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CST粒子工作室可以实现电磁场、PTS、PIC之间的耦合;粒子面损耗与热求解器耦合。
: h. }# g9 u# E! n3 P: R+ S) g% S* {/ _! W" }
电磁场耦合
& ~" |+ z* ^5 w: Q$ B) ^4 L
$ n$ p7 c% w: L7 ~$ } ZCST粒子工作室是专门用来模拟带电粒子通过电磁场的轨迹的。计算轨迹采用以下三种技术中的一种(或多种):
5 e/ J$ J% `. d% h$ ?: Z9 M) K
" I6 X- y+ w# O# }' x: `1.经典电磁场计算
$ p4 [/ N$ r3 w; ?
( U9 W, x- D: `& H) {& C4 N* w' PCST粒子工作室可以用EM的低频和高频求解器作为输入。
6 t1 ^9 [. n8 d1 Y/ p. E+ q: E8 F& H* \
-Electrostatics Solver静电场低频求解器:一般电子枪中计算加速场、阴极射线管中束流导向单元的偏转静电场。
9 s+ b/ A4 O! @- Z4 A" W8 {
/ p- l6 D6 Y/ O. g/ a1 X-Magnetostatics Solver静磁场低频求解器:耦合磁体用,螺线管、多极磁体等。
# @+ R4 U: S6 p/ K4 e7 _5 C3 T
' Q% e% K5 ^+ Y. k% ]: V6 i$ O-Eigenmode Solver本征模高频求解器:计算腔内谐振场。( M% I7 h8 Z/ j
1 G, X+ H' m0 Y* O-Time Domain Solver时域高频求解器:用3D场监视器追踪粒子。典型的应用是次级电子倍增分析。1 q T. l2 q# p2 a/ D- e; T
/ ~* z/ H/ x+ W) `% m Z6 Q2. 解析定义磁场# V5 c9 w* J2 ]3 x( X8 L4 _, Q1 c
/ L' o6 ?) y. Q: j9 S/ Q直接定义静电解析H和B场分布。有如下几种方式:5 u6 H% f- T9 w' Y2 J
/ ?1 C8 o! l' [5 Z-直接定义整个求解域内H的恒定值
/ F9 v4 U( Z& c V1 T. S/ F5 c
: s8 h8 @0 N5 f2 _-直接定义整个求解域内B的恒定值7 R$ c8 G$ Z, h9 h6 Q
$ ]% q$ F& T, \, e; t9 f5 h( p
-旋转对称磁场,其特征是沿全局或局部坐标系的Z轴定义的一维切向磁化矢量。& C2 p! l& }9 e! x3 t
9 c; | |0 [. j4 Y沿着Z轴的B值直接定义:+ k% i$ C Q7 r! l
# R8 _' K2 w+ C4 ^- U0 R! Z& W% m+ K特定一个Z轴位置的B平面云图,这样就很直观了:
( \. T0 f/ n! |' |* J2 L. _2 K+ W% w! R/ w1 Y; S( L* x
3. 导入- ASCll或从其他project中; P% s7 ]6 W. u Q* `
% E: x5 i& a9 S从ASCIl文件或从另一个CST project中导入。导入的多个场可以叠加。在Simulation- Sources and loads- Source field -Import External field中导入:
' n) _$ `) C% Z2 X! n% Q0 ?5 D9 ~% h' h+ N: d) a) t
可以导入本征模,E, H或B,网格可以不同。
6 l! w2 ~5 Y- F/ w7 U4 U* w
7 J3 D1 z0 h! c1 kParticle InteRFaces粒子接口
+ Q7 `) S* I8 O% E; i4 |2 B# h5 @4 N4 s& L* i( X
粒子接口用于耦合PTS、PIC仿真project。有两种类型的接口可用:Export Interface和Import Interface。# U! ]1 H/ S. ?' w
2 Z0 b5 h* ?$ N: z. i假设有一个电子枪project,它必须通过使用粒子接口连接到后续的PIC或PTS项目,大致步骤如下:/ F8 q/ G$ W, R$ e$ G: S
/ ?( Y* ]- u) l8 t' t$ z% K" `
1.打开电子枪project
$ a) K8 q* _1 ^: \/ h4 i
8 M/ P1 n' v! g' C2.定义一个Exprot Interface
3 t9 [& O9 w( _0 P0 ?. O
2 N* s% K. s) W m7 A# V3.运行电子枪project的计算,生成.pio粒子数据文件
- ~+ M4 L3 J) b7 M$ o0 j
9 h% @9 W) s }- Z. q- ~4.打开后续的PIC project( I( ^$ K' ]) }% K. _0 Y
' A8 j3 ~+ Y8 Z- ~1 Q5.定义Import Interface
1 C: i; K! I6 |" ^& t7 V
! q# Z% s! `8 G/ { r! i6.运算后续的PIC project" ?) a) }- Q4 u
& r" k' N1 o0 z
导出粒子束面损耗
* ^' e; z: `+ K J, e, c, L7 s: p+ n3 @
粒子与物质面接触产生损耗。例如,对于医疗应用来说,这是一个非常关心的内容。设置这个也很简单,在求解器设置中打勾:2 R& ~, ^" u1 W: j0 E! L. s. p
) g) K C" i7 o
由于热耦合用到的是平均功率,因此必须定义时间周期。
5 R( m$ y6 z/ Z8 ^, N6 ? |
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