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电子元器件-常用电子元器件基础知识大全4 L9 m- J$ H+ @' A' z& y
一、电阻器(R)8 I) F. p# I4 O w* L
简称电阻,是指具有一定技术性能的在电路中专起电阻作用的元件,可用来调节电路中的电流和电压,或者作为电路中的负载。
6 H5 \0 M! b& p1 G2 @' }0 ~1、电阻的参数:2 m2 I2 Q0 x/ ^: C6 f" r( U
a、 阻值:指电阻的数值大小。0Ω—几百MΩ$ J% b$ c! W: G9 U- b# h
b、 耗散功率:指电阻长期工作时所能承受(消耗)的最大功率。
, ]& f7 \8 j; K |4 C# z' D* v4 P7 }! w/ f, u$ s/ E
2、电阻的材料:
! g% h" N4 p& e, }电阻常用的材料有碳膜、金属膜、金属氧化膜、线绕、水泥(陶瓷)线绕半导体等材料。
6 {3 \3 V0 u9 w1 K+ ]) q& A, M
% Y" t, B0 F* `. A; g* g0 m3、电阻的类型:
+ R2 j1 u: J \6 ~①固定电阻:指电阻值固定不变的电阻6 }' j6 q' B# D" h9 z' V
②微调电阻:指电阻值可以微调的电阻
5 [' D) c& [3 |! m# @1 _③可调电阻:俗称电位器,指电阻值连续可调的电阻4 K2 r" n, d3 A6 Q
④热敏电阻:指电阻值随着温度变化而变化的电阻- E7 P3 S% r6 m5 g
a、 正温度系数热敏电阻:指电阻值随温度升高而增大的电阻(PTC)# B0 k& `: _" x: I
b、 负温度系数热敏电阻:指电阻值随温度升高而减小的电阻
/ P9 g! `! d6 y⑤压敏电阻:指电阻值随着电压的变化而变化的电阻。2 N, w) H7 s+ @1 U0 i& w
⑥湿敏电阻:指电阻值随着温度变化而变化的电阻% ~# z- ~3 P& @' n! Q3 @& B; F
⑦光敏电阻:指电阻值随着温度变化而变化的电阻: J6 ]! S) {6 ~" x3 r# V1 _
⑧电阻的功率表示法:一般大功率(3W以上)电阻均在电阻外壳上标明其功率值,如:3W、5W、7W、10W、20W、30W等,而小功率(3W以下)则部分标明功率,(如:3W、2W、1W、等),不标明功率的则多为功率1W以下的小功率电阻,对于实际使用中,可用功率大的电阻代替功率小的电阻,反之则不能代替,若没有知道电阻功率大小时,在实际应用中可用电阻体积相同或稍大的来代替。
2 E2 S/ F m/ \1 G. s1 d
1 k! j- a0 X4 e9 j: J6 U* T( l5、电阻的阻值表示方法:
l7 k5 W* B4 r7 f/ @+ r" O' `8 k1 i- ^①直接标明电阻的数值和单位,如:1.5 Ω 、160Ω 、1Ω 等。
- k: G$ E3 O. X$ i5 I+ q②直接标明电阻的数值而把单位“Ω ”省去,如:100即100Ω 、1 即1Ω 、22M即22MΩ。( t4 E6 R: P" `( p- ~. a
③用几X几表示几点几Ω ,如:4Ω7、9Ω1即为9.1Ω 、8M2即8.2MΩ 等。
, \5 k7 k- S+ }有些用几R几 代表几点几Ω ,如:1R5即1.5Ω 、3R9即3.9Ω 等。
0 c$ ^+ b5 U. p④电阻值后面有其它英文字母(如:J、K、M等)或罗马数字(Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ)或正负百分之几(如:±5%,±10%,±20%)的则表示该电阻的误差等级。
8 W: t8 v+ \. S* \. ]⑤数码表示方法(片状电阻及部分微调电阻和电位器用此法)
9 ~& W# H3 l! ^用三位数字表示,第一、二位表示有效数,第三位数表示倍乘数(1为101 ,2为 102 ,3为 103 ,4为104 ,……8为 108 ,但9为 100 )把有效数乘以倍乘数即电阻值。(单位:Ω)/ L: {# `1 p( k! M9 {! f
⑥色环表示法:$ d* B8 E! C) f& m- T& q
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. _$ D4 O) R8 i! W6、色环电阻 r2 [! s m: ]" I
用色环表示电阻和误差的电阻叫色环电阻; E. H' T) o' W# @, P
①四色环电阻(为普通电阻,应用最多 )9 N5 u1 F+ I+ S/ U! x" v
第一、二色环表示有效数,第三色环表示倍乘数,第四色环表示误差,(注:此色环多为金,银色或其他色环远些)把有效数乘以倍乘数,即为该电阻的电阻值(单位为Ω ); N* G; c3 g) p* P# W
▲由于电阻值有制造误差,万用表有测量误差,人的眼力也有误差,故用万用表测量电阻值时有一定的误差是允许的,误差在 以内均视为正常。
) v& |! R' q2 m$ r1 j▲用高阻档(RX10K档或1K档)测试大阻值(几十KΩ以上)的电阻时,而导致读数明显变小测量误差增大。
, i& J& q9 c0 J3 ?( U▲对于四色环电阻:前面再个色环表示有效数,即为该电阻数值的前两位,而倍乘数即为阻值的倍数,故把前两位色环的有效数照读(写)下来,再乘以倍乘数即其电阻值。8 n6 a' V/ @# y
▲练习时可把色环电阻的阻值根据色环读数出来,再用万用表电阻档测试,若测试值与自己读出值基本相同(误差 ),则你看色环基本准确,若测量值与读出值相差太大,则可能某些色环的颜色看错,应该重新再测试再看,直至准确为止。! d0 B4 A& f. l( i5 J+ b- P1 y
▲阻值小要用低阻档(X10或X1)测试而阻值大要用高阻档(X10K或X1K)测试,阻值不大不小(中等)可用中阻档位(如:X1K、X100、X10等)测试,但表针指在接近刻度中向左右位置,此时,不但容易看清读数而且读数最准确。
/ e% C0 S* z A▲快速读出四色环电阻: f' E3 e* } k% @9 a: G) ] r r
/ W! T3 R" }) @3 A& ]/ D5 e
第三色环 | 电阻值 | 例 | 第三色环 | 电阻值 | 例 | 银 | 零点几 | 棕灰银金 | 红 | 几点几K | 绿棕红金 | 金 | 几点几 | 红红金金 | 橙 | 几十几 K | 橙橙橙金 | 黑 | 几十几 | 棕黑黑金 | 黄 | 几百几 K | 黄紫黄金 | 棕 | 几百几 | 红紫棕金 | 绿 | 几点几M | 棕绿绿金 | 蓝 | 几十几 | 橙白蓝银 | | | |
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②五色环电阻(为精密电阻,多用在仪器仪表或要求高的电路中使用)
" P. \8 e" R. C9 u0 R第一、二、三色环为有效数,第四色环表示倍乘数,第五色环表示误差(注:此色环多为金、银色或离其它色环远些)把有效数乘以倍乘数即为该电阻阻值(单位:Ω )
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7、电阻的好坏判断
# L" @. W* K9 P( I8 H①对于普通固定电阻用万用表电阻档测试其电阻值时应与电阻的标称值(即电阻上标明的阻值)基本相同(误差<±20%)为正常。若阻值相差过大(即误差为>±20%)则该电阻已变值(即变大或变小,以阻值变大居多,而阻值变小则少见)而不能使用,若阻值变为无穷大(∞)则该电阻已开路损坏,若阻值变为零(极少见),则该电阻已短路损坏。* P: k5 V9 R$ A( I2 Y3 V6 o) z
②对于微调电阻(又叫微调电位器)和可调电阻(又叫电位器)用万用表电阻档测试其两端电阻值应与其标称值基本相同(误差<±20%)为正常,否则该电位器不良或损坏。同时测试电位器中心头(中间引脚)与任一端之间的电阻值应在零至标称值之间连续可微调为正常,否则该电位器不良或损坏。 b5 L, V/ r/ p8 L* W( f+ g
③对于正温度系热敏电阻(PTC),常温下其电阻值应为几十左右为正常,若电阻值过大则内部接触不良,若电阻为无穷大,则已开路损坏,若电阻值基本为零,则已短路损坏,同时该电阻通电加热时其阻值会变得如大(几百KΩ 以上)为正常。 f0 p; y k) ~; m+ H- A) k' c
④对于负温度系数热敏电阻,常温下测试其电阻值应与其标称值基本相同(误差)为正常。若电阻值相差过大,则该电阻不良或损坏,若电阻值变为无穷大,则该电阻已开路损坏。同时该电阻温度越高阻值越小,而温度越低阻值变得越大为正常。否则该负温度系数热敏电阻不良或损坏。9 C1 f; @9 V+ \6 W$ C1 l3 D% [9 `
