赛普拉斯代理256Kbit串行FRAM存储芯片FM25V02A

英尚微电子

功能概述
+ n, h: l! W! N2 m- `7 O8 IFM25V02A是使用高级铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的；与RAM相同，它能够执行读和写操作。它提供151年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。赛普拉斯代理英尚微电子提供技术相关支持。
  X7 V. C5 i. a2 X5 v
与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。

) N4 e/ A$ i: }/ d由于具有这些特性，因此FM25V02A适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用的范围包括从数据采集（其中写周期数量是非常重要的）到苛刻的工业控制（其中串行闪存或EEPROM的较长写时间会使数据丢失）。

作为硬件替代时，FM25V02A为串行EEPROM或闪存的用户提供大量便利。FM25V02A使用高速的SPI总线，从而可以增强FRAM技术的高速写入能力。该设备包含一个只读的设备ID，通过该ID，主机可以确定制造商、产品容量和产品版本。在–40℃到+85℃的工业级温度范围内，该设备规范得到保证。

特性
■256Kbit铁电性随机存储器（FRAM）被逻辑组织为32K×8
❐高耐久性：100万亿（1014）次的读/写操作
❐151年的数据保留时间
9 @( A% R) A2 b❐NoDelay™写操作
❐高级高可靠性的铁电工艺
; J6 X4 o, s2 N2 m2 `( _■非常快的串行外设接口（SPI）
❐频率高达40MHz
6 w2 Q( P0 i' k❐串行闪存和EEPROM的硬件直接替代
5 ~1 J. b6 m2 C, Q4 r/ E, Q* v# I# r9 q❐支持SPI模式0（0,0）和模式3（1,1）
$ D, o+ _2 J9 S8 F■精密的写入保护方案
❐使用写保护（WP）引脚提供硬件保护
. D7 Y: x: k% ^❐使用写禁用指令提供软件保护
) j  x% t( {. u( d; j( S❐可为1/4、1/2或整个阵列提供软件模块保护
■设备ID
, }- W1 _) X5 ?) ]3 N: o7 j❐制造商ID和产品ID
& e: x- `  R& w- U$ F2 v8 h2 g■低功耗
1 n+ }- l& f* ^- L2 s❐频率为40MHz时，有效电流为2.5mA
❐待机电流为150mA
' |. ]' e4 Z* I* r; H% ]. w❐睡眠模式电流为8mA
2 _, i2 x! o) Q4 B# [■工作电压较低：VDD=2.0V到3.6V
■工业温度范围：–40℃~+85℃
  {7 V  _( ]4 p4 K, [■封装
❐8引脚小外型集成电路（SOIC）封装
❐8引脚扁平无引脚（DFN）封装
" k4 \3 G1 |& N7 O, H$ }/ T+ @■符合有害物质限制（RoHS）
3 G* Y4 S, |2 s' N4 r! T# S
- x' T5 D: O  \. I封装引脚

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; z+ J, G3 H7 s3 L' D* IFM25V02A是一种采用先进铁电工艺的256Kbit非易失性存储器。FRAM是非易失性的，执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

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与串行闪存和EEPROM不同，FM25V02A以总线速度执行写操作。不会产生写延迟。每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。铁电存储器与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。FM25V02A能够支持1014次读/写周期，或支持比EEPROM多1亿次的写周期。