为您的设计选择正确的内存解决方案

英尚微电子

内存被视为一种必要的技术，然而工厂自动化、自动驾驶汽车、便携式医疗设备、边缘计算和物联网传感器等新应用正在迫使性能要求发生变化。因此用于评估和选择特定应用程序内存的标准也发生了变化。

7 r% H( Z+ ^; E5 NNAND、NOR和FRAM在各种应用中都有不同的优势。由于这些解决方案中的每一个都有针对特定目标应用程序的独特功能集，因此确定哪种类型的内存解决方案可为所需应用程序提供最佳性能和可靠性非常重要。数据中心、计算机和消费设备中的海量存储需要最高的密度和最低的每比特成本，通常由NAND闪存支持。嵌入式计算机存储启动代码和事务数据，通常在NORFlash中可用。数据记录器、传感器和边缘计算机在长时间内捕获快速变化的数据使用专门的技术，例如铁电RAM(FRAM)。
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让我们看看哪些内存与这些工作负载相匹配：
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NAND闪存
' J$ x  J, ^, I. C+ @! s8 QNAND FLASH常见于数据中心、云服务器和消费设备中。它的高密度使其成为这些任务的理想选择，并且由于更好的工艺和几何收缩，技术得到了改进。每GB成本继续下降，读/写性能继续表现良好。但是这种解决方案也存在一定的局限性：每个编程/擦除周期都会对单元的小尺寸造成压力，从而降低其耐用性，并且尺寸也意味着大约10年的数据保留时间低于其他内存解决方案。

NOR闪存
NOR Flash具有用于保留长数据的大型存储单元和字节可寻址架构，因此非常适合用于引导代码，其中包括就地执行系统和事务数据。NOR可靠且易于使用，其最新改进为故障安全操作提供功能安全和安全启动工具。对于汽车仪表盘和其他功能，NOR可以支持快速读取和即时启动功能。但是NOR密度低于NAND。
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FRAM内存
/ b0 O$ I$ C( `& _FRAM非常适合需要通过使用较少的功率长时间连续捕获数据的设备。存储单元交替极性，使用最少的能量来延长电池寿命并提供近乎无限的耐用性。FRAM还消除了能量或电荷泄漏问题，因此数据保留至少可以持续100年。与普遍看法相反，FRAM不会被磁场干扰；然而它的密度无法支持编码和海量存储需求。

归结为：选择合适的内存有助于确保产品的成功。NAND闪存非常适合云计算和个人电子产品中常见的海量存储工作负载。相比之下，NOR Flash和FRAM适用于嵌入式系统和边缘设备，它们通常位于极端和偏远的环境中。随着边缘计算的发展，人工智能的进步正在推动新功能的发展，并提高对提高故障安全操作标准的需求，这反过来迫使制造商提供具有安全和安保功能的NOR Flash和FRAM。内存存储芯片供应商英尚微电子可提供产品相关技术支持.

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NOR Flash具有用于保留长数据的大型存储单元和字节可寻址架构，因此非常适合用于引导代码，其中包括就地执行系统和事务数据。NOR可靠且易于使用，其最新改进为故障安全操作提供功能安全和安全启动工具。对于汽车仪表盘和其他功能，NOR可以支持快速读取和即时启动功能。但是NOR密度低于NAND。