ESD防护的工艺规程要求

laoma · 发表于 2021-9-16 10:43

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ESD防护的工艺规程要求

nuiga · 发表于 2021-9-16 13:43

利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号（例如 500MHz）而言，会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的吸收作用。

laoma · 发表于 2021-9-16 14:03

nuiga 发表于 2021-9-16 13:43$ I* s9 u4 K8 Z7 W; d. ^, V
利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容，这对于高速信号 ...

在高速、高频电路中，应该采取有效措施将TVS管的寄生电容量降下来，降低对SI的影响。

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[技术讨论] ESD防护的工艺规程要求