⑤对于压敏电阻器,由于其工作电压较高(几十V以上)故用万用表电阻档测试时其电阻值应为无穷大为正常(因表内电池电压较低)否则该压敏电阻不良或损坏,压敏电阻在某额定电压以下时,阻值均很大(一般为无穷大,只有大到或超过其额定电压时其阻值才稳剧减少。, ?; [$ t' G8 V
⑥对湿敏电阻,在空气干燥条件下测试其电阻值应减少(几十KΩ左右);而当没较强光线照射时其阻值则变得较小(几十Ω以下)为正常。否则该光敏电阻不良或损坏。( Z! |8 a0 i) y5 U' q! W& I
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8、电阻的故障与检修% J8 k) ~# G& ~8 M& j" Z
①对于薄膜(如碳膜、金属膜等)材料的固定电阻,若损坏时则不能进行维修,只能要更换解决。; I' B8 q) ]- S& P& q, r8 N- d' r: c4 M
②对于线绕电阻,多发生开路性故障,此时为电阻丝在某一位置烧断引起,可能断处焊接好后还可以继续使用,若为水泥(线绕)电阻,则打开外壳查找烧断处并修补好后,再用水泥封装凉干即可使用,当然最好还是换新解决为好。4 x; r0 H# L# B" W7 s- V( A
③对于微调电阻,容易因为使用中间滑动触片与碳膜因氧化而接触不良的故障,此时用电位器清洗剂清洗解决,清洗无效只能更换解决。
?8 | e8 u& L5 ~- `2 M④对于电位器,容易发生碳膜磨损而使中间滑动片(中心抽头)接触不良的故障,此时可调整中心滑动片与碳膜之间位置或用电位器清洗剂清洗解决。 o1 A9 \# D: m! S$ J0 {
⑤对于正温度系数热敏电阻(PTC),最易发生电阻与压片之间的接触不良的故障,此时可调整压片及清洗修复,若电阻体已经碎,则不能修复,只能更换。/ k% E8 p% j' l$ ^
⑥对于负温度系数热敏电阻,若损坏则不能修复只能换新。! ?1 a( V% K3 `5 d6 _( W
⑦对于压敏电阻及光敏电阻,若损坏则不能修复只能换新。- T3 D/ T6 V* e# l3 Z* s5 n
⑧对于湿敏电阻,若损坏时一般只有更换解决,而难以修复,但对于录象机、摄象机(DV)等的湿敏电阻损坏而没有器件更换时,在应急情况下可用一个2千欧左右的固定电阻代换解决,此时将失去潮湿检测功能。
* O* C& K: k* `; r3 n! A, \
7 v5 t3 V* D$ s. V: p4 }" K, Z二、电容器% l& ?/ }% _" U2 ~! \3 B
简称电容,由两片或两组平衡金属板中间一层电介质(绝缘层)构成,是一种可以储存电荷的器件,具有充放电的特性。; O% A) \- j. b( _' t `( Z
1、 电容的电介质材料# W1 G; G2 V0 l7 v1 Y
常见的有空气、陶瓷、云母、涤纶、聚丙烯、铝、银等,电解质等电介质材料。
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* `2 j u- W3 ^& F9 }- t* Y2、 电容的主要电参数4 _: C3 k' n5 G! z* ]- J
①容量:指储存电荷能力大小的量。
: U% A( _0 E1 x4 I容量的基本单位是法拉,简称法(F),常用单位的毫法(mF)、微法(uF)、毫微法即纳法(nF)、微微法即皮法(pF)等。# p7 |2 C8 P7 b- y- J( K
②耐压:指电容长期工作时所能承受的电压 耐压:几V——几KV
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& U ]; F+ P6 S9 S3、 电容的种类1 K G# J3 s/ j# a4 E
①固定无极性电容) J1 j2 J$ _, Q* j, ^' q# f3 T) D
指电容量固定不变无极性电容,如:陶瓷(瓷介)电容、云母电容、薄膜电容(如:涤纶、聚丙烯等电容) s* |8 ]* h6 k5 p
②微调(无极性)电容: z, `- }8 B; J* j T4 G1 b
指电容量可微调的无极性电容。(注:微调电容均为无极性电容 )。如:空气陶瓷、薄膜等微调电容。
1 @* ]5 [7 ]4 Z* c9 N( U& R$ O# q4 G8 Q③可调电容4 K% N: X1 R4 ]8 c/ y! Q0 X
指电容量连续可调(可变)的无极性电容(注:可调电容均为无极性电容)。如:空气、薄膜等可调电容。常见的有单连、双连、四连可调(可变)电容。' I$ b" v' u* E, s+ q# f
* T4 k- c9 v' E* X$ r: r+ S8 ~
④电解电容
; w( L) E1 \. \% s3 B6 c2 ]: _指采用铝、钽、铌等电解质作电介质的电容称为电解电容,电解电容大多数为有极性电容。* S D) w9 v, f: J
注:电解电容没有微调与可调结构,全部为容量固定的电容。& Y' w4 y7 R5 A+ F7 U- a9 E
+ L: o5 z- V a' L4、 电容的耐压表示法
8 W# u4 l& _9 R①直接标明耐压数值和单位。如:(6V、25V、50V、100V等)
2 _' G4 P2 F; e& C. q(注:电解电容一般采用此法,其它电容一般较少用)& X% H; E- v/ i2 }" q- k% i* V
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②直接标明耐压数值而将单位(V)省去。如:25即25V、63即63V、100即100V等1 ^3 j5 S0 G" q
③用数字与字母表示耐压值,由一位数字和一个字母组成,数字表示耐压10的倍乘数,字母表示耐压的有效数,将有效数乘以倍乘数即为此电容的耐压值。, e5 r. A% z+ q6 ^7 b5 L
(注:涤纶电容采用此法较常见,其它电容应用此法少些)% G% x2 M4 }! e6 |% c& P1 q
例: 1A=10V 2A=100V 2B=125V. A$ Q* A: a0 e
2C=160V 3D=2KV 3G=4KV* O; ]4 j" h, Q- h
1E=25V 2F=315V 4W=45KV
& U7 ~( @! b# B) W* f④用颜色来表示耐压
( F) J6 I' k/ F* Y" |2 }部分瓷介电容有颜色来表示其耐压值,即外表不同颜色来表示不同的耐压
8 U& ]/ d9 W' U* Q0 Z⑤部分进口瓷介(陶瓷)电容,在容量下面画有一横线的则为耐压50V,不画横线的则为耐压500V。
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2 p4 x6 A9 e1 n5 S, `+ U⑥有些电容的耐压单位有WV表示V,如:50WV即50V、350WV即350V等。1 j6 B- G# _$ y; h0 Z: z! k7 @
⑦凡是没有用上述方法标明耐压值的,则该电容可认为是耐压25V(或以下)的低压电容。
6 f; L1 c, E! p& q2 w2 v9 b: {; k1 Y2 ] p3 n2 a" R2 [
5、 电容的容量表示方法
6 T% k- r0 U" R$ r8 p" {" d①直接标明容量的数值和单位,如:5PF、33PF、100PF、22nf、0.01uF、47uF、22F等。0 y- p+ f' }& g6 G2 S
(注:电解电容大多数采用此法)
o: F8 _4 n. X. u②直接标明容量的数值,而单位用u、n、p表示uF、nF、pF,如:47u即47Uf。
0 P. c- c4 }& g③用几X几代表几点几X,如:8P2即8.2Pf、6n8即6.8Nf、4u7即4.7uF等。, l5 P- C! d( ], E7 J$ p& A0 ]- M# U
④凡是电容量的数值用零点几或点几乖来表示而没有标明单位的。其容量数值单位为零点几uF,如:0.01即0.01uF等。
6 f& y0 K" m; l⑤电容量的数值为整数而不标明单位的。其单位为PF(注:三位数最后一位不为零的除外)。如:3即将3PF、15即15PF、120即120PF等。
" z( s- A$ c0 m9 h9 g2 Q⑥数码表示法:用三位数字表示(注:最后一位为零的除外),第一、二位数字表示有效数,第三位数字表示倍乘数(1为 101 、2为102 、3为 103 ……8为 108 ,但9却为 100 )把有效数乘以倍乘数,即为电容量,其单位为PF。
