请教一个关于上电瞬间浪涌电流的抑制电路设计

ljyxzz

如下图，尝试使用负温度系数热敏电阻NTC与NMOS并联，上电瞬间NMOS不导通，通过NTC抑制浪涌电流。与此同时C67通过R2充电，NMOS栅极电压逐渐上升，NMOS导通，相当于短路掉NTC，避免NTC上的功率损耗。
请问这个设计合理吗，如果不合理，在哪些地方可以改进？
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另外，如果采用NTC和PMOS并联，电路图如下，请问能达到同样的功能吗，与上面的设计相比哪个更可靠呢？
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huo_xing

nmos怎么能实现你的功能。就算nmos完全导通，也是Vg=Vs=Vcc啊。怎么保证Vg>Vs？

ljyxzz

huo_xing 发表于 2021-7-27 09:39
nmos怎么能实现你的功能。就算nmos完全导通，也是Vg=Vs=Vcc啊。怎么保证Vg>Vs？

NMOS导通的话，由于MOS的导通电阻很小，相当于短路掉NTC热敏电阻，电流全部从NMOS走。不知道是否可以这样理解，请指导，谢谢
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startostar

被验证OK的电路很多，经验不足千万别自创

ljyxzz

huo_xing 发表于 2021-7-27 09:39
nmos怎么能实现你的功能。就算nmos完全导通，也是Vg=Vs=Vcc啊。怎么保证Vg>Vs？

明白您的意思了，那下面用PMOS的设计，栅极被开关三极管导通到地，电压接近0V，这样的设计有问题吗？
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ljyxzz

startostar 发表于 2021-7-27 09:44
- V. h. U! t9 h+ g% j被验证OK的电路很多，经验不足千万别自创

是的，有的电路比较复杂，条件有限所以想尽量简化。
0 E! i6 l: j) w5 g5 i" p0 l谢谢您的提醒
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421800626

低温下ntc能否开启

ljyxzz

421800626 发表于 2021-7-27 21:55
低温下ntc能否开启

/ q2 ?7 v7 J: k* ^( N/ s; ]应该是很极端的低温环境吧