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光耦电路中的一个上拉电阻问题

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发表于 2021-5-31 13:56 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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想知道tlp521光耦隔离电路的上拉电阻R15设计合不合理。M1是STM32单片机的输入端,采用上拉的方式。光耦的发光二极管最大压降是1.3V,输入端IF大概为10mA。
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    [LV.1]初来乍到

    推荐
    发表于 2021-5-31 15:30 | 只看该作者
    上拉电阻接的小了点,换成10K,让三极管快速进入饱和区

    点评

    电阻大怎么理解让三极管快速进入饱和状态  详情 回复 发表于 2021-6-2 11:44

    该用户从未签到

    2#
    发表于 2021-5-31 15:24 | 只看该作者
    是不是用10k更好

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2021-5-31 15:28 | 只看该作者
    STM32的GPIO可以配置为4种输入模式:输入浮空,输入上拉,输入下拉,模拟输入。输入上拉和下拉时均有内部电阻限流。输入浮空时最好在外部配置限流电阻,对端口起保护作用。同时,外部上拉电阻可以确保输入状态为固定态而不是不定态。
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    2019-11-28 15:36
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    [LV.1]初来乍到

    5#
    发表于 2021-6-2 11:44 | 只看该作者
    duck 发表于 2021-5-31 15:306 k7 N! v; W" p9 _: V" `% R1 b
    上拉电阻接的小了点,换成10K,让三极管快速进入饱和区
    8 a$ x% e" M# _! m3 o9 E  g
    电阻大怎么理解让三极管快速进入饱和状态8 |! \7 n3 V; l2 X' y" E0 l! V8 i3 O
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