MOS和三极管驱动电路

QWE4562009

MOS和三极管驱动电路
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1 k0 D' |2 R. i" X1.用三极管Q4的漏电流为（3.3-0.7）/1K=3.6mA
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2.用NMOS Q5的电流几乎为0，所以用NMOS省电相较于用三极管不是一个数量级
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, F4 p& o9 |2 x) I5 ~3.要注意NMOS的Vth，这里选择低压导通的NMOS，在1V上下的管子找到了
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8 n& @3 z- q0 @. n除了以上几点，用单片机去驱动NMOS，然后NMOS驱动PMOS会比用三极管驱动PMOS还有哪些好处？以
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4 x) V' v: w2 P/ X及需要注意的地方？
# u! K0 V; C! K" X

( \2 D' ?+ M/ L1 S. H% J
' C, E) T* h- h- E/ b

QWE4562009

三极管C和E反了  不好意思

wu6886

看看!!!!!!!!!!!!!!

群山荟萃nice

1111111111

成帆

MOS管理论上是不需要电流来驱动，但是您要考虑几个寄生电容的充放电

sg0610101235

很不错的内容

innovation

好处呢，当然是显而易见的。但是，还是建议大家设计电路时，电阻还是需要去计算一下，并确认自己每颗电阻的真正意图。
6 `/ B" i7 u6 k- d# d9 V) l! k3 }1. 三极管基极电阻用1K，这是设定三极管的基极电流的，你这个电路是需要三极管导通时工作于饱和区的，集电极由于是30k的电阻，电池嘛，给你按4.2v算？200uA的集电极电流足够了吧？三极管饱和区通常控制10倍的Ic/Ib，因为整个直流工作点小，再保守点吧，2倍嘛，基极驱动电流100uA够了，那你再算算，基极的电阻你为啥放这么小？
* {% v) Y8 H. Z2. 你PMOS源极的那颗30k的电阻是干嘛的，是用于防止PMOS的栅极由于静电荷累积或电源/负载的瞬变（主要是上/下电）时，导致PMOS误导通，那么，你低侧的NMOS为何没有与此原理对应的栅极接地的偏置电阻，那好，也偏置30K吧，你再算算，在工作时，这里需要提供多少偏置电流，好巧，也差不多是100uA。
3. 低侧NMOS栅极的1K电阻对NMOS动作速度的影响，前面有坛友已经提到，不赘述，也许你想弄软启动呢？