`' M1 F3 s) @2 {⑦色环(色条)表示法0 y* K) a. O+ [2 z( o
与色环电阻表示法相同,但单位为PF, U: I- a! X/ }# G0 B4 D
⑧有厂家电容容量单位用大写英文MDF或MF代表uF。如:25MDF即25uF、100MF即100uF。
2 R( l( ^, @: u+ }7 R⑨有些电容在电容量的数值后面标有字母或正负百分之几的则为表示该电容的误差等级。
; r6 E. P0 a2 k+ I' |. g6 L8 ~注:大多数厂家的电容量误差等级用上述字母来表示,但也有个别厂家用其它字母或字符来表示,误差等级在这不一一举出。& A! J) t6 e% K2 K8 e5 A
( B2 D- v. n$ f0 z+ K
6、 有极性电解电容的极性区分
: X+ a1 y3 x' B8 `2 ^5 C% n2 q( S①对于未剪脚的铝电解电容,则长脚端为正而短脚端为负。& J0 D. o' u- r0 ~4 T
②有极性电容在出厂前均要求标明正负极(可以正负极标明,也可以只标明正极或负极端)可以从电容的外壳直接看出。
. ~$ ]( y) N1 f4 v③用万用表电阻档测试正负极(仅供参考) 用万用表电阻档的最高量程档(RX1K或10K档)测试有极性电解电容的正反向漏电电阻(即绝缘电阻大)时,而反向漏电大(即绝缘电阻小)的特点。当测试时表针先向右边摆动(容量越大表针摆动也越大),然后慢慢向左边退回来。若表针能退回到无穷大(刻度左边起始位置),则该电容量基本没有漏电,若表针不能退回到无穷大位置而在某一刻度停下来,则此时的电阻阻值为漏电电阻(即绝缘电阻)反复测试多次(应调换表笔)测试出其正反向漏电(绝缘电阻)。凡是漏电小(即绝缘电阻大)的一次则黑表笔接的电极为电解电容正极而红表笔接的为负极,反之则表笔极性刚好相反。3 P+ P* H( k% p3 W6 P8 q Y7 c4 Q
注:黑表笔接电解电容正极而红表笔接负极测试正向漏电电阻。
3 y; k; m* ]( X* O, q/ n# L红表笔接电解电容负极而黑表笔接正极测试负向漏电电阻。
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7、 电容耐压的测试; x9 s1 U& a, T" K& N
电容的耐压可以从电容的外表直接看出而不用测试,但若有耐压表的情况下也可以用耐压表直接测试出来。0 m% T Z8 ]& j3 U5 h( R
2 A& U$ w; E) B& h1 y0 L8、 电容的容量测试6 {5 O; z7 ^9 A z; I% u) H( G# u# q4 N
①对于合格的电容,其容量为电容外壳上标志值,一般可直接看出来而不用测试。
2 e% m. P2 W6 S+ _②若有电容表(部分数字万用表也可测试电容容量,但只能测试小电容容量而不能测大电容容量)。则可利用电容表直接测试出电容的容量。+ Y8 }* D& c+ w/ k5 B5 `
③部分指针万用表在串入一定电压值的交流电的情况下也可以测量出其电容容量,但误差较大,不提倡采用。
+ x! b5 M! y4 |! {: _④用普通机械式指针万用表也可粗略测试出电容的容量大小,方法是用万用表的电阻档(容量小要用高阻档,而容量大要用低阻档)。调换表笔测试多次,则电容量越大表针摆动幅度也越大,而容量越小表针摆动幅度也越小,根据表针摆动幅度的大小与其标准容量电容比较,即可估算该电容的容量大小(注:一般情况下使用电容的容量无须要求特别精确,其电容只须在一定范围内即可正常使用。一般情况下只用普通指针式万用表进行时电容容量粗略测试即可)。# n# D5 ?% ?- j" U/ P. Y
注:当容量大用高阻档测试时,表针会打超刻度线而难以比较容量大小,此时就降低量程测试以表针不打超刻度为限,方能比较容量大小。% B, M) ?! X. f0 b$ [
▲容量太小(小于0.01uF)则有最高阻档测试均准以看到表针摆动是正常的,对这些电容则难以用电阻档比较其容量大小,只采用电容表测试.3 }- _' A. X4 ?3 z8 I; v9 a
▲若测试时表针指到零欧处停下来不能退回来,则此时电容已短路损坏,而不能测试其容量.2 T7 ]% s2 R0 V$ e' m# Z8 O
& P, n* U9 R. L% |3 {9、 电容容抗. n+ n) j y, Y6 ^$ A* ~
指电容对交流电的等效电阻称为容抗。
5 K" Y1 s/ c) s- Y: N' h S! w/ `0 w) c: O# d* [
10、电容的特性
B) s9 s+ k3 o- D# |+ X7 ?具有通高频阻低频,通交流阻直流的特性。
$ E: _: O) D/ ?" P! n& u8 N3 P6 W% Y% {2 Y# o+ N5 U1 O- B
a)电容的用途
3 I4 \0 i9 e/ E2 W+ |/ ~8 q可用来滤波、耦合、退耦、旁路、调谐、谐振等用途。
9 s0 ]6 B7 Y3 kb)电容的好坏判断0 u4 X) [( q- C V+ o# _
用万用表判断电阻档(容量小一定要用高阻档而容量大可用低阻档)测试电容时(应调换表笔测试多次或把电容短路放电后再测试)容量大表针摆动幅度也越大,且表针摆动后应慢慢退回来为正常(即只有这样该电容才是好的)。若与同容量好的电容比较在测试表针摆动幅度过小功根本不摆动则该电容容量已变小或失效损坏,同时表针摆动应慢慢退回来(容量小退回速度快而容量大退回速度慢)。若退回到某一位置表针停下来则此时的电阻为该电容的漏电电阻。此漏电电阻越大越好(最好为无穷大),此漏电电阻过小则该电容漏电过大而性能不良,此漏电电阻基本为零(即表针在刻度零欧停下来),则该电容已短路(击穿)损坏。对于容量较小的电容用电阻档的最高档均难以看到表针摆动是正常的。但若该电容有漏电或击穿短路现象则可能测试出来(注:对于此类电容有漏电或击穿睦均可认为该电容已性能不良或损坏而不要使用)5 H1 U! B; m; C- N- c) ]
4 H; b5 u( b0 B- z( F! T$ n
①对于容大于1uF的无极性电容,用万用表电阻档的RX1K档或10K档测试时应能明显看出表针向右摆动后较快退回到无穷大位置为正常。若不能退回到无穷大位置则该电容有漏电现象而最好不要使用它,若漏电电阻基本为零则该电容已经击穿短路损坏。
1 W7 C0 m# S2 d②对于容量大于0.01uF(10uF)而小于1uF的无极性电容,用电阻档的最高量程(最好用RX10K档,用X1K档有些电容难以观察)档,测试时应能看到表针较微摆动(即表针摆动很小)后很快退回到无穷大位置为正常,并且不能有漏电或短路现象,否则该电容不良或损坏。
6 ~ g: W/ w$ D6 |: w' B* x/ i( ]③对于容量小于0.01uF(10nF即10000pF)的无极性电容,用万用表电阻档的最高量程(如:测试时均难以看到表针摆动(因容量太小,表笔刚接触电容时已对该电容充电完毕而表针还来不及摆动)是正常的。若怀疑这些电容容量变小或失效损坏则只能用电容表测试或在实际应用中代换法(替代法)即用一个好的代替怀疑已损坏的)进行判断,对这些电容绝对在测试时不能有漏电功短路现象,否则均可认为该电容已损坏而不能继续使用。
" K* B5 \% y2 ~( ?# |④对于有极性电解电容,由于容量较大,故测试时可根据容量大小选择适合的档位量程来进行测试(即容量小用高档而容量大用低档,如:10uF以下可用X10K或X1K档,100uF左右可用X1K或X100 档,1000uF以下可用X100或 ,1000uF以上可用RX10或 ,以上档位选择供参考)测试时应该容量越大表针摆动越大。(同档位置量程比较)并且表针摆动后应该会慢慢退回来正常。表针退回到某一刻度位置停下来而不能退回到无穷大(即表针刻度起始位置),则表明该电容有漏电现象,漏电越小(即漏电电阻越大)越好,若漏电过大(即漏电电阻越小)则该电容性能不良,若漏电电阻基本为零,则该电容已击穿损坏。同时由于电解电容具有正向漏电小(即漏电电阻大)而反向漏电大(即漏电电阻小)的特点。故测试的一般正向漏电较小即可,而反向漏电大小可不考虑,还有对于有极性电解电容,若存放时间过长其漏电也会变大,只要使用一段时间甚至测试多次其漏电也会变小。6 _* U" ?7 D1 D! z' P1 w/ j
2 B o/ d; T/ d6 J7 X1 w三.电感器# b3 V/ p# R+ }4 l
简称电感,俗称线圈,是由线圈绕制而成的具有电感作用的元件。
" u, w7 R* t& w( l
8 [5 c$ V. P, }/ u3 S1.电感器的种类
+ q/ Y+ B$ L' x& `+ N4 @' i①空芯电感:指线圈绕在空心支架上或直接绕制而成的电感。- z: P5 H, L/ `0 z0 ?
