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MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都声称具有相似的性能优势：低电压操作、长寿命和非常高的速度。他们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，性能突破背后都有创新的材料技术。
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' z' _2 y( k( jMRAM或磁性随机存取存储器使用1个晶体管–1个磁性隧道结(1T-1MTJ)架构，将铁磁材料的磁性“状态”作为数据存储元件。由于MRAM使用磁性状态进行存储（而不是会随着时间“泄漏”的电荷），因此MRAM提供了非常长的数据保留时间（+20年）和无限的耐用性。切换磁极化（写入周期）是磁隧道结(MTJ)上方和下方导线中脉冲电流的结果。来自电流脉冲的相关H场改变了铁磁材料自由层的极化。
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6 Z* R1 e* X/ s% Y P( z这种磁性开关不需要原子或电子的位移，这意味着没有与MRAM相关的磨损机制。自由层相对于固定层的磁矩会改变MTJ的阻抗。阻抗的这种变化代表数据的状态（“1”或“0”）。感测（读取周期）是通过测量MTJ的阻抗来完成的。MRAM设备中的读取周期是非破坏性的且相对较快(35ns)。读取操作是通过MTJ上的极低电压完成的，支持在部件生命周期内无限操作。Everspin代理英尚微介绍一款AEC-Q1001级非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR0 q5 v) L% L# }0 j% [) P7 b
0 e; r* S8 N- Y3 n
MR25H10MDFR是一个1,048,576位磁阻随机存取存储器(MRAM)设备，组织为131,072个8位字。MR25H10MDFR提供串行EEPROM和串行闪存兼容读/写时序，无写延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在存储器中随机发生，写入之间没有延迟。对于必须使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用程序，MR25H10MDFR是理想的存储器解决方案。
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7 |( k9 ^( ~4 H8 wMR25H10MDFR采用5mmx6mm 8引脚DFN封装DFN Small Flag封装。两者都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。MR25H10MDFR在很宽的温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供AEC-Q1001级（-40℃至+125℃）工作温度范围选项。9 ~# _) s" c/ M$ m |% w+ }, z
2 d. s5 T: w, k0 ?3 r- p特性, }% M8 ~) d; |# B+ Z
•无写入延迟
8 b# J! C9 t/ u1 b0 J•无限写入耐久性
4 h& D8 d1 r* _) ?•数据保留超过20年
( [. R* \1 d" t/ y4 ]+ \; I•断电时自动数据保护
: n$ ?, x5 Y0 Z4 m3 Y& j* b. w. S•块写保护4 @& Q! m$ w# _7 {" d# c, z
•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz
x" j* V" f0 }9 m- s/ T! D•2.7至3.6伏电源范围; B4 W* y' b# Y8 o$ X6 q
•低电流睡眠模式$ P( J, g( {1 k, W8 C
•工业温度
& {' i7 X6 a" s9 s k•提供8针DFN Small Flag RoHS兼容
$ A X. y7 M! j: X) P" d•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
: Z6 o: C) c1 l& [" R/ I1 [1 S•AEC-Q1001级选项' x( J6 [/ q) |& J9 ~
& v3 j3 b. Z# F8 E+ E* EMR25H10规格书下载
8 n% P3 y T! k7 \& }, ?
MR25H10.pdf
(2.02 MB, 下载次数: 0)
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发表于 2021-6-8 17:11
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