TA的每日心情 | 开心 2022-1-29 15:05 |
---|
签到天数: 2 天 [LV.1]初来乍到
|
EDA365欢迎您登录!
您需要 登录 才可以下载或查看,没有帐号?注册
x
按照现代的制造工艺来说,根据不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,由此就构成了一个晶体管。
- a) n% R& z2 l2 \, _, L5 C# a1 q, E) l5 L
( N$ S; c7 X! h
. J# g4 _% L4 Q" [8 \晶体管最大的优点就是能够放大信号,它是放大电路的核心元件,能够控制能量的转换,将输入的任何微小变化量不失真地进行放大输出。6 Z8 _. y1 k9 s
# e. s6 B8 N: u4 M; q' @- J3 q+ X1 t
以下是我们在电路设计中使用三极管时需要注意的几个问题,还是老样子——“看图说话”:* m2 w! C9 b4 t! w
4 d. {- {) H7 K, e1 u: u(1)需注意旁路电容对电压增益的影响:% M. G1 _! z6 F! @2 j
S: Z7 H* ~0 g5 z7 E$ k' l' {
! l6 ?4 ]: m/ p
; I- t& d) J" A) A# S: f5 j1 ~+ f# b- L/ j8 A; X: j6 E' `8 n4 i
这个电路在国内各种模拟电路教材书上是司空见惯的了,也算比较经典的了。由于这个旁路电容的存在,在不同频率环境中会有不同的情况发生:
3 b1 ]1 `! _1 i M
; `% t2 J% T( \) w' P# w+ }a、当输入信号频率足够高时,XC将接近于零,即射极对地短路,此时共射的电压增益为: 7 p* _$ w% F1 m ]
% u6 f9 [' `6 {# }$ \% z1 h
, l; |/ H/ w4 f2 [1 D
: T( s% J6 Z8 d& @+ y8 I& n* R0 S* A
% C9 F1 K g' ~% |b、当输入信号频率比较低时,XC将远大于零,即相当于开路,此时共射的电压增益为:
* Z1 }) _$ _) m9 |8 P! n3 Y: x3 C) d! X/ x5 O
; U/ L( H. S7 F' ?* F0 ^1 _5 V2 v' |5 `
/ B/ j, I& P& ~7 Y; @- m
4 E4 ^6 p" w- o" j% l( D! ]由此可以看出,在使用三极管设计电路时需要掂量旁路电容对电压增益带来的影响。
% X' [$ i& y9 E( [( J9 b7 f9 C
! {4 `; c8 D8 u; n0 D" z+ {(2)需注意三极管内部的结电容的影响:* r! B. m, O# }% ^9 f3 K/ O: @5 n
6 P$ o9 {+ I# @' }% M; W1 v; J由于半导体制造工艺的原因,三极管内部不可避免地会有一定容值的结电容存在,当输入信号频率达到一定程度时,它们会使得三极管的放大作用“大打折扣”,更糟糕的是,它还会因此引起额外的相位差。
7 t8 |; D# Z9 }0 J, k5 a! p( V, t0 F0 Q3 A2 E7 Z% g2 u( W
a、
) Y- s: P1 S1 [% g8 ?
0 O9 G$ Y7 I9 u: p" {* W9 s( N% B5 H+ H( r$ U( i- ]. `3 q
J+ p" b4 o) A$ H! I& c) R: B. W8 L- n: Y3 w- Z7 s9 W
由于Cbe的存在,输入信号源的内阻RS和XCbe形成了一个鲜为人知的分压器,也可以看成是一个LPF,当输入信号的频率过高时,三极管基极的电位就会有所下降,此时电压增益就随之减小。& k9 t( a: X: U, m1 _* i
# R3 M% V$ \% Q# y5 A/ o+ Vb、9 Y+ N1 ^, }8 v: W/ V' D4 H1 N
$ z2 l2 i- U" z8 x3 } O2 p8 u
0 e6 M5 j& c7 i Q8 u( I
$ w' h: o* C0 {: X" h4 \5 C9 |2 v* S3 n/ l5 a# E
由于Cbc的存在,当输入信号的频率过高时,Vout的一部分会经过Cbc反馈到基极,又因为此反馈信号和输入信号有180°的相位差,所以,这样也会降低基极的电位,电压增益也由此下降。* Y B& x/ k# D4 G* `) j. A
7 `; k6 p0 N2 }, K(3)需明确把握三极管的截止频率:+ f( \9 x7 B' f" Q