②磁芯电感:指线圈绕在磁芯上(即线圈里面有磁芯)形成的。, I* k/ l$ a1 F
③铜芯电感:指线圈绕在铜芯上的电感。
* q* A" i2 Z& z/ G# @. A/ ]$ J④铁芯电感:指线圈绕在铁芯上的电感。5 v* t. W2 d5 J2 W) `
⑤带抽头电感:指线圈上抽出一个或多个抽头的电感。) T M& s: E* t
9 e6 {) i, S4 ?3 u. ?+ f2.电感量
7 n$ t' A2 G# G2 l指电感能力大小的量,称为电感量。电感量的基本单位为亨利,简称亨(H),常用单位还有毫亨(mH),微亨(μH)等。
. g# p" Q+ E& \7 k' L# I6 Q1H=103 mH=106μH
. U5 G2 t/ s1 m7 W
# e+ I6 k) ]4 _' s( K8 `3.感抗(XL); l& f8 F0 A9 ?2 M4 x. b
指电感对交流电的阻碍作用(即等效电阻)。XL=2лfL7 s5 o h# u0 p" _8 n
. ^2 A) p1 {, R. p/ `
4.电感的特性2 r7 \6 C7 H- Z
具有通直流阻交流,通低频阻高频的特性。. u7 m* T/ d/ ]4 z8 Q7 c
+ a4 ]+ K- j6 s5 U# U5.电感的自感作用
* m5 W) K- o. i, I+ ^0 F4 w" [当通过电感线圈的电流发生变化时,线圈将产生一个自感电动势来阻碍电流的变化,这种作用叫电感的自感作用。. C& D0 R+ @4 J! \" B, ^
L$ `2 A$ \$ H& a2 @5 K1 ~( P6 v( z
6.电感的互感作用0 i( t3 P D% D, b" c3 ]
两个相互靠近的线圈,当一个有变化的电流通过时另一个也会感应出感生电动势,这种作用叫电感的互感作用。变压器就是根据互感作用原理制成的。
, b: o6 N: j W% P+ v- x
: p( n% g, Q) V" D7.电感的用途
1 a7 q9 h5 _) x: N# x+ i可用于滤波,阻波,限流,变换,调谐,消振等作用。
) y, G% g) J, e4 a% q, ?9 O# m4 p8 i+ C1 k0 c* R2 u2 R6 c
8.电感量的表示方式
7 B0 x+ `1 i1 c% t# k+ q①直接标明电感量的数值和单位。如:10mH ,150μH。
6 D7 ^& Q9 _, v②用几X几代表几点几X。如:1H2即1.2H,3m3即3.3mH,8μ2即8.2μH。
# x; R1 B2 m; L5 C' C. H7 O③用色环或色点表示法:用四色环(色点)来表示,第一二色环(色点)表示有效数,第三色环(色点)表示倍乘数,第四色环表示误差。(与四色环电阻表示方法相同)$ S3 Y, r7 z# d& w4 B# {4 ?
灰红棕金 即是82X101±5%) N# i1 q* p% C Y2 j' w
④用圈数(匝数)表示6 d/ r% N5 N( ]* s# @! G; i( z
有些电感线圈不标明其电感量而直接标明该电感线圈应该绕制的圈数(匝数),如:3T即3圈(匝),19T即19匝等。5 {2 A/ p7 p& o4 ?) b" E% w
⑤有很多电感线圈是由厂家制定,其上面既无电感量也没有标明绕制的圈数,在实际应用中,只能用相同的线圈更换或按原来规格重绕。
' Q4 c) N, e t- z; Z/ w
& N7 A. f& f [( [( Z9.电感(线圈)的好坏判断# X, Q5 W4 A" d; o) G1 r
用万用表电阻档可粗略测试电感线圈的好坏,方法是测试线圈两端的直流电阻与正常值比较或相同的线圈比较,若电阻值基本相同(误差≤±10%)则可以认为该线圈是好的,若电阻值相差过大则该线圈不良,若电阻值变为无穷大则该线圈已开路损坏,若电阻值变为零则该线圈已短路损坏。3 Z+ K6 q5 f) Y
, J: Q& l5 k0 A+ w# V
10.电感线圈的故障与检修
3 K' ~* ?+ H E5 y" l) |①电感线圈若发生短路或者局部短路的故障时应把线圈拆开按原来规格重绕即可修复。$ n9 A) P. A3 h0 B+ [1 N ^( W6 Q
②电感线圈若发生内部接触不良或开路故障时可小心拆开线圈检查,接触不良处(多为线圈接头处)或断路处重新焊接牢固即可修复,也可按原来规格用新线重绕来修复。, L* [# O; \8 ]/ [7 Q
③在大多数情况下若电感线圈有故障时若有新备件的情况下建议更换解决,若无新备件的情况下才对其进行修复。, V! G# j+ m: E1 O8 n0 P/ v
4 Q2 A* a9 R/ u$ f
四.变压器
z( z8 b, B, t变压器是一种能变换交流电压、电流及阻抗的多线圈器件。- Q$ X) ]3 h4 C. Y) g" N
1.变压器变换交流电压电流及阻抗的关系:
g+ i9 a9 ^4 Q" K( J5 x8 |: _N1,N2分别为初次级的圈数;U1,U2分别为初次级的电压;I1,I2分别为初次的电流;Z1,Z2分别为初次级的阻抗。初级线圈(N1)又叫原线圈;次级线圈(N2)又叫副线圈。: r0 D- ?" E9 Y7 a) N* ]$ T. W# D" r8 l: U
变压器初次级圈数比与初次级电压成正比,与初次级电流成反比,与初次级阻抗的开方成正比。用公式表示为:0 Z. x1 @! l$ R3 j
4 H9 i: p% F4 h' x2.变压器的种类
- F/ `$ g7 f. W9 a①高频变压器:指用于变换高频电信号的变压器。如天线线圈,振荡变压器等。
3 C: p4 Q" f7 k/ C9 e5 {5 @ M②中频变压器:(俗称中周):指超外差无线电接收机中用于变换中颇电信号的变压器。
- ]& G* I: m* ?2 b③低频变压器:指用于变换低频电信号的变压器,如音频变压器。* |" O/ q' p! p3 |
④电源变压器:指用于变换交流市电的变压器。
3 \9 m$ {" ~1 \4 }2 l' w' }7 ]' o⑤自耦变压器:指初次级线圈可共用的变压器。+ f2 E! N5 s% I* V
7 x. a7 K" F& U1 ^6 [9 m3.变压器的好坏的判断
7 z3 {4 q% u2 k; ]8 p$ S5 i( A用万用表电阻档可粗略判断变压器的好坏,方法是测量变压器各线圈的直流电阻与正常值或好的变压器比较,若所有线圈的阻值正常,则可以认为该变压器是好的;若有一个或多个线圈不良或损坏。同时测试不同线圈之间或各线圈与外壳(铁芯)之间的绝缘电阻应为无穷大为正常,否则该变压器也是不良或损坏。1 }% U5 ^/ h1 s9 J( n3 x
1 t9 H# p2 u# Y: o* o0 q4.变压器的故障与检修& A3 L4 l' a* J$ A* U
①变压器初级线圈串联有温度保险丝的变压器,若发生初级开路时,则多为此温度保险丝熔断引起,可更换一个温度保险丝解决,若无此保险丝更换的情况下也可以短路此保险来解决。4 G& T% g1 ~2 a" c
②对于一般变压器,若线圈损坏时,则可按原线圈的参数重绕即可修复。
0 P6 |6 ]0 Q& O2 X: J0 i4 R③在大多数情况下变压器损坏难修复或修复工程太大时则建议换解决。
9 s7 x2 t0 k0 `: u3 H/ o {8 g1 [% L; Y2 F
5.变压器的参数与计算
6 G9 \4 M2 [5 o' \# D2 o①铁芯截面积(S):S=舌宽×叠厚
- H1 Z& x. h- L②铁芯截面积(S)与变压器功率(P)的关系:S=1.25
* i7 S. D3 j$ w& |2 l* h% p! Z2 U③每伏圈数(N):指每伏电压应绕制的线圈圈数(匝数); e' Z$ D. a b5 k2 V" i7 P6 D: G
f为交流电频率,S为铁芯截面积,Bmax为磁感应强度3 ^( l8 I; w, T" t6 v" m4 B6 V9 v! ?
