找回密码
 注册
关于网站域名变更的通知
查看: 528|回复: 1
打印 上一主题 下一主题

EMI501HB08PM45I异步低功耗SRAM可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI

[复制链接]

该用户从未签到

跳转到指定楼层
1#
发表于 2021-6-17 16:21 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

EDA365欢迎您登录!

您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册

x
在过去的几十年中,SRAM领域已划分为两个不同的产品系列,快速和低功耗,每个产品都有自己的功能,应用程序和价格。使用SRAM的设备需要它的高速性或低功耗性,但不能同时兼顾两者。但是人们越来越需要具有低功耗的高性能设备,以便在依靠便携式电源运行时执行复杂的操作。这种需求由新一代医疗设备和手持设备,消费电子产品和通信系统及工业控制器推动,而这些都由物联网驱动。6 z$ R0 l: N5 x" {6 l! D4 C
/ k& j0 a7 T1 L& O
下面介绍一款可兼容IS63WV1288DBLL-8TLI的国产SRAM芯片EMI501HB08PM45I。6 Q5 H2 e" i5 B9 {5 \* n2 t$ g0 W/ |$ K

3 G: C0 b0 x. s# ]EMI501HB08PM45I描述
) O4 k- S( h: [EMI501HB08PM45I异步低功耗SRAM由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽128k x 8bit,支持工业温度范围,工作输出电压为4.5V〜5.5V,以实现系统的灵活性设计。还支持低数据保留电流的电池备份操作的低数据保留电压。1 }% P1 x! F1 N5 j9 J
' q) K1 r! @- s6 P
EMI501HB08PM45I特征
7 Y; A/ R' ?8 A9 n6 Y3 Z  D& Z; b•工艺技术:90nm全CMOS
1 `" \' v2 F7 F' B$ s•组织:128k x 8bit$ x& ]1 B1 ?$ s, z' N% O
•电源电压:4.5V〜5.5V
6 g' ~6 r# m$ D5 M$ ^. U•三种状态输出和TTL兼容
  s! t5 V6 Q+ o/ B•标准32SOP.6 ]) h; ?7 W2 B0 ]/ R
•工业运行温度。
; V! E# A2 @) H& a
) @3 Y6 t, U; |1 J) J$ S% |( Q低功耗SRAM存储器,应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品,作为静态随机访问存储器的一种类别,SRAM作为最重要的半导体存储器,广泛地嵌入于高性能微处理器。随着集成电路制造工艺的不断提升,存储器占据芯片的功耗比例越来越大,高速低功耗的SRAM设计变得越来越重要。

' H* m: s. q. {# s$ a% M 1Mb(x8).pdf (4.34 MB, 下载次数: 0)
% v& p5 `) E; g* B5 [# ^: N% ^1 w1 F" y" t; R# t# Q
# P# i4 B% u% x9 q6 E
  • TA的每日心情
    开心
    2022-11-22 15:53
  • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到

    2#
    发表于 2021-6-17 17:08 | 只看该作者
    低功耗SRAM存储器,应用于内有电池供电对功耗非常敏感的产品
    您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

    本版积分规则

    关闭

    推荐内容上一条 /1 下一条

    EDA365公众号

    关于我们|手机版|EDA365电子论坛网 ( 粤ICP备18020198号-1 )

    GMT+8, 2025-10-1 10:48 , Processed in 0.156250 second(s), 26 queries , Gzip On.

    深圳市墨知创新科技有限公司

    地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

    快速回复 返回顶部 返回列表