2 b2 w9 a1 j! r$ M3 f7 e
8 j0 K' q) F; l) ~- j! H
. A& L& d$ M/ c) C- T4 n! c$ K+ N$ M" ?- A$ }# S
这个电路图是一个等效过后的图,其中CL是集电极到发射极、集电极到基极之间的结电容以及负载电容的等效电容。当输入信号的频率达到* O, V+ |/ @3 _; u& E! |0 S
% u: l) `: y5 K; ?% D& J* ^: [
8 m3 _! C+ }1 h6 Y! S( g+ }) `) }8 |/ z) E
: M: G Z- C: i
时,三极管的增益开始迅速下降。为了很好地解决这个问题,就得花心思把CL尽量减小,由此,fH就可以更高一些。首先我们可以在设计电路时特意选择那种极间电容值较小的三极管,也就是通常所说的RF晶体管;我们也可以减小RL的取值,但是这样的话得付出代价:电压增益将下降。
- [$ Z# O) F( ?' P! n. ?+ r; e7 @4 e% j" z- L) B4 G) @' A
(4)三极管作为开关时需注意它的可靠性:0 t- h7 [" X+ h' M
4 N" w% g( L' Q1 K1 j; @- q: j9 B
如同二极管那样,三极管的发射结也会有0.7V左右的开启电压,在三极管用作开关时,输入信号可能在低电平时(0.7V<Vin<2.4V)也会导致三极管导通,使得三极管的集电极输出为低电平,这样的情况在电路设计中是应该秒杀的。下图是解决这个问题的一个办法:
Q9 e1 u* E. H }% N+ ~, ?
6 {( U+ n6 N, `/ s/ t) t l
4 j s! Y6 l9 t5 I# ~4 L- f" V* j u' j5 e$ T. a/ X
: L! e) d0 }) f' D4 G在这里,由于在基极人为接入了一个负电源VEE,这样即使输入信号的低电平稍稍大于零,也能够使得三极管的基极为负电位,从而使得三极管可靠地截止,集电极就将输出为我们所希望的高电平。
) _! G# R1 A; Q$ O: r# {7 Y3 T4 f! ?, } \: g
(5)需要接受一个事实:三极管的开关速度一般不尽人意。+ S, V) P# ]5 ~' e- l
4 [& w2 @' O0 f) M3 Z: R由前所述得知,器件内部结电容的存在极大地限制了三极管的开关速度,但是我们还是可以想出一些办法有效地改善一下它的不足的,下图就提供了一个切实可行的方法:
9 ~% a I1 v5 ^8 n$ |/ U Q' T( _; m5 V* z6 V9 P( i: Y
4 X; p) p: i6 S/ X- J6 r( A* M: L
: e! s- @6 g: [
) Z) D) v7 }4 ^从图中可以看出,当输入信号的上升时间很小(信号频率很高)时,即dV/dt很大,则ZC很小,结果Ib非常大,以致三极管可以迅速地饱和或者截止,这自然也就提高了三极管的开关速度。 L" m8 ?/ e1 M: W5 p1 h
% e! U( {0 {% @( g j3 G+ X' G(6)应该明白射极跟随器的原理:& U- q E' q* S5 B
+ K1 W* J; A! P- P& l
6 x, U |. L: V0 W$ J- z0 {" p* e1 n0 T/ C; Q2 @
. C6 D7 `7 J/ @# A* u- Q射极跟随器的一个最大好处就是它的输入阻抗很高,因而带负载能力也就加强了。但是在运用过程中还是得明白它的原理才行,否则可能会造成意外的“问题源”。下面介绍一下它的原理,对于这个电路而言,有如下方程式:
3 R% f1 w: I9 B# X( M f' n" M4 T* ?, d4 I; {1 F R+ Z
. o# h* Y6 ]/ x7 g* m( r! K0 i0 c. ?) p& z3 \ U# }* F$ @+ ?
( M# x- o# c/ X
. t8 B2 q" A; k4 O Q
由此可以看出,连接在发射极的负载阻抗在基极看起来就像一个非常大的阻抗值,负载也就容易被信号源所驱动了。2 D2 y/ [ B% p8 W# W
; l- l }2 R2 P6 A
这篇博文中主要是以共射电路为例来说明问题,以上所说的几个问题只能当是“管中窥豹”了,因为三极管的使用注意事项实在太多,并非一篇博文能够涵盖得了的, 况且要好好把握三极管这个器件也并非易事,但是如果我们在实践中有意识地不断去体会、不断去总结的话,三极管也将会为我们所熟用的。
! c1 a" L, b9 K% o. ]+ l8 c |
|