④初级圈数(N1)与次级圈数(N2)
6 i. R& N# N& ^8 m8 }; ^2 ^% l& l! ~N1=U1N(U1为初级电压);N2=U2N(U2为次级电压)
' t% \* b$ z; `6 Y' T⑤线径(d):指绕制线圈的导线直径(mm)。; q" e: x r- _: \5 @' x+ O: X
I为导线的电流(I=P/U)7 V( d ^( w* ^2 ~+ n
初级线径d1=;次级线径
! M1 A: W! }/ y- H; G0 P0 o) Z1 R2 |* } j) S
五.半导体(晶体)二极管(D)! d4 K0 Z3 p' T" y8 z
简称二极管,是一种双层结构的半导体器件,由一个PN结组成,具有单向导电的特性。; C0 V. l x6 h/ y; }
1. PN结
7 Q# T" h7 V6 k0 `① P型半导体:指空穴多数为载流子的杂质半导体。
7 t- V% c. J- D+ q5 B4 T' c+ ]+ X& t$ `② N型半导体:指电子为多数载流子的杂质半导体。( z2 O1 N! k# `6 K2 Q) ?
③ PN结:把P型半导体与N型半导体复合,在其交界面处形成的空间,电荷区(即阻挡层)叫PN结。
$ \ K! M; H6 @④ PN结的特性:具有单向导电的特性。
0 K' ?! {) o" g T* K5 v5 ^
" d) q8 w- I! c) J2.二极管的主要电参数' G- v7 m3 R9 v8 A* Y
①正向电流:指正向导通时允许通过的电大电流。
) P3 q+ \7 p" c( \' k②反向击穿电压:指PN结反向击穿时的电高电压,即是二极管的耐压。& R6 e. x+ D$ c B+ @
③正向导通电压:指正向导通时所需的电压。锗材料(PN结):0.2V(0.2—0.3V);硅材料(PN结):0.6V(0.5—0.7V);化合物材料2V左右(1—3V)。+ n L, n* j- {/ T |9 U2 U
④ 结电容:指PN结形成的电容称为结电容。! G8 H9 K s& t7 V$ [& L
) W& w/ w% r; k+ m4 C! T" z
3. 二极管的用途
5 H7 m+ H5 q* K* \* m O) t) c u ?可用于整流、稳压、开关、阻尼、调谐等用途。4 E9 p: R# b5 \1 @8 m
]( i; [2 u9 H6 y4.二极管的极性判断 q' z) d9 c1 V6 s* O! E
①对于一般二极管,有标志(如色圈)的一端为负极而另一端为正极。" O8 }, u9 i$ N1 H, i
②对于发光二极管,若未剪脚的情况下则长脚为正极,短脚为负极。6 g: `, d. Y2 ?! a& r0 R$ t
③对于二极管,大多数可以从其内部构造直接看出其正负极。( N) w U" Q/ Q, O
④用万用表电阻档判断:用万用表电阻档测试二极管的正反向电阻时,根据二极管的PN结具有正向电阻小反向电阻大的特点来判断。测试时电阻小的一次黑表笔接的为正极,而红表笔接的是负极。( y/ b' A6 l4 |+ K J
3 U9 \* L( O% f* r" q% k
5. 二极管(PN结)的好坏判断2 X2 A) @* d$ m# E
用万用表电阻档测试二极管的正反向电阻时,二极管(PN结)正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。若二极管的正反向电阻都很小或很大则此管已击穿短路或开路损坏。
3 f& N9 Z" \& m* o: U5 M
7 J* x4 S8 R- z8 W2 G% E六.半导体(晶体)三极管
0 ]8 I. f8 S, b+ Z1 @/ S8 A; s三极管是一种对信号具有放大和开关作用的三层结构的半导体器件,由两个PN结组成。$ v/ C* e, ^" W4 B; I
P; ^ N; Y5 R1. 三极管的结构
# @/ X7 ?8 y! f, m6 d三极管分为PNP型和NPN型两种类型的结构。
3 R1 f, v3 e/ s8 v+ \% |E或e代表发射极,B或b代表基极,C或c代表集电极,BC结(bc结):集电结
3 ?$ D: \. G) j8 {. e2 JBE结(be 结):发射结( l6 N6 r9 ~2 _- M( |4 J& c
% ^0 X' d, M6 n3 r! ~" o- c! F
2. 三极管的主要电参数
9 x! n2 }6 X1 a K" G①PCM:指集电极最大耗散功率,即是三极管的最大功率。PCM<1W为小功率管;PCM>1W为大功率管;PCM=1W左右的为中功率管。) e+ \5 Y6 x7 h& v# U5 J
②ICM:指集电极最大电流,即是三极管的最大电流。
' d1 s1 Y v9 }/ ~; t9 M1 L③Bvceo:指基极开路时集电极与发射极的最大反向击穿电压,即是三极管的耐压。
6 P8 b& Y4 s0 [5 A+ s, w1 f④Iceo :指基极开路时集电极与发射极的最大反向漏电电流,即是三极管的穿透电流。
& n1 j) n& T, S⑤fT:指特征频率,即是指在其发射极放大电路中放大倍数下降到1时的频率。
+ ]" y# r6 F2 x7 n/ D- w( ZfT≤3MHz为低频管;fT>3MHz为高频管;fT>几百MHz称为超高频管( i5 g9 A+ M/ G7 g3 {% a
⑥hFE:指三极管的直流放大系数(直流放大倍数)
- Z S$ o+ o5 G* R* T) m' M& @hFE=(Ic为集电极电流,IB为基极电流)
0 V: n' h5 `: ~9 c( ?⑦β值:指三极管的交流放大倍数
5 ^/ N6 @8 Z3 @3 K(ΔIC为集电极电流变化量,ΔIB为基极电流变化量)% e! e+ B# @0 ` g+ N+ s# `5 X
![]() & i4 c* L# M4 T& W. A; H
3.PNP型与NPN型的区分
$ m5 T) ?5 ^( {5 `: P$ V( F- U用万用表电阻档测试三极管各脚之间的正反向电阻时,凡是有一次红表笔接固定一个电极是,黑表笔分别接其余两个电极电阻都比较小,则此管为PNP管(简称P管),且红表笔接的电极为基极;若凡是有一次黑表笔接固定一个电极,红表笔分别接其余两个电极电阻都比较小,则此管为NPN管(简称N管)且黑表笔接的为基极。' E) ?3 p0 [. B1 f/ A4 f% G5 ?
