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01 三个极的判定9 t$ K3 H4 Q4 m$ @; V
$ z7 p5 z1 z# Y, [, {) D/ R
2 n5 s" [% S/ z3 B4 vG极(gate)—栅极,不用说比较好认;, L( V! T ? c% _5 k9 L; J
! ]: B! _/ ^/ ~" o& O7 D7 B
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是;/ L, @% ]: t( m/ T
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边。
/ ^, C9 q, Q* Y6 D) A) N, b$ L9 i/ c8 H- X, }
/ c# g- | S, V; ~5 l# q% m. @- u" t! [02 N沟道与P沟道判别
9 D9 @. y; G. `' Z. u2 c+ O1 S l }; [* |% Z+ O, o3 x+ i
, F- @! g- M& C* m0 P! n# o# Z
. ~ d3 ?/ `( E6 d" X箭头指向G极的是N沟道;" y* A/ E6 R1 C5 s( X$ `2 D% U9 z
箭头背向G极的是P沟道。
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4 s/ x! u h7 G- ~8 v7 H03 寄生二极管方向判定$ w0 C4 z4 `$ I% g$ O5 k8 v
- ?/ c# l4 M8 ?8 T8 n
3 N, O3 R' j: @& |- c, `8 A
3 r r& N) Y) B/ V: z不论N沟道还是P沟道mos管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:$ a' ` {! ]; B0 C" `$ L6 t. C2 b
/ q7 ]( k7 D" R+ \( h: U# r5 O. {- |要么都由S指向D,要么都有D指向S。6 U! P1 x* }2 H* w9 j" C5 [
3 \2 `3 q/ Y8 J/ E- A6 m04 MOS开关实现的功能
$ j! b) h u3 _1 R
( P: ]$ G$ G7 \4 ]1)信号切换( ~1 ~6 t- r, g( Y( t7 O
2)电压通断 J% W. S* e8 g, i$ W4 _& Z
6 y3 }" G! V8 p! V/ {( b4 ^& u
05 MOS管用作开关时在电路中的连接方法8 [8 W6 B. o6 M/ e, A# i7 {+ P! F
6 ~1 v& j4 E0 x0 |
关键点:4 `$ O( I' K% p# j+ v! P7 R7 h
' E% S" I; g/ g+ F* F: a
1)确定哪一极连接输入端,哪一极连接输出端;2)控制极电平为“?V”时MOS管导通(饱和导通)?3)控制极电平为“?V”时MOS管截止?$ |3 e: w4 b6 Q# d0 }. B9 p1 w
! t7 `) e# X: G( y' }
0 V! T. S6 N5 j: z6 M& Y6 E
; q+ |; A! {( \- sNMOS:D极接输入,S极接输出;
- E# U' Q4 a$ g+ \PMOS:S极接输入,D极接输出;: r# i& S) e7 C/ b" m1 U: x' G1 }/ e8 v
反证法加强理解
% O! S) \7 i5 W, t' i. o: gNMOS假如:S接输入,D接输出;4 Y3 h" X% i: `) n
& d! ]: k. U* a, ?: A# e- \7 [% S
) D. m4 ~) I. E' G4 y) Y由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用。
0 f6 ~* y& l) ?+ S* S- O/ r; Y# {$ A) c: w& e/ d+ k
PMOS假如:D接输入,S接输出。. q7 K6 R6 F% W$ _) Q
9 x; ]9 U8 f0 ?6 a" o9 A
4 d/ a7 L: t3 K$ u! `$ z同样失去了开关的作用。
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06 MOS管的开关条件
2 X, F7 _, [0 ]
3 r6 c5 Q( n% Q4 M% mN沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通;! j, ]/ ~: F& p' e6 K! K1 O/ }+ l% _
5 S) J# O& E) T. U7 b1 j9 u
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通;/ E. _5 T3 L4 M2 Q( V K
总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|。
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8 j7 Y) Q% \7 k7 L. H7 {6 P07 相关概念6 f- K$ G. _& W. M, h
+ J' y6 _2 W6 @0 `) t
BJT5 g+ n& k4 o- N& Y8 u& @* U7 c, p
4 U6 x8 u/ p8 `: E. d% JBipolar Junction Transistor 双极性晶体管,BJT是电流控制器件;% d: v% d' e" i: c7 W6 D
FET
2 P. ]' E- |- V/ \3 gField Effect Transistor 场效应晶体管,FET是电压控制器件。* G; m4 q. X1 I/ W1 U
按结构场效应管分为:结型场效应(简称JFET)、绝缘栅场效应(简称MOSFET)" u" W# q1 H% n0 h4 e! ]$ ]+ k) ^
两大类$ B& {$ o) v6 t3 o: N
按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。* e$ e# w: b8 @8 s1 O+ c
按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。' v2 M9 c" e r& I0 n7 N6 d8 i+ s1 |
总的来说场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
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( g( c6 l, J# O/ ?08 MOS管重要参数
1 f, q6 w' u6 w' A9 q4 ]* ^* h2 T' p9 m% _1 V' H4 L* D' q
①封装! N/ S- W7 w B' U, c$ D/ }& w! Z3 b9 s
②类型(NMOS、PMOS)③耐压Vds(器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大的电压)④饱和电流Id⑤导通阻抗Rds⑥栅极阈值电压Vgs(th)
1 D$ C& H$ r# W& w3 G: h
4 O$ g( \: h: ^, F* [2 R: o) q2 U0 M' j- f09 从MOS管实物识别管脚8 d) m- C2 T* E) ?5 e) \
9 M; F: `5 [! X; f$ A% X, X8 c0 R9 d8 d! a3 E
, f/ a. Y( |- O) u无论是NMOS还是PMOS,按上图方向摆正,中间的一脚为D,左边为G,右边为S。
0 R8 _ N! g1 @; F9 |: S6 b2 Y9 H' j' v) u/ m- N- G
或者这么记:单独的一脚为D,逆时针转DGS。
9 u2 W4 t) c- ?1 m* W: {1 d$ L这里顺便提一下三极管的管脚识别:同样按照上图方向摆正,中间一脚为C,左边为B,右边为E。
$ a' M3 I4 i7 B( `9 q管脚编号
6 m% t4 F8 i0 L+ ]/ q; w( k* q- O/ p. w. @, K$ k( f5 \& U
从G脚开始,逆时针123。
- C {. X# L& g. ?( _& q4 L; x7 i. u
/ z2 s w& w- ^, O" z! x4 {三极管的管脚编号同样从B脚开始,逆时针123。
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9 g: [% E/ p& r4 [) V) h* w4 t10 用万用表辨别NNOS、PMOS/ N4 V' N6 l( S# r! E5 ~
7 U: {# t( ?, S, B( W4 ~0 C9 u0 |+ [( a借助寄生二极管来辨别。将万用表档位拨至二极管档,红表笔接S,黑表笔接D,有数值显示,反过来接无数值,说明是N沟道,若情况相反是P沟道。
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" e2 Y8 @# c6 z11 画一个MOS管
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