片选信号Chip Select 或 Chip Enable

tencome

请教一下硬件大神，  对于存储芯片堆叠的设计， 每个芯片默认有4个CE。
; j& p! l7 C' Y$ Q* k4 o: `, G
* L9 j! y6 F) x; ]& M
如果只需要堆叠2个芯片，理论上只需要设计2个CE就可以正常工作。

7 J% R5 p4 C- i6 w3 V5 B有两种电路板：第一种电路板上设计4个CE，2个CE工作，另外2个CE是空脚状态。
第二种电路板上设计2个CE。

  E: |$ L1 p- j- {第一种电路板会比第二种电路板更加耗电么？

. X. J/ G; i7 p8 u1 Z7 j; i; W
6 S! A  Q3 e% X4 g: I
3 }+ U/ t8 _1 e5 G. ^

oewqe

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lock_lilu

就绝对而言，是的，还会有更多。
将两个场效应晶体管的操作添加到 CE 个电流增量几 nA

tencome

lock_lilu 发表于 2021-6-14 10:59
就绝对而言，是的，还会有更多。
将两个场效应晶体管的操作添加到 CE 个电流增量几 nA

请教一下 这句话怎么理解？
4 X% v/ D" z+ o# u
将两个场效应晶体管的操作添加到 CE 个电流增量几 nA

lock_lilu

tencome 发表于 2021-6-21 08:13
  B3 ?; q3 y* T6 c- p7 z请教一下 这句话怎么理解？

将两个场效应晶体管的操作添加到 CE 个电流增量几 nA

0 j# ~0 k. k/ z2 r& w  W- v关键参数答案
IDSS - Zero Gate Voltage Drain Current
; i, D7 g8 u7 sIGSS - Gate-Body leakage current
以及文件的链接
& s! i& D& R5 X6 B4 [- P+ CField Effect Transistors in Theory and Practice Application Note AN211A.pdf
nxp.com/docs/en/application-note/AN211A.pdf


[size=0.87]Field Effect Transistors in Theory and Practice Application Note
3 p+ z0 c( g0 m5 I+ \; }

[size=0.87]Field Effect Transistors in Theory and Practice Application Note
6 Z$ f7 k/ H2 ?7 V( _! U