# v+ G4 u Q8 S0 f- ~9 t7 j4.三极管的三个电极区分
3 v5 N$ U/ e# w2 ^/ ^* N根据上述方法判断出PNP与NPN管且找出了基极后,余下的两个电极可用下述方法判断,方法是:万用表置电阻档的RX1K档,红黑表笔分别接余下的两个电极,若为PNP型管则在红表笔接的电极与基极之间并接一个100K左右的电阻(此电阻可用手指代替)此时表针若有明显变化,则红表笔接的电极为集电极,而黑表笔接的电极为发射极;若此管为NPN型管测试时表笔极性刚好相反,其测试方法与PNP型管完全相同。6 k( ^; |% t, b+ i
: L) A5 m1 p$ K& x. f' S; o3 T
5.三极管的放大作用原理
2 u3 `; Q: G$ Z7 o基极电流有微小的变化,集电极电流就有较大的变化,即用小电流去控制大电流从而实现电流的放大,这就是三极管的放大作用原理。9 U. ]9 f1 C! }6 m
/ h: B H: _, i/ f. D6.三极管的好坏判断) e5 J" g& T, {
用万能表电阻档测试三极管两个PN结(发射结和集电结,即be结和bc结)的正向电阻越小(用Rx1K档测试量时为几K欧左右)越好,而反向电阻越大(用Rx1K档测试时为几十K欧以上,且大多数管子为无穷大)越好,若两个或其中一个PN结的正向电阻过大(如Rx1K档测试有几十欧以上)或反向电阻过小(如Rx1K档测试小于几十K欧)则此管性能不良,若两个或其中一个PN结的正反向电阻都很小(如基本为零)或都很大(如基本为无穷大)则此管由于两个或一个PN结击穿或开路损坏。同时集电极与发射析之间的正反电阻越大(最好为无穷大,但有些管子在几十K欧以上)越陷越好。若此管电阻过小则该管穿透电流过大而性能不良,若此电阻基本为零则该管集发之间已击穿损坏,还有用HFE档测量或用电阻档估测三极管的放大能力(HFE值),管子类型用途不同其放大能力也不同,但应有放大能力(HFE值应有几倍以上,而没有放大能力的管子则不能用。)
. t% l2 z& A2 N8 }! o( x/ K3 R7 C7 [. `& m4 w! u% G& |, ]
7.三极管的故障与检修; E s3 T- t9 N) M$ a |' W& ?
①.三极管性能不良或损坏时,则不能对三极管进行修整而只能换新或好的三极管解决。0 D& }7 ^0 @3 Y! r/ H9 Z; p
②.三极管损坏时,应尽可能选择用同型号的管子更换。若没有同型号管子时,则应选用性能参数相同或相近的管子。4 K: T5 \1 m5 Z% V ^
③选用代用管子时,其参数Icm,Pcm,Bvceo等参数应等于或大于原型号管子方可代替。( N' g+ S- E! D$ C
④低频管只能在低频电路中应用,而高频管不但可以在高频电路中应用而且可以在低频电路中应用。故在实际应用中高频管可代替低频管,反之则不能。( E5 v; K3 W# w% k! v& D* T1 V
, M! L% E' m D9 {$ c% n
七.半导体器件的命名方法# [$ [4 k* L, y
1.中国7 x: J/ a8 g6 [( D- t
由数字---字母---字母---数字---(字母)组成( y6 p' M: X9 q( o- r0 [( o
① 第一项数字表示电极数目,如:2——二极管,3—-三极管: t3 l: G& P" d! q9 P; `6 v% q
② 第二项字母表示材料和极性,如:A——锗材料PNP型 B——锗材料NPN型; \6 S( w7 }8 `: I- d+ C
C——硅材料PNP型 D——硅材料NPN型 E——化合物材料
- y) d: T6 Z T7 H( }% R7 I8 J2 ~③ 第三项字母表示器件的类型,如:
# r% d, J$ u& DG——高频小功率管 A——高频大功率管 m) F9 I S6 d- n
X——低频小功率管 D——低频大功率管
, S0 d$ A3 U5 ?# \( M2 Y" o" WK——开关管 W——稳压管 P——普通管 E——整流管 N——阻尼管 B——变容管4 ?5 m4 K+ P7 P& H8 ]& H( B% T
④ 第四项数字,表示登记序号
9 s D) k" S1 B$ T# M⑤ 第五项字母,用字母A,B,C,D等表示原型的改进型
: S$ W. W+ `- j4 e. S. a2 L7 `6 m例:2AP9——锗普通二极管 2CW56——硅稳压二极管 3DG6B——硅NPN型高频小功率管为3DG6的改进型 3AX31——锗PNP型低频小功率三极管 3BX31——锗NPN型低频小功率三极管 3CD511——硅PNP型低频大功率三极管 3DD15——硅NPN型低频大功率三极管
7 y" e7 Y/ z) a+ p' {' A8 V1 m1 e# Y& n: A. U4 g
2.日本7 V, J$ D( M, W" g
由数字——字母-——字母——数字——(字母)组成
" }" U% d8 W- B @4 ~① 第一项数字表示为:0——光电晶体管;1——二极管及整流器; 2——三极管及可控整流器。
3 Q6 K8 ]0 ^1 o1 t② 第二项字母“S”表示为半导体器件。
9 m- r( _. M& J③ 第三项字母表示器件的类型,第一项为0,1的无此第三项。( u1 |7 m0 }% L( [$ [! Q
A——pnp型高频用 B——PNP型低频用 C——NPN型高频用 D——NPN型低频用' J- M% x. v' i! [# e( ~& [
J——P沟道场效应管 K——N沟道场效应管
' n8 ?$ E2 r1 ~" u, ?1 t- W④第四项数字表示登记序号。
1 \) |9 I# i9 ^' q$ g/ i# F# J9 p⑤第五项字母在区分原型与变型时候使用,用字母A,B,C,D等表示原型的改进型。# Z+ G! F/ J) ^+ ~) U* d5 i% k6 V
例:2SC1815,2SA1015,2SC1942,2SD3298A,2SD1555,2SK134等。注:日本型号三极管为了标记方便常省去型号前面的“2S”,如:A1015,C1815,C3298A,D1555等。
5 S% t1 P+ R- }( Y7 m( d" Q# }
# a$ G) P/ m- u$ D- C7 s7 ]3. 欧洲, n }8 B* I, d" c6 n
由字母——字母——数字——(字母)组成。
/ J7 \% h& w0 f& S' f4 ~" M- y① 第一项字母表示器件所用的类型。3 S, X+ @. N+ P4 e% O( T* g' t) a8 B ?
