赛普拉斯代理4Mbit异步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT

英尚微电子

SRAM是一种随机存取存储器(RAM)，它使用基于触发器的锁存电路来存储每个位。只要有电源，数据位就会保留在存储器中。与动态RAM(DRAM)不同，SRAM不必定期刷新。SRAM有两种不同的风格：同步和异步。同步SRAM是与称为时钟的外部信号同步的设备。设备只会在时钟的特定状态下将信息读取和写入内存。另一方面，异步SRAM不依赖于时钟的状态。它会在收到指令后立即开始向内存中读取或写入信息。

+ z4 F) V  v; U) K9 `$ p赛普拉斯为网络、汽车、消费电子、工业、医疗、航空航天和国防等各种应用提供各种高速、低功耗和可靠的SRAM。凭借多样化的异步、同步和双端口SRAM产品组合以及稳定供应和长期产品支持的承诺，赛普拉斯是首选的SRAM供应商。英尚微代理介绍一款市面上比较受欢迎的一款赛普拉斯4Mbit异步SRAM。
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2 z8 Y, y8 N* N" z5 @" T9 MCY7C1041GN30-10ZSXIT是一款是高性能CMOS快速静态RAM，按16位组织为256K字。容量4Mbit的高速异步快速SRAM,访问速度10ns/15ns，低活动和待机电流，工作电压范围2.2V~3.6V，1.0-V数据保留，工作温度-40℃~ 85℃，具备TTL兼容的输入和输出，封装采用无铅44-pinTSOPII。

引脚配置

44-pinTSOPII

CY7C1041GN30-10ZSXIT数据写入通过将芯片使能(CE)和写入使能(WE)输入置为低电平来执行，同时在I/O0至I/O15上提供数据并在A0至A17引脚上提供地址。字节高使能(BHE)和字节低使能(BLE)输入控制对指定存储器位置的高字节和低字节的写操作。BHE通过I/O15控制I/O8，BLE通过I/O7控制I/O0。
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数据读取是通过将芯片使能(CE)和输出使能(OE)输入置为低电平并在地址线上提供所需地址来执行的。读取数据可通过I/O线（I/O0到I/O15）访问。字节访问可以通过置位所需的字节使能信号（BHE或BLE）来执行，以从指定地址位置读取数据的高字节或低字节。
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- {: j3 S. d( j4 s) o; \: l  r在以下事件期间，所有I/O（I/O0到I/O15）都处于高阻抗状态：
$ e' q( Q) G5 e5 i: }5 q& S■设备被取消选择(CEHIGH)
■控制信号（OE、BLE、BHE）无效

借助片上硬件ECC（纠错码），赛普拉斯的SRAM可以在线执行所有与ECC相关的功能，无需干预。更高能量的外星辐射可以翻转多个相邻位，导致多位错误。ECC的单比特错误检测和纠正能力由比特交织方案补充，以防止多比特错误的发生。这些特性共同显着提高了软错误率(SER)性能，从而实现低于0.1FIT/Mbit的行业领先FIT率。
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同步SRAM是与称为时钟的外部信号同步的设备。设备只会在时钟的特定状态下将信息读取和写入内存。另一方面，异步SRAM不依赖于时钟的状态。它会在收到指令后立即开始向内存中读取或写入信息。"