TA的每日心情 | 奋斗 2022-9-20 15:45 |
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签到天数: 416 天 [LV.9]以坛为家II
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TVS管和ESD管的区别是:工作原理是一样的,但功率和封装是不一样的;ESD主要是用来防静电,防静电就要求电容值低;TVS泄放功率大,具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力,主要用在电源,TVS的电容值也比较高。ESD简介1 s9 P; C$ _- Y2 T
一说到静电,就谈到了ESD管、TVS管、二极管、压敏电阻、电容……很多可以用于防静电的。但是实际对于这些用途和区别,还是不容易区分。或许适当的场合选择对应的器件,才是王道。但是,实际的设计中,应该没有考虑这么全面的。
( j, M9 {. V# r% @7 ]9 m首先说下几个概念:ESD静电放电(Electro-Staticdischarge)和TVS瞬变电压抑制二极管(Transient Voltage Suppressors)。7 }" l6 Z: X/ j+ \& y7 ]9 J
实际根据行业记载ESD是指具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触引起的电荷转移。国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD(即TVS管也属于ESD)。但是现在很多有ESD管和TVS管的描述。那么ESD管和TVS管有什么区别呢?$ l% i; p; Z3 `2 b7 P
实际ESD管和TVS管工作原理是一样的,但是" R: j5 a& ~+ g
TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。当出现浪涌、ESD等电压从几伏到几十千伏甚至更高时,TVS管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10的负12次方秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低回阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受浪涌脉冲的损坏,起到了TVS瞬态电压抑制。
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ESD管与TVS管7 l" w5 j+ z( Y4 p& ]8 H2 B) z! V& Z
TVS管和ESD管的对比:' C8 U4 ~: a7 K5 A9 v# y6 x, {0 I$ q
>>ESD二极管应用板级防静电,然而防静电要求电容值低,一般在1--3.5PF之间最好;4 |4 ^& A" K$ E) H
>>TVS管用于初/次级保护,TVS管的电容值却比较高。" T4 u, ?) q( G/ r2 B! Y
>> ESD二极管看的是ESD二极管抗静电等级LEVEL,高速的USB和I/O非常重视ESD二极管的C(负载电容);
/ R8 T1 c8 _2 i" z/ z- ~+ w>> TVS管看的是功率和封装形式;% q( h2 l' |6 F: o
>>TVS管是瞬态抑制二极管,具有很快的响应能力和强大的浪涌吸收能力,主要用在电源输入端用来吸收浪涌的;
4 {3 ^" Y3 f) S( s0 {* _>>ESD是静电放电管,主要用在关键引脚上起到静电保护作用。0 B; c; V! A0 f- |( d9 G+ W) s7 |
>>TVS管有两个引脚,是两脚器件;TVS主要用在电源输入端起到防浪涌的作用,瞬间吸收浪涌电流对后级电路起到保护作用。
1 ?4 |4 i: U, D6 N. T; q>>ESD有三个引脚,是三脚器件。ESD管两个三极管串起来后,引出三根引脚。ESD二极管的正负接在电源引脚,公共端接在被保护引脚上起到释放静电的作用。# p8 B" j7 L. Z
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TVS管与其它器件
" |7 S( o0 f; Y- v2 a优点:! C/ u0 c2 d; w% d
>>TVS管具有反应迅速、截止电压比较低等特点。
2 E* z# i; c9 r8 b0 H. X>>TVS 与齐纳二极管相比,TVS具有更强的高压承受能力,同时也降低了电压截止率。; L9 t' o5 x4 G" c4 [! m' _' |
>>TVS 与陶瓷电容相比更可靠,陶瓷电容对高压的承受力却比较弱,ESD会造成陶瓷电容的失效风险。而TVS 可以承受15kV 电压,可靠性高。
# z3 _; t: r7 @. [( q; D>>TVS和压敏电阻相比,与陶瓷电容类似,压敏电阻采用物理吸收原理,每经过一次ESD事件,材料就会受到一定物理损伤,形成永久性的漏电通道,而TVS对器件本身并无影响.' V1 z& p- {5 R& M3 Z# e
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TVS管参数! k+ ^. A0 {2 u( F
>>最小击穿电压VBR 和击穿电流IR。
& P; s& N* q- a( R& {' d>>最大反向漏电流ID 和额定反向关断电压VWM。5 S. s, l# h$ ~0 u
>>最大箝位电压VC 和最大峰值脉冲电流IPP。8 ~# k# r$ ~ }. {# E6 a5 I4 R- I
>>Pppm 额定脉冲功率,这是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流。
2 e8 Z0 v6 a$ E" v! ]! i>>电容量C。电容对于数据/信号频率越高的回路,二极管的电容对电路的干扰越大,形成噪声或衰减信号强度,因此需要根据回路的特性来决定所选器件的电容范围。 f+ q1 {' b& r$ [+ P% y; k; U
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ESD保护 S' b# h2 w: |& y
ESD 保护应当针对不同的保护对象来选用器件,同时还要进行合理的PCB 布局。对暴露在外的端口都要求进行防静电保护。现在比较通用的ESD 标准是IEC61000-4-2。
; h; K, u7 c! x) n5 W4 @7 ?0 Z; y应用人体静电模式,测试电压的范围为2kV~15kV(空气放电),峰值电流最高为20A/ns,整个脉冲持续时间不超过60ns。在这样的脉冲下所产生的能量总共不超过几百个微焦尔,但却足以损坏敏感元器件。 ! I" K6 W: ~* G1 O
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