Everspin代理并口mram存储器---MR1A16A

英尚微电子

Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAMSTT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和可靠性。完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品。拥有超过600项有效专利和申请的知识产权组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。  

& R7 i1 V) l$ k8 l( IMR1A16A概述
" @5 k, ], S! Y: t7 l! q  BMR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR1A16A是理想的存储器解决方案。
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MR1A16A提供小尺寸的48引脚（BGA）封装和44引脚薄型小外形封装（TSOP Type2）。这些封装与类似的低功耗SRAM产品和其他非易失性RAM产品兼容。MR1A16A在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供商用（0至+70℃），工业（-40至+85℃），扩展（-40至+105℃）和AEC-Q1001级（-40至+125℃）工作温度范围选项。Everspin MR1A16A MRAM可替换赛普拉斯FM28V202A铁电FRAM。Everspin代理英尚微提供驱动例程等技术支持。

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! k5 }, {) H: J& |: N( @6 X. OMR1A16A引脚配置

- q3 b; A$ U. |( F" N7 \
特征
0 i" ~5 ~; i* b( L. z•35ns的快速读/写周期
•SRAM兼容时序，无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
•无限的读写耐力
•数据在超过20年的温度下保持非易失性
•一个存储器替代了系统中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简单，更高效的设计
- `+ F- V0 V+ z7 A3 G( l' F2 W1 l: n4 p•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案，以提高可靠性
/ @7 z5 E# @3 R) T0 x. z2 ^•3.3V电源
) f1 t4 Q% V- V•断电时自动数据保护
•商业，工业，扩展温度
•AEC-Q1001级选项
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
5 V$ ?/ Y& U6 j( J•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装

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MR1A16A型号表

( ?! {# W1 _+ @& i; a1 b$ Q9 ^
7 F: e% s: X; T9 U8 \6 F5 W- d0 U

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs) / Tray
2Mb	128K x 16	MR1A16AMA35	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16AMA35	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16ACMA35	48-BGA	3.3v	Industrial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16AYS35	44-TSOP2	3.3v	Commercial	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	270
2Mb	128Kx16	MR1A16ACYS35	44-TSOP2	3.3v	Industrial	270
2Mb	128Kx16	MR1A16ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AVYS35	44-TSOP2	3.3v	Extended	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AVYS35R	44-TSOP2	3.3v	Extended	270
2Mb	128Kx16	MR1A16AVMA35	48-BGA	3.3v	Extended	2000
2Mb	128Kx16	MR1A16AVMA35R	48-BGA	3.3v	Extended	2000

" L$ ]& e! R: UMR1A16A规格书下载
MR1A16A_Datasheet_Rev1.1_03102020_1 (1).pdf (1000.37 KB, 下载次数: 1)

2021-5-25 16:14 上传

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MR1A16A是一款具有2097152位的非易失性存储器并口mram，组织为131072个16位字。MR1A16A提供SRAM兼容的35ns读/写时序，具有无限的耐久性。数据在20年以上始终是非易失性的。低压禁止电路可自动在断电时保护数据，以防止在不符合规定的电压情况下进行写操作。对于必须快速永久存储和检索关键数据和程序的应用，MR1A16A是理想的存储器解决方案。

英尚微电子

特征
•35ns的快速读/写周期
: m9 ~* n) Q1 l+ p•SRAM兼容时序，无需重新设计即可使用现有SRAM控制器
•无限的读写耐力
  ~0 w+ u; ~2 t. k, v* z2 \•数据在超过20年的温度下保持非易失性
•一个存储器替代了系统中的Flash，SRAM，EEPROM和BBSRAM，从而实现了更简单，更高效的设计
•用MRAM代替电池供电的SRAM解决方案，以提高可靠性
•3.3V电源
) H9 u+ B, u7 l. ~8 R* w% W•断电时自动数据保护
# x- `- m0 [  \0 T8 q$ F•商业，工业，扩展温度
2 j* ~# y2 I- Y1 X•AEC-Q1001级选项
•所有产品均符合MSL-3湿度敏感度等级
•符合RoHS的SRAM TSOP2和BGA封装