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FP35R12W2T4问题咨询

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月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    跳转到指定楼层
    1#
    发表于 2021-10-8 17:46 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    IGBT型号：FP35R12W2T4  Ic=15A左右，Tvj=25到125度。
    * z  L* f2 ?# u咨询下Vgeth和Tvj的对应曲线关系。2 D3 b: y3 F) S* C
    ) P+ r6 o: v' {# S% j
    目前有一款产品，因为米勒效应，在下桥开通时，上桥Vge能达到6V左右。模块在Tvj≦115度时无问题，当Tvj＞115度，模块会炸机。
    2 o7 _1 w, [5 M  K& u: q波形和原理图见附件，麻烦看下有什么地方需要调整的，谢谢！
    9 a' n9 C. y% L/ y: b

    2-VL 3-VH (2).jpg (102.89 KB, 下载次数: 2)

    2-VL 3-VH

    2-VL 3-VH

    2-VL 3-VH.jpg (101.18 KB, 下载次数: 2)

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    2#
    发表于 2021-10-9 09:42 | 只看该作者
    死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    点评

    月色
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。  详情 回复 发表于 2021-10-9 13:30

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    月色
  • TA的每日心情
    开心
    2020-7-4 15:05

    • 签到天数: 2 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
     楼主| 发表于 2021-10-9 13:30 | 只看该作者
    startostar 发表于 2021-10-9 09:42
    5 G# ^2 ]/ q" x死区时间控制好，IGBT过热过流等保护必须有效

    8 X' O6 E$ L, d死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。
    & X. l/ x, _5 B% ], a$ N

    点评

    startostar
    设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题  详情 回复 发表于 2021-10-9 14:20

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    startostar
  • TA的每日心情
    开心
    2021-2-25 15:13

    • 签到天数: 22 天

    [LV.4]偶尔看看III
    4#
    发表于 2021-10-9 14:20 | 只看该作者
    月色 发表于 2021-10-9 13:30) e7 v3 {0 ?) s8 _
    死区时间2.5uS没有问题。 IGBT过流峰值47A，过热保护120度。

    3 N  z+ Y: M# m1 Y% {9 e, x设计没问题的话，要考虑IGBT使用功率，可以使用同封装大功率模块+加大散热，去尝试定位问题$ H/ @* V0 d% c7 \( p& U; y6 F! e

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