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器件一旦坏了,千万不要敬而远之,而应该如获至宝。
! S/ w) i5 p0 M4 N+ B! O! Z开车的人都知道,哪里最能练出驾驶水平?高速公路不行,只有闹市和不良路况才能提高水平。社会的发展就是一个发现问题解决问题的过程,出现问题不可怕,但频繁出现同一类问题是非常可怕的。# ~) p, P3 @. ~% W, B/ N2 H4 n& p
" b' p# U- s. V, z8 _* `. {! y$ [' E
失效分析基本概念* S; C( R, ]- I% M& G# x
定义:对失效电子元器件进行诊断过程。0 N6 { H$ p M1 ^# } X
1、进行失效分析往往需要进行电测量并采用先进的物理、冶金及化学的分析手段。" J, U+ Q; e1 ]2 r- i) l5 s: Y% {
2、失效分析的目的是确定失效模式和失效机理,提出纠正措施,防止这种失效模式和失效机理的重复出现。6 ^5 W* U8 k( |; |' d5 p
3、失效模式是指观察到的失效现象、失效形式,如开路、短路、参数漂移、功能失效等。
# i1 Y( K$ w z& {3 Z6 R2 y4、失效机理是指失效的物理化学过程,如疲劳、腐蚀和过应力等。
7 C- I4 |: V% i& L# s, V8 p9 `. B$ u$ a' M( G
失效分析的一般程序* H1 ^# [6 E, s5 }% Z7 ]4 b
1、收集现场场数据
! F7 ~+ L1 [" ]* {- G2、电测并确定失效模式* b' P; r% D5 w2 n3 Y2 B0 \% Z
3、非破坏检查
3 N$ @( A+ r. Q" X/ R4、打开封装
4 z9 N! a m& P+ S/ m& y5、镜验; T) e& ~0 @/ s$ J# F* }" I
6、通电并进行失效定位
6 g2 Q' ^8 n @ Z5 W; N7、对失效部位进行物理、化学分析,确定失效机理。3 R$ F. ?4 n. g2 Y
8、综合分析,确定失效原因,提出纠正措施。 u) N& P7 z! b3 O$ O
' }1 I/ l) u! w1 ^3 a; Q1、收集现场数据:# v$ d% P9 p9 N2 _5 [) ~ V
, e+ c$ F1 M/ S( T, W: }8 _
2、电测并确定失效模式4 V4 W) F8 y, J/ ^% K% N; j
电测失效可分为连接性失效、电参数失效和功能失效。: f e( b- L( |1 D4 ?" q
连接性失效包括开路、短路以及电阻值变化。这类失效容易测试,现场失效多数由静电放电(ESD)和过电应力(EOS)引起。& g4 @7 {% J& A' g+ e1 ^$ ]2 ?: @. O
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电参数失效,需进行较复杂的测量,主要表现形式有参数值超出规定范围(超差)和参数不稳定。7 E& I/ {" E* o P" }* u! D: ~0 R
! U' J2 I8 S: p/ }
确认功能失效,需对元器件输入一个已知的激励信号,测量输出结果。如测得输出状态与预计状态相同,则元器件功能正常,否则为失效,功能测试主要用于集成电路。) U$ B$ a, M0 L s$ r
, B3 | ?8 t" q& N三种失效有一定的相关性,即一种失效可能引起其它种类的失效。功能失效和电参数失效的根源时常可归结于连接性失效。在缺乏复杂功能测试设备和测试程序的情况下,有可能用简单的连接性测试和参数测试方法进行电测,结合物理失效分析技术的应用仍然可获得令人满意的失效分析结果。
) N. C& M/ \) y" l8 a4 K3、非破坏检查
* S" e0 Q9 ]5 b9 }+ MX-Ray检测,即为在不破坏芯片情况下,利用X射线透视元器件(多方向及角度可选),检测元器件的封装情况,如气泡、邦定线异常,晶粒尺寸,支架方向等。) V) P7 ?1 y& {
" k, W. \6 e2 O: O4 J5 O适用情境:检查邦定有无异常、封装有无缺陷、确认晶粒尺寸及layout' j. U& V; G4 {
优势:工期短,直观易分析
: v4 B- Y* Q. l2 H" [* G: A7 R劣势:获得信息有限
% X& o; j7 H; ?! i6 T' m局限性:
9 }& r' G6 n( a$ b1、相同批次的器件,不同封装生产线的器件内部形状略微不同;5 S1 C6 v3 v, }% | B+ G- G3 Z
2、内部线路损伤或缺陷很难检查出来,必须通过功能测试及其他试验获得。6 M- Q( @0 I9 f. o& P" W( J
. [% d, V2 C7 r) `8 _6 N
案例分析:' R2 o5 E- }, R4 ^* A
X-Ray 探伤----气泡、邦定线) K0 h: W) ` d
X-Ray 真伪鉴别----空包弹(图中可见,未有晶粒)6 T5 F3 R8 S) A2 F5 \
“徒有其表”8 w- a+ K$ u6 l/ C. z
下面这个才是货真价实的0 C0 {, g' l5 ~
X-Ray用于产地分析(下图中同品牌同型号的芯片)! l4 L9 W# T. _# h/ c
X-Ray 用于失效分析(PCB探伤、分析)5 A3 V( S5 a1 J" |6 | C6 ]
(下面这个密密麻麻的圆点就是BGA的锡珠。下图我们可以看出,这个芯片实际上是BGA二次封装的)6 m/ {) M% @: `! c7 {4 I/ T. D
+ c% S3 F% W8 s) \
4、打开封装$ Z4 k e& P6 Q! \" [
开封方法有机械方法和化学方法两种,按封装材料来分类,微电子器件的封装种类包括玻璃封装(二极管)、金属壳封装、陶瓷封装、塑料封装等。9 L' R' s* C4 |, y1 k) U! v- x
$ W( ~& k9 V5 Q! a5、显微形貌像技术: h" {- ~# K- C0 `0 z
光学显微镜分析技术
2 Z6 T; o+ ~+ E& j. J% d4 y扫描电子显微镜的二次电子像技术
: x" V2 ` ?0 b电压效应的失效定位技术
7 V/ `* X5 J' u' A6、半导体主要失效机理分析+ R5 _* X) }7 T* D
电应力(EOD)损伤4 ^4 d- F7 s5 C/ _% W
静电放电(ESD)损伤
' y3 `2 D9 _: u: n封装失效0 h; M4 E) ?8 a" K/ C
引线键合失效
) L2 J% [! B" U* k J5 z芯片粘接不良
/ q9 J8 c' G) O8 y金属半导体接触退化
5 a+ Q4 ` g/ o! q0 N- e2 K+ d/ A钠离子沾污失效; q2 O9 Q" s2 c$ f* }! O, o3 h
氧化层针孔失效 |
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