A——锗材料 B——硅材料
$ X( \" f s' ^ J! m②第二项字母表示器件的类型。
) R; V" r2 Y" ?' S1 v+ S0 CA——检波,开关,混频三极管;B——变容二极管;C——低频小功率管;F——高频小功率管;D——低频小功率管;L——高频大功率管;S——小功率开关管;U——大功率开关管:E——稳压管;Y——整流管。$ Q0 y9 B0 ^2 l+ k* ]$ G
③第三项数字表示登记序号。( J: d& h- U7 c& B* d M
专用器件用一个字母二位数字表示登记序号;通用器件三位数字表示登记序号。0 P/ ~! ~6 {; E( J) W
④第四项字母,经字母A,B,C,D等表示原型的改进型或按某数分档的标记。/ d: F, k' `6 s: P
例:BF198——为通用器件,硅NPN型高频小功率三极管;BUY71——为专用器件,硅NPN型大功率开关三极管。
- t5 s7 B0 E4 o6 }$ I; t
9 ^& V4 `+ q; U4. 美国 Y5 v$ L8 Z8 S7 j, A( a7 _
由数字——字母——数字——(字母)组成。
) W, X! E* M; n1 k+ l! t; ^① 第一项数字及第二项字母“N”表示为:1N——二极管及整流器;2N——三极管及可控整流器;3N——四极管。- P9 W4 H3 `8 ^; }; i
② 第三项数字表示登记序号。
( N( q3 K4 D S- t, A* c③ 第四项字母,用A,B,C,D等表示原型的改进型。例:1N4007,2N3055等。
' R1 i | y. T5. 韩国三星公司的数字三极管,如:9011,9012,9013,9014,9015,9016,9018等。6 K! J3 l- j7 C+ m, h; t [
5 C, i! O+ b; q" y% t m9 T
八.集成电路(IC)& y$ W0 _- t. {
集成电路(integratedcircuit,港台称之为积体电路)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,这样,整个电路的体积大大缩小,且引出线和焊接点的数目也大为减少,从而使电子元件向着微小型化、低功耗和高可靠性方面迈进了一大步。! W9 W0 f# A* F! i
! H. R" W$ c: y+ l7 e' m. Q" M* s
集成电路具有体积小,重量轻,引出线和焊接点少,寿命长,可靠性高,性能好等优点,同时成本低,便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用,同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。用集成电路来装配电子设备,其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍,设备的稳定工作时间也可大大提高。
1 A. O$ y" C; d' d& ~2 m它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表示。0 A1 b5 a3 j/ ]7 ~. n4 J, E$ l0 b
, }/ k2 M8 o: b* w3 ^1.集成电路的分类/ H, {9 W( }+ g, D$ b; p
(一)按功能结构分类4 `2 u/ l! [; q) ]' h4 R
集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。
) z& p C0 n2 o- e1 a9 | L; L模拟集成电路又称线性电路,用来产生、放大和处理各种模拟信号(指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等),其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号(指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号)。! L* [0 U- E. ~# o+ e/ W) _, A! k
. k; g6 n; x7 a" K3 h
(二)按制作工艺分类/ l* R7 d" k! H
集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。! b- q, {* O9 w8 v2 M4 D
膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。. L m) X) |( z. D# j
6 M$ g( r; B+ k' c(三)按集成度高低分类
6 X7 W! J2 g, T; t9 [9 ]集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。8 p2 X' L. I' [" Z5 u7 J4 Z
$ m* Z. S4 l5 y; U+ R" N
(四)按导电类型不同分类
5 T, h; v5 c9 U7 U+ l集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路,他们都是数字集成电路.* W1 p7 w. U, ^, A
双极型集成电路的制作工艺复杂,功耗较大,代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单,功耗也较低,易于制成大规模集成电路,代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。; ~: N; i$ S" R I8 o$ k
7 q: m3 `) s c; t/ \% u
(五)按用途分类
' M1 A# D" w: Y: s5 ^集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。9 \6 y! m; F+ G O
: K! t: ~3 m9 Z
(六)按应用领域分1 |8 Y! v2 S9 g5 V( J
集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。! a+ C% E" R6 [' l1 D2 r
: @4 J1 l/ ^/ N$ g. n4 K# V* A
(七)按外形分
% N3 v, | U/ ]$ V集成电路按外形可分为圆形(金属外壳晶体管封装型,一般适合用于大功率)、扁平型(稳定性好,体积小)和双列直插型.. u \5 p% t: u9 t' V
% Z& E% g7 s+ j$ o5 [; |6 C: u5 W0 a2. 集成电路的封装种类2 _! n( o7 _+ Q- z- c' s) i. Q1 R% R
①直插式封装
$ J1 v. p: ]4 K" M+ r: U直插式封装集成电路是引脚插入印制板中,然后再焊接的一种集成电路封装形式,主要有单列式封装和双列直插式封装。其中单列式封装有单列直插式封装(SingleInlinePackage,缩写为SIP和单列直插式封装(Zig-ZagInlinePackage,缩写为ZIP),单列直插式封装的集成电路只有一排引脚,单列曲插式封装的集成电路一排引脚又分成两排进行安装。双列直插式封装又称DIP封装(DualInlinePackage),这种封装的集成电路具有两排引脚。适合PCB的穿孔安装;易于对PCB布线;安装方便。双列直插式封装的结构形式主要有多层陶瓷双列直插式封装、单层陶瓷双列直插式封装、引线框架式封装等。
& i7 F8 d' l9 Q/ H" _3 y②.贴片封装4 L" \, I m# C( g) I* \
随着生产技术的提高,电子产品的体积越来越小,体积较大的直插式封装集成电路已经不能满足需要。故设计者又研制出一种贴片封装的集成电路,这种封装的集成电路引脚很小,可以直接焊接在印制电路板的印制导线上。贴片封装的集成电路主要有薄型QFP(TQFP)、细引脚间距QFP(VQFP)、缩小型QFP(SQFP)、塑料QFP(PQFP)、金属QFP(MetalQFP)、载带QFP(TapeQFP)、J型引脚小外形封装(SOJ)、薄小外形封装(TSOP)、甚小外形封装(V S O P)、缩小型S OP(SSOP)、薄的缩小型SOP(TSSOP)及小外形集成电路(SOIC)等派生封装。/ s, C* z8 R) T8 w! d' s& p
③.BGA封装 (Ball Grid ArrayPackage)
3 t3 }; S. S) q/ [1 ?& k: z) R, c又名球栅阵列封装,BGA封装的引脚以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面。采用该封装形式的集成电路主要有CPU以及南北桥等的高密度、高性能、多功能集成电路。
; L3 v" p' t2 z9 WBGA封装集成电路的优点是虽然增加了引脚数,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高;组装可用共面焊接,可靠性高。2 L* z% E3 Z, b5 \9 V" a
④.厚膜封装厚膜
) w `6 i; x6 E4 z集成电路就是把专用的集成电路芯片与相关的电容、电阻元件都集成在一个基板上,然后在其外部采用标准的封装形式,并引出引脚的一种模块化的集成电路。
9 l R" |6 V. C: D# f& d F5 m& Y! A, O$ Q. R8 N5 W
