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为什么这个开关的thermal pad用drain极来做而不是连接到GND

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1#
发表于 2021-11-20 14:13 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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看到AOZ13984这个物料用drain做thermal pad, 然后还需要去设计比较大的散热铜皮, 纳闷为什么不设计成把EXP pad直接连接到ground上面,这样散热不是更好?PCB设计也更简单
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发表于 2021-11-22 15:32 | 只看该作者
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管,該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地,相對的也會把熱直接導到下面那堆控制電路,嚴格來說是沒有好處。; s. V4 s3 X" N9 m
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/ J- G  E2 Z$ H% v" w8 s6 g) C9 R( {1 |! ]

AOZ13984DI-02.jpg (21.07 KB, 下载次数: 3)

AOZ13984DI-02.jpg

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3Q  详情 回复 发表于 2021-11-23 15:51

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2#
发表于 2021-11-20 14:28 | 只看该作者
你看他原理结构就知道了啊,大电流的时候,那个里面的两个MOS管会发热啊,所以要把热量传走免得升温,这个芯片里面的地就是个参考用,又不走电流。电流是从外面的地回流,

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我其实说,把这个thermal pad做成GND net ,不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗?不需要单独做layout 比较简单  详情 回复 发表于 2021-11-22 14:51

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3#
发表于 2021-11-20 21:42 | 只看该作者
如果这样大面积连接,PCBA加工的时候锡膏散热过快,空焊很严重的
  • TA的每日心情
    开心
    2025-9-16 15:57
  • 签到天数: 242 天

    [LV.8]以坛为家I

    4#
    发表于 2021-11-22 10:27 | 只看该作者
    楼主,其实你看这个芯片的工作原理就知道了,它本身地的电流就不大,这个地都是那些控制信号的参考地没有大电流流过,所以不会发热。而输入输出是要过大电流的,所以才会有这样的应用。

    该用户从未签到

    5#
     楼主| 发表于 2021-11-22 14:51 | 只看该作者
    asdf193 发表于 2021-11-20 14:289 J8 f" R% P  h5 Z# n. i9 d9 v
    你看他原理结构就知道了啊,大电流的时候,那个里面的两个MOS管会发热啊,所以要把热量传走免得升温,这个 ...
    ) k- b3 n4 O, B7 I" V0 J0 G9 b5 D
    我其实说,把这个thermal pad做成GND net ,不是也可以把芯片本体的热散到PCB上面吗?不需要单独做layout 比较简单+ J, Z6 u5 Z! M+ `6 T7 h) S7 z- X1 e! }

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    超級狗 + 5 好學不倦,堪稱典範!

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    7#
    发表于 2021-11-22 23:45 | 只看该作者
    本帖最后由 canatto 于 2021-11-22 23:47 编辑
    ' I  S# q0 R6 a, V8 j& k4 v) B7 b8 J- X9 G: J8 r& J8 ]
    FET的功率耗散是发生在drain上,为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻,两者直接电连接。这样凡是在应用电路中drain不是接地的情况,如果要求用PCB铜箔帮助散热就只好专门设计一块铜箔连接热焊盘,而且不允许接地,否则短路冒烟。

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    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?  详情 回复 发表于 2021-11-23 15:52

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    8#
     楼主| 发表于 2021-11-23 15:51 | 只看该作者
    超級狗 发表于 2021-11-22 15:32
  • 芯片的熱源主要來自 MOS 管,該部分沒有任何一個腳位或接點接地。
  • 即便能接到地,相對的也會把熱 ...
  • : x- _4 g) |* H! K- G" u# S
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    9#
     楼主| 发表于 2021-11-23 15:52 | 只看该作者
    canatto 发表于 2021-11-22 23:45+ q5 \9 Y0 ^3 ?$ T( a, b( z4 I7 p/ ^
    FET的功率耗散是发生在drain上,为了有效散热它的封装构造决定了drain与热焊盘有最小热阻,两者直接电连接 ...

    + k) W' t" w; ]5 E如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?
    . ]( |" ^, p+ r6 ^- M, g# m) q

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    谢谢分享!: 5.0
    thermal pad 在器件内部连接 drain极,是半导体工艺决定,没的改。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2021-11-27 06:58
    不要寄豬肉乾給我,這邊會罰三十萬。@_@!!!  发表于 2021-11-24 13:28
    谢谢分享!: 5
    就這個芯片架構來說,把散熱銲盤設置在這個點,會有兩個汲極Drain)在上面,就散熱面積ˊ來看,是一個最佳的選擇。  发表于 2021-11-24 13:15
    吾人畢生所學,盡傳予汝! 你害我昨晚帶著肉乾,去請教已經退休的師父。(自行束脩以上)  详情 回复 发表于 2021-11-24 13:08

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    10#
    发表于 2021-11-24 13:08 | 只看该作者
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:52
    & H2 [) q0 Z; a0 ~如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?
    9 m' j: M9 d& a2 Y  g; r
    吾人畢生所學,盡傳予汝!
    ' P0 i7 X! ~$ O* U% y9 W
    4 _/ j3 \, T  U0 ?你害我昨晚帶著肉乾,去請教已經退休的師父。(自行束脩以上)- }+ q: h* o7 a% I! L: }
    5 d$ M. P: b7 J$ v% L
    + Y, z. R. g; D$ p3 j1 W

    為什麼大多數 Power MOS 的 Exposed Pad 愷設置在 Drain 端?.pdf

    590.49 KB, 下载次数: 4, 下载积分: 威望 -5

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    参与人数 1威望 +2 收起 理由
    kobeismygod + 2 感谢分享!不愧是特邀版主,完美解释我的疑.

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    11#
    发表于 2021-11-27 06:58 | 只看该作者
    kobeismygod 发表于 2021-11-23 15:529 {- Y4 B9 N6 L$ w  j) t
    如果是共source背靠背, 也还是要用drain做thermal pad?

    6 x7 G) |) i2 A' i9 v+ {8 s, Q1 k& [thermal pad 在器件内部连接 drain极,是半导体工艺决定,没的改。
    $ g* r, H6 J- I  c0 x& j
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