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Everspin成立于2006年，是从飞思卡尔分离出来的一家半导体科技公司，以领导非易失性MRAM存储芯片为公司主导致力于非易失性存储芯片的发展，是全球唯一一家专业生产销售磁性随机存取内存(MRAM)，目前该产品已经应用于多个行业，如人工智能，金融数据等。! V+ X3 o. A6 K+ Z% D# L; ]
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Everspin一款串口mram芯片，型号为MR25H10CDF，工作温度范围：-40℃to+85℃，是一款工业级别的存储芯片，可用于工控设备的应用，特别是对温度有严格要求的应用，存储容量1Mb（128Kx8），数据位宽8位。* Y* O0 l+ u) r
4 L7 |* j4 ~! gMR25H10CDF提供串行EEPROM和串行闪存兼容的读/写定时，没有写入延迟和无限读/写耐久性。与其他串行存储器不同，读取和写入都可以在内存中随机发生，写入之间没有延迟。MR25H10是用于使用少量I/O引脚快速存储和检索数据和程序的应用的理想内存解决方案。封装采用5mmx6mm Small Flag 8-DFN提供。两与串行EEPROM，FLASH和FERAM产品兼容。( {6 H1 j# @2 [7 V; G& V$ f
; U) J' D: S/ x0 {; Y+ W( [( \4 [
MR25H10CDF在各种温度范围内提供高度可靠的数据存储。该产品提供工业（-40℃至+85℃）和AEC-Q100级（-40℃至+125℃）的工作温度范围选项。) m& R0 }8 ?7 j+ J3 P9 Y* e R) w2 z
, w( f, ]$ V' e4 Z. z
MR25H10CDF特点
7 p" @" z4 q/ |•没有写延迟
+ c8 l! {. i- d8 u) w•无限制写耐力
1 p5 Q) Z. ]2 ?5 Z1 U•数据保留超过20年; }+ ]& x' b4 X" b6 T# _
•电源损耗的自动数据保护# Z+ p0 Z6 ~0 p# _
•块写保护! c- X; I' m6 k. ~0 E! b
•快速，简单的SPI接口，最高速度为40MHz时钟速率
2 Y# H2 o+ [/ e! @( W•2.7至3.6伏电源范围; Y# W' F& r9 ~1 F- ]
•低电流睡眠模式
% m! V7 p3 @8 E$ c% \ f9 n& R: Y•工业温度
" T3 m. D( D1 V, U ~: `5 `•提供Small Flag 8-DFN RoHS兼容封装( P, r, X* Z5 B& K* w
•直接更换串行EEPROM，Flash，Feram' L3 T7 B8 G- v) \9 A( D' J' _* U6 F
•AEC-Q100等级1选项
r. Q* W9 R% M % ~% [+ ~( T/ P+ e; i) p/ [* t9 @
MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。everspin MRAM具有成为通用存储器的潜力,能够将存储器的密度与 SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM 可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和太空应用。# M& i% Y8 s- V& j' `% x# {
' A+ F: Y/ P/ \6 e& X
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MR25H10CDF规格书下载
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MR25H10.pdf
(2.02 MB, 下载次数: 0)
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发表于 2021-6-24 17:34
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