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说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可 可是导通之后VS不是会大于VG吗?

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1#
发表于 2021-7-19 09:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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说到NMOS的导通条件 只需要VGS>0即可  可是导通之后VS不是会大于VG吗?
* _: k, _8 h- p6 q

该用户从未签到

2#
发表于 2021-7-19 10:21 | 只看该作者
所以才有mos驱动芯片啊。如果自己搭驱动,自举电路了解下

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3#
发表于 2021-7-19 10:35 | 只看该作者
今天剛好查到一個公司畫錯好幾年的電路!4 j/ a2 L6 T/ l/ H! S8 C: i
6 y/ H' E& ?6 v% s8 V& z. o- S

P-Channel MOSFET Load Switch (Recommended).jpg (11.11 KB, 下载次数: 1)

P-Channel MOSFET Load Switch (Recommended).jpg

AND9093-D.PDF

344.76 KB, 下载次数: 11, 下载积分: 威望 -5

点评

没看到哪里错呢  详情 回复 发表于 2021-7-21 01:05

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4#
发表于 2021-7-19 10:46 | 只看该作者

“可是导通之后VS不是会大于VG吗?”

没有此事。导通之后,Vs是Vs,Vg是Vg。Vs大于Vg,对N沟功率MOS管,不可能导通。


  t& q/ G6 R! q

该用户从未签到

5#
发表于 2021-7-19 10:49 | 只看该作者

导通条件是Vgs>Vth,而非Vgs>0

导通之后,Vd~=Vs,Vg是输入信号,不会受导通条件影响。


& s/ u. |/ h9 C/ O

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6#
发表于 2021-7-19 10:51 | 只看该作者

导通之后为什么Vs会>Vg?

导通的是DS极,而不是GS极

Vg是你自己给的信号。


0 A$ A+ R5 _1 a* ?3 L

该用户从未签到

7#
发表于 2021-7-19 10:57 | 只看该作者
本帖最后由 死小孩4444 于 2021-7-19 11:02 编辑 # v) J. I$ ], r! W+ c
1 J; u3 m5 o; K5 W4 e  o: k& j
NMOS原理图,UGS 加上电压后形成N沟道

WeChat Screenshot_20210719105534.png (49.1 KB, 下载次数: 1)

增强型NMOS原理

增强型NMOS原理

WeChat Screenshot_20210719110016.png (35.04 KB, 下载次数: 1)

工作原理

工作原理
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-7 15:40
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    8#
    发表于 2021-7-20 09:04 | 只看该作者
    N沟道MOS管一般使用时,S极是接地的,G极是给定电压,所以当VGS>Vth时,NMOS就导通了,不存在导通后VS>VG的

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2021-7-21 01:05 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2021-7-19 10:35
    " J: _: K3 u. R- X) K今天剛好查到一個公司畫錯好幾年的電路!

    % y/ f- [0 a* z, U' i没看到哪里错呢

    点评

    NMOS管VG电压和VS电压差不多相等,没法导通  详情 回复 发表于 2021-7-28 09:19
  • TA的每日心情
    开心
    2021-6-28 15:57
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    10#
    发表于 2021-7-28 09:19 | 只看该作者
    yhg-cad 发表于 2021-7-21 01:05
    $ j4 \7 T$ V  a  ~. P4 D没看到哪里错呢

    - y, O, m( m+ S: {NMOS管VG电压和VS电压差不多相等,没法导通" R( I+ m) C% i
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