3.集成电路的好坏判断
! _. I2 Q9 q2 M% [; O& I9 ?①测量内部电阻法
, g# x( p4 V2 ]1 x e用万用表电阻档的R×1K档在IC非在路的情况下测量其各脚对地或各脚之间的正反向电阻与正常值或好的IC比较,在若电阻值基本相同(误差≤±10%)则可认为该IC是好的;若部分或全部脚电阻值相差过大则该IC不良或损坏。; H; ^' B! R3 z6 A" \
② 测量在路电阻法
+ r+ X- H( l1 ^6 Z0 @* M2 z用万用表电阻档的R×1K档在电路板上测量IC各脚对地(指电路板的地线)的正反向电阻值与正常值或好的电路板比较,若电阻值基本相同(误差≤±10%)则可认为该IC是好的;若部分或全部脚电阻值相差过大,则在检查部分或全部引脚外围电路元件正常的情况下,则该IC不良或损坏。7 U( d8 l9 ~0 u$ V1 |- a' t
③ 测量直流工作电压法 a) K$ y2 O0 T* S/ ^2 h
用万用表直流电压档测量IC各脚对地的直流工作电压与正常值或好的电路比较,若电压值基本相同(误差≤±10%)则可以认为该IC是好的;若电压值误差过大则在检查相应引脚的外围电路元件正常的情况下为该IC不良或损坏。
3 d% a# e: |* ~( ]3 e. {) I④ 代换法3 b9 ^, x4 R5 F9 ^$ m l
在检查集成电路外围元件正常情况下IC却不能正常工作,则可用一块好的IC代换怀疑已损坏的IC,若代换后电路能正常工作则说明原IC是不良或损坏;若代换后电路还是不能正常工作则原IC有可能没有损坏,应继续检查外围电路元件。6 }) z) J, C+ u& k# {: ]) a) e! j
) K+ d, t, ~! H# @2 O2 g3 G九.扬声器
8 E& X+ [( \8 ?: G& Y2 m5 r- T俗称喇叭,是一种电声转换器件,能把音频电信号转换为声音。5 {" f$ u: q; \* w" g# x( u
1. 扬声器的种类2 X/ l& {- `1 _+ T' X2 O
①压电陶瓷喇叭:由压电陶瓷片组成,是根据压电效应原理发声的。! j. O9 x j* V. W$ z
②电动式喇叭:由永久磁铁,音圈,纸盘,振膜等构成。其发声原理是:根据同性磁极相互排斥,异性磁极相互吸引的原理,当音圈通入音频电信号时将产生音频电磁场与永久磁铁上产生的磁场产生相互作用力,于是音圈带动纸盘运动,从而使纸盘振动空气发出声音。
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2 R% f8 `" ~. e# c2.扬声器的主要电参数
2 |9 b+ j. j/ {5 Y2 J3 ]9 P7 ~①功率:分为最小功率和最大功率两种' b; U* {' U" U! T. K, o7 z4 M' D
最小功率(PMIN):又叫不失真功率,指失真度在额定范围的功率。
$ ?6 Y+ D, I9 M+ V1 W最大功率(PMAX):又叫峰值功率,指喇叭所能承受的最大功率。
+ @9 F/ e* X1 O8 W②阻抗:指喇叭对音频电信号的等效电阻。阻抗=音圈的直流电阻+音圈感抗。+ {* Y+ {: |. Z& o+ A% Y/ d
③频率特性:指喇叭重放声音的频率范围,全音域高音,中音,低音等。声音的频率范围为20Hz——20KHz。
8 M1 _% x, q, i& }, a④口径:指喇叭纸盘的直径。( T8 f7 N+ E' A4 {
; `5 I! B- M2 c+ }
3.喇叭好坏的判断) h, Y3 Q# D P3 k
用万用表电阻档的1Ω档可粗略判断喇叭的好坏。方法是:测试音圈的直流电阻应略小于喇叭的阻抗值且测试时喇叭应能发出“喀嚓”声为正常,若有直流电阻过小则音圈短路损坏,若电阻值为无穷大则音圈已开路损坏,同时用手轻按纸盘应弹性良好,不能有杂音,否则该喇叭也不良。
; R& }% h! {: Q8 h$ n! F7 r0 e0 q, Y, [3 _) U* {$ p7 B& I# Y
4.扬声器的相位判断
$ k2 i' B% w; M' O5 T0 N) Z: X+ \① 从喇叭接线柱可直接看出,有加号(+)的为正相位,减号(-)为负相位。, o! f- ^' |- x3 G1 u
③用万用表直流电压(电流)档的最低量程档(如:0.5V档)红黑表笔分别接喇叭接线柱两端,再用手轻轻按下纸盘,若表针会轻微向右摆动则表笔极性刚好相反。
' \: `) M# ? b. g4 Q% P' p; B8 s- h9 }3 }& i
5.扬声器的故障与检修7 h+ k. g* O+ z! S5 C
①扬声器有故障时建议更换一个同型号的新扬声器解决,但在没有新的扬声器更换或想降低修复成本时也可对其进行修理。5 S, f) l, J4 E; G) p$ C+ d( ]
②音圈引出线折断的修理:扬声器使用日久或引线质量太差时,由于纸盘的振动而极易引起音圈引出线折断,此时可用相同或相近的喇叭专用的编织软线更换即可修复。注:请不要用其它硬线或花线来更换,否则不但音质受影响而且引出线也很易再次折断。
- R e" Q$ W' z6 D5 m③若为音圈损坏时,则应用ΩΩ天那水(香蕉水)浸开防尘罩及旧音圈再用同型号音圈(也可以自行绕制)更换来修复,更换音圈等应按原来音圈的位置来用粘合剂粘固新音圈,若难以分别原位置时,也可以先装入音圈连线再通入声音信号调整音圈的位置使声音最大音质最好然后用粘合剂粘固凉干后即可修复。: l6 [/ U- b {5 L/ E4 L# I5 Z
④若纸盘损破时可用相同纸盘材料修补破损处即可修复,若纸盘损破严重时则只能换一个新纸盘解决。
) ]9 }! {0 I# d% [ O5 w3 n( \⑤若铁芯与永久磁铁松动移位导致与音圈相碰时,在业余条件下一般难以修复而建议更换一个新扬声器解决。
- _" K1 [/ M; N$ [/ T9 t8 O⑥对于球顶高音喇叭,由于音圈与纸盘(振膜)为一个整体,若音圈损坏时,则拆开旧音圈总成来更换一个新的音圈吝惜成即可(其修理最简单)。
& ~6 S; [, v5 T" \8 D7 y: ]9 ^; R. n+ ^( W1 i' W
十一.晶体与滤波器! O8 Q8 k* ?% ]+ | I0 {
1.晶体:又叫晶振,晶体振荡器,谐振器等。由石英晶片或压电陶瓷片组成,常用于振荡电路中。. o7 ?" R) a7 o" q1 h7 N
2.滤波器:常见有晶体滤波器和陶瓷滤波器,用于对某一频率的信号进行选频或滤除。# P8 _8 J& b# Z& f; z
3.声表面滤波器:由叉指换能器组成的% b% b+ }+ {9 H2 J, a4 r
6 P! |% H% F: }, }3 M- ^- L# V十二、复合器件+ A9 T; G4 W1 e1 |) P- p9 n7 s$ ~0 w
指由多个相同或不同器件制造或组合在一起的器件,称为复合器件。: Z/ T. B( w2 j, E8 a$ |0 g" Z6 z" ~
* Z$ v# g( t1 a/ _; e" Z. L
1.电阻复合
' {2 M$ s. O" U( S: q( i) y8 E7 P采用多个阻值完全相同的电阻把一端并接在一起作为公共端构成的电阻排。. X2 Y: S- m/ A D
6 |7 _0 A: K, p2.电容复合8 j3 ~1 Q$ K b7 | [# [3 @. B
采用多个容量完全相同的单体电容把其一端并接起来作为公共端构成的电容排或者在同一制造中封装在一起构成。 N* y: l/ A {0 d- ]: U% D% g
! Q4 }7 n& x `' V9 i) e
3.电感与电容复合2 r( G, p H8 Q
指把多个电感线圈与电容按一定连接方式连接在一起构成,多用于滤波器。
& w3 g1 o( E* ~; q) \5 t U: @: b1 b. f3 p5 C
4.半桥堆
0 S8 D& L( L( J; X6 m由两个整流二极管封装在一起构成,多用于整流电路等。3 Q# j3 q: _ b/ R' y
7 q/ b% c p- S0 r* e
5.全桥堆
2 r7 O7 p, E/ S( E) |( Z7 x7 ~$ N简称桥堆,由四个整流二极管按一定方式连接在一起构成,常用于整流电路中。9 R+ \1 W0 l( ~3 `" a9 w8 f
" r8 @5 [* ^2 I& m% ?! G6.带分压电阻(带阻)三极管' i) a4 E0 \& B2 f, G( ~8 M
指基极与发射极之间接有分压电阻的三极管。; `& U# }0 _) p9 L: X) I4 Q
: x0 `( A: U1 t0 g9 K C3 B1 Y9 v
7.带阻尼二管及分流电阻的三极管% W1 `: K- ~( n0 G2 {- W- ]$ a$ {7 N
$ b# i4 M+ ]4 R# @$ G" W( s0 _3 L8.复合管(达林顿管)' L2 V" ]% ]2 `, U* r, d
由两个三极管复合而成,复合管的极性与前管极性相同,复合管的放大倍数为两管放大倍数乘积。
4 o) ], F8 Z% D! q$ B9.光电耦合器
8 M4 p/ M+ L9 I0 K3 m把一个发光二极管和一个光敏三极管封装在一起构成光电耦合器。
: u1 W. s; W3 q1 e# j9 x常见有四脚光电耦合器和六脚光电耦合器 1 E( a: f4 S0 z5 N
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