带你看懂MOS管的每一个参数，使你受益匪浅

RNGxiaohu

一、VDSS最大漏-源电压:


　　在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性。
' B, g$ p1 Q  h3 r
# ?$ @4 ]5 |, Q. A( c. V7 y
% e7 a* L9 a% Z: i& N) p7 F. w- w　　二、VGS最大栅源电压:
0 G8 N; p1 ]$ B

$ c7 U' V5 |0 K& g6 p- S% T8 o- v　　VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

         

　　三、ID-连续漏电流:

$ B: Z7 I3 s- T6 J
　　ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：
$ b3 f. _' f* J# P  {/ P% _, l4 L4 _

　　ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID额定值 TC=25℃的一半，通常在1/3～1/4。补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。
0 J* T3 Y' V/ [. Q9 ~* F0 ^# ?9 H

　　四、IDM-脉冲漏极电流:
( }, N6 M+ d9 Z! @4 U
. r0 }% P* ~& K! n) O0 K
　　该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于：线的欧姆区。对于一定的栅-源电压，MOS管导通后，存在最大的漏极电流。如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。


　　因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。

  V. l' h& a8 ]6 ?7 r0 o" c- p

         

( |1 b* n; A1 _
. H* v! w: k" e% u( e* Q2 D　　考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。单纯满足脉冲电流不超出IDM上限并不能保证结温不超过最大允许值。可以参考热性能与机械性能中关于瞬时热阻的讨论，来估计脉冲电流下结温的情况。


, V1 {; ?1 n( c1 v6 I& q0 q& U+ v　　五、PD-容许沟道总功耗:
# M# a& [; b. B/ e
9 ~- V) T# H5 s
　　容许沟道总功耗标定了器件可以消散的最大功耗，可以表示为最大结温和管壳温度为25℃时热阻的函数。

/ w4 a2 m8 ~8 S
　　六、TJ,TSTG-工作温度和存储环境温度的范围:
; R% l" _+ Y8 ~6 E, Z# U* P- S: P
) F% V) Y/ q9 d0 x
　　这两个参数标定了器件工作和存储环境所允许的结温区间。设定这样的温度范围是为了满足器件最短工作寿命的要求。如果确保器件工作在这个温度区间内，将极大地延长其工作寿命。
3 [' }! d9 x; e  [

1 f" G* ~* m! y* {' i

         

9 M* R2 r; ~2 X4 ?　　七、EAS-单脉冲雪崩击穿能量:
8 K* c' v6 N5 V" |' i
: H# ]! L* z# H
　　如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压，则器件不会发生雪崩击穿，因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。雪崩击穿能量标定了器件可以容忍的瞬时过冲电压的安全值，其依赖于雪崩击穿需要消散的能量。
! `9 T  _- Y) z/ d$ @! P
& }5 |8 z; g* {8 |" u
　　定义额定雪崩击穿能量的器件通常也会定义额定EAS。额定雪崩击穿能量与额定UIS具有相似的意义。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。

: }4 L/ Y' w8 h
! L+ e8 F+ k* T; {* m% I( P　　L是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时，即使MOS管处于关断状态，电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储，由MOSFET消散的能量类似。
& ~& p3 q$ Q/ s/ r
6 J2 z) a1 g+ W9 h3 z8 e. o
　　MOS管并联后，不同器件之间的击穿电压很难完全相同。通常情况是：某个器件率先发生雪崩击穿，随后所有的雪崩击穿电流(能量)都从该器件流过。
6 x' e0 b% t* b$ s+ U

　　八、EAR-重复雪崩能量:


! q4 R' L8 b3 o7 _　　重复雪崩能量已经成为“工业标准”，但是在没有设定频率，其它损耗以及冷却量的情况下，该参数没有任何意义。散热(冷却)状况经常制约着重复雪崩能量。对于雪崩击穿所产生的能量高低也很难预测。
" j; A/ i* s: c3 u/ I) E
5 H& o2 Q4 A' ~$ ?5 N# N( Z

         

# I9 J6 h  K# _5 p) ^
0 {) @" u+ ]/ G4 \! b4 V　　额定EAR的真实意义在于标定了器件所能承受的反复雪崩击穿能量。该定义的前提条件是：不对频率做任何限制，从而器件不会过热，这对于任何可能发生雪崩击穿的器件都是现实的。在验证器件设计的过程中，最好可以测量处于工作状态的器件或者热沉的温度，来观察MOSFET器件是否存在过热情况，特别是对于可能发生雪崩击穿的器件。
( }, b- w/ P9 U' y0 ]6 `2 s
/ S( y4 u: w5 R$ S* E
: j8 y3 U: T$ J+ \$ v, ^　　九、IAR-雪崩击穿电流:


. N+ v+ P, x1 J* q  V　　对于某些器件，雪崩击穿过程中芯片上电流集边的倾向要求对雪崩电流IAR进行限制。这样，雪崩电流变成雪崩击穿能量规格的“精细阐述”；其揭示了器件真正的能力。
+ J# e8 C2 Q( W0 m4 K

chchenheng

来瞧瞧是啥玩意

damengshu

IDM-脉冲漏极电流反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流

jspij1

硬开关应用中实际开关电流通常小于ID额定值 TC=25℃的一半，通常在1/3～1/4

zengwei1995

说得很好，但是我并不懂！