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“持久性存储器”通常是指驻留在存储器总线上的高性能、字节可寻址、非易失性存储器设备。MRAM（磁性只读存储器）和FRAM（铁电RAM）都声称具有相似的性能优势：低电压操作、长寿命和非常高的速度。他们以不同的方式实现这些目标，尽管在每种情况下，性能突破背后都有创新的材料技术。首创的MRAM将数据位存储为存储单元中电阻的变化，这是通过将某些特殊材料暴露在磁场中而产生的。FRAM与MRAM有很大不同：它在铁电材料中将位存储为固定电位（电压）。下面介绍一款可替代FRAM的Serial MRAM芯片MR25H256ACDF。
' N, w9 N* ?& F9 T& g
0 ?! G; G' Z, e/ \. Q9 t9 D5 }; \MR25H256ACDF是一种串行MRAM，其存储器阵列逻辑组织为32Kx8，使用串行外围接口的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口(SPI)总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和运行功率以及更可靠的数据保留。) R- x' r' t# K# K) i6 S" T
7 n+ G- Q$ y2 ?; W9 O3 pMR25H256A Product Options | Grade | Temperature | Package | Industrial | -40~85℃ | 8-DFN Small Flag | Automotive AEC-Q100 Grade 3 | -40~85℃ | 8-DFN Small Flag | Automotive AEC-Q100 Grade 1 | -40~125℃ | 8-DFN Small Flag |
* j2 b. D) {! s" }
2 O) X" ?) E# c6 t( N特征
* _5 A h2 {0 X: B) q•无写入延迟+ l" A& X2 _/ e: C. X9 f9 i
•无限写入耐久性: D' ^/ D8 c5 R# F- F: P7 q9 Z1 b
•数据保留超过20年- ]! h; t9 E6 E; f) ^ h4 I+ W
•断电时自动数据保护8 P' [/ ]& o* K4 A
•块写保护
& f9 g. j$ b. \7 b•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40MHz* {; e* T E6 }( m \
•2.7至3.6伏电源范围$ D% b$ h7 y: c5 C( P: g% \
•低电流睡眠模式* j8 d) g S2 r9 \! J, s2 w! I
•工业和汽车1级和3级温度, u0 S3 f, @( t6 C) F3 E
•提供8-DFN Small Flag RoHS合规性封装。
. U, z1 D% v; e( s9 L•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM) w9 t( B7 G q5 A
•工业级和AEC-Q1001级和3级选项
4 D* f% w2 O+ h4 U4 z. c; z( F, X•湿度敏感度MSL-3
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7 Z+ L" Z a2 c" a. m9 a3 z" IEverspin Technologies, Inc是设计制造和商业运输分立和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋转移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的翘楚，面向数据持久性和应用程序的市场和应用。完整性、低延迟和安全性至关重要。Everspin 在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过 1.2 亿个 MRAM 和 STT-MRAM 产品，为MRAM 用户奠定了最强大、增长最快的基础。
. V# D! @) V; H: o+ c! L0 H% c$ w + _% P, K7 c2 D
" F# B6 G f7 }3 [# n5 I7 yMR25H256ACDF规格书下载
# m% P( q% A- ~7 e$ I# o
MR25H256-MR25H256A.pdf
(1.64 MB, 下载次数: 0)
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发表于 2021-6-17 16:26
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