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MRAM是一种非易失性存储技术，可以在不需要电源的情况下将其内容保留至少10年。它适用于在系统崩溃期间需要保存数据的商业应用。基于MRAM的设备可以为“黑匣子”应用提供解决方案，因为它以SRAM的速度写入数据，同时在发生总功耗之前保留数据。Everspin串行mram是必须使用最少数量的引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想存储器。' K8 |( }3 m# E. {/ s' V& u
7 W, a. @; v4 M& m% n* {) P
Everspin型号MR25H256CDF是一种串行MRAM，其存储器阵列逻辑组织为32Kx8，使用串行外围接口的片选(CS)、串行输入(SI)、串行输出(SO)和串行时钟(SCK)四个引脚接口(SPI)总线。串行MRAM实现了当今SPI EEPROM和闪存组件通用的命令子集，允许MRAM替换同一插槽中的这些组件并在共享SPI总线上进行互操作。与可用的串行存储器替代品相比，串行MRAM提供卓越的写入速度、无限的耐用性、低待机和操作功率以及更可靠的数据保留。
& g. i9 v# u# c. ?1 W$ h. H
$ k2 r/ k5 z' |/ L7 } * z' }4 L' a) W4 X" Q
MR25H256CDF特征
( g! R9 e! w1 l) I9 H•无写入延迟& S. C: t/ e; a- v G
•无限写入耐久性
9 d' T- N* W6 g# n•数据保留超过20年
) o" h% Z3 z1 L: w$ b6 p! F: u•断电时自动数据保护# `- E/ ^$ S. t; t) D; u! j4 \
•块写保护
0 y1 \( L/ G/ u, j) r•快速、简单的SPI接口，时钟速率高达40兆赫兹
" ^2 m O; x$ P6 ^•2.7至3.6伏电源范围, d, L1 k7 G* T+ N Z3 F! ~' i
•低电流睡眠模式. D* ~2 u# w; o2 Q, E+ A/ ]
•工业和汽车1级和3级温度: [0 J* o _% p a7 N7 @' |
•提供8-DFN Small Flag RoHS兼容封装。
8 [- j7 O7 ^9 c X% e•直接替代串行EEPROM、闪存、FeRAM
1 G* L6 k/ F4 i' r: o1 \•工业级和AEC-Q1001级和3级选项/ R' p- x$ ?3 m% B$ ~: }& @ T
•湿度敏感度MSL-33 M9 z, B; X1 v7 M1 i" v
- U7 ^/ @5 ]. S: hEverspin是专业设计和制造MRAM和STT-MRAM的翘楚，其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin在数据中心，云存储，能源，工业，汽车和运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为MRAM用户奠定了强大的基础。Everspin一级代理英尚微电子可为用户提供驱动和例程等技术方面支持。
2 i0 G: r9 r! g% J9 t- ^7 [# E4 Q9 f- n% V# Q$ i) [
MR25H256CDF规格书下载
MR25H256-MR25H256A.pdf
(1.64 MB, 下载次数: 2)
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发表于 2021-6-23 17:30
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