珠选型时主要关注的参数有:封装:根据实际电路需求确定磁珠的封装形式及尺寸大小。- k6 _& k( F) Y; C2 I5 |
额定电流:允许通过的最大电流,必须大于实际电路负载最大电流,且应预留一定的余量。
1 v3 Y% c; V1 x4 D4 Z* R6 s% {直流阻抗DCR:通直流电时(直流可理解为超超低频),表现出的阻抗值,DCR一般都越小越好,对信号的衰减就越小。
2 @# ~; v8 j0 O9 m阻抗Z:一般说的阻抗是磁珠在100MHz时表现出的阻抗值,阻抗越大对噪声抑制效果越明显,高频磁珠可能基准频率更高,Z@100MHz(Ω)。
9 X$ G5 o/ d1 ]2 j2 ?6 u- @5 t! L2 r7 W1 Z/ d2 T H8 v
8 ?$ j9 r, W2 m% j' R% z4 E$ \3 w
磁珠主要用来EMI噪声抑制(吸收尖峰脉冲等)
; S' Z$ t, S( i3 X低频时磁珠可以理解为电感,可以与电容构成LC滤波电路
4 T% |2 R# k3 P m& x高频时辞职可以理解为电阻,可以与电容构成RC滤波电路; o# P6 l: l: i
此猪有一个非常重要的特性曲线,频率阻抗曲线,且一般标称@100MHz表现出的阻抗并不是其最大阻抗
. A) h- w9 Q+ I4 l0 u6 w一般应用首先需对输入信号的噪声有一个基本的预估,确定一个大概的噪声中心频率点,然后再选取此频点处阻抗最大的磁珠。" \# \! ^/ h! V- H# N8 x0 D2 J8 |5 ~1 O
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比如一个系统,输入3.3V,噪声大概300mV左右,输出要求电压跌落不低于3.1V,噪声不超过50mV,负载阻抗50Ω,电流最大300mA,如何选用一个磁珠进行噪声抑制?
( X1 x4 _* u. |) f' u: n7 V! X3 F额定电流:根据负载电流,磁珠额定电流应大于300mA,并预留余量。
2 Y( \' F; _( V) IDCR:(3.3V-3.1V)/300mA=0.67欧姆,也就说选用的磁珠直流阻抗最大为670mΩ
. q( E+ E0 V5 Z2 l- H% D# A- d7 R/ Z/ A6 {- C
$ ]$ N A. o( e+ R# }阻抗Z:Z/R=U/V,Z=U/V*R=[(300mV-50mV)/50mV]*50Ω=250Ω,即选用磁珠阻抗最小应为250Ω1 p7 U# t$ T/ i. c
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