cypress代理4Mbit铁电存储器CY15B104QSN

英尚微电子

cypress Excelon-Ultra CY15B104QSN采用了高级铁电工艺的高性能4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（即FRAM）与RAM相同，是执行读和写操作的易失性存储器。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。

与串行闪存不同的是，CY15B104QSN以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。CY15B104QSN能够提供1014次的读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。由于具有这些特性，因此CY15B104QSN非常适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写周期数量是非常重要的）到满足工业级控制（其中串行Flash的较长写时间会使数据丢失）。
# R4 y4 {- `( F- V! I) u! M
CY15B104QSN将4Mbit FRAM与高速度四线SPI（QPI）SDR和DDR接口相结合，从而增强铁电存储器技术的非易失性写入功能。该器件包含一个只读的器件ID和唯一ID特性，通过它们，SPI总线主设备可以确定器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一ID。该器件包含一个唯一只读序列号，可用来识别某个电路板或系统。

  J2 t: M  d0 f% J该器件支持片上ECC逻辑，可以在每个8字节数据单元内检测和纠正单比特错误。该器件还包含在8字节数据单元中提供双比特错误报告的扩展功能。CY15B104QSN还支持循环冗余校验（CRC），可用来校验存储器阵列中所存储数据的完整性。代理商英尚微支持提供产品技术支持。

性能
■4Mbit铁电性随机存取存储器（FRAM）的逻辑组织方式为512Kx8
❐提供了一百万亿次（1014）的读/写周期，几乎为无限次数的耐久性。
4 L  N- e: Z$ {- z1 Y. |: L( f❐151年数据保留时间
# D7 c  {# G' }' b& K4 z/ c7 i8 @❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
■单线和多线I/O串行外设接口（SPI）
8 e, r) c! G" A! F, s9 P❐串行总线接口SPI协议
& z! F2 ]% a* g4 F5 V❐支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1），适用于所有SDR模式转换
❐支持SPI模式0（0，0），适用于所有DDR模式转换
9 L6 `( b* m; r/ ^7 P❐扩展型I/OSPI协议
❐双线SPI（DPI）协议
❐四线SPI（QPI）协议
+ M2 o8 e& e& h■SPI时钟频率
❐最高108MHz频率SPI的单倍数据速率（SDR）
2 l* B" t: n  e❐最高54MHz频率SPI的双倍数据速率（DDR）
! z; {3 p9 w! R' B0 t( V■芯片内执行（XIP）模式下的存储器读/写操作
  _; v# j* o' }5 b3 x4 d; r) _* x■写入保护，数据安全性，数据完整性
4 q4 X7 u) s; V/ D( ^6 O0 ]& U3 ]% Z■使用写保护（WP）引脚提供硬件保护
) _2 q: X9 {# c- J7 H: P% d+ ^■软件模块保护
■提高数据完整性的纠错码（ECC）和循环冗余校验（CRC）
4 D/ J! L  [2 t9 a+ @/ K) D) N❐检测并纠正但比特错误的ECC。在发生双比特错误时，它将不纠正错误，但将通过ECC状态寄存器进行错误报告
❐CRC将检测原始数据的任意意外更改
" R, L# I$ k5 h7 A) J0 ]$ H■扩展的电子签名
! e" ]. ~% ~, B: [$ Z❐器件ID包含制造商ID和产品ID
$ G4 ~. i1 a5 c8 s# f, K7 n❐唯一ID
❐用户可编程序列号。
+ K7 I3 i3 _4 m4 a% D" y" L■专用256字节特殊扇区FRAM
2 K3 k" U; o) {+ |❐专用特殊扇区写和读操作
( A9 H: M, u2 ]❐内容可以在最多3个标准回流焊周期内保持不变
■高速度，低功耗
) z6 D8 C3 ?& F* x3 X4 v" E❐SPISDR频率为108MHz时，有效电流为10mA（典型值）
. N. l2 p$ p  Y" g' A( ]) h❐QSPISDR频率为108MHz并且QSPIDDR频率为54MHz时，有效电流为16mA（典型值）
8 g) K" E  T/ o7 ?6 I❐待机电流为110μA（典型值）
❐深度掉电模式电流为0.80μA（典型值）
❐休眠模式电流为0.1μA（典型值）
! J9 x' m9 \/ u! Y$ E5 b+ F■低电压操作：
! z5 Q8 j9 q& u% c6 D❐CY15B104QSN：VDD=1.8V到3.6V
■工作温度范围：–40℃到+85℃
■封装
: w9 x2 I! Y8 ^2 L❐8pin小型塑封集成电路（SOIC）封装
2 K+ E& |7 T  X5 N❐8pin网格阵列四方扁平无引线（GQFN）封装
3 E: C# C5 D% F& Z0 ~6 {■符合有害物质限制标准（RoHS）
6 h$ k2 M0 l4 R- W+ u: _4 b
9 W: n$ E! A; o1 w, H2 @CY15B104QSN是一个串行FRAM存储器。该存储器阵列被逻辑组织为 524,288 ×8 位。通过使用工业标准的串行外设接口（SPI）总线可以访问该存储器阵列。FRAM 的功能操作与单线SPI EEPROM或单线/双线/四线SPI闪存的功能操作相同。CY15B104QSN与具有相同引脚分布的串行闪存之间的主要区别在于FRAM具有更好的写性能、高的耐久性和较低的功耗。
8 ?5 g3 ?6 I) M5 v4 v: a

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在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。