功率MOS管的损坏原因

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第一种：雪崩破坏
如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。
在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
2 \& _7 `% t7 H& ~典型电路：

第二种：器件发热损坏
# D8 Y2 N( P. g# T( A由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。
, e+ k7 O- k  S  J: E' v直流功率原因：外加直流功率而导致损耗引起的发热。

• 通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）
• 由漏电流IDSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）
  

瞬态功率原因：外加单触发脉冲。
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• 负载短路
• 开关损耗（接通、断开）（与温度和工作频率相关）
• 内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率相关）
  8 ?6 R! R0 F1 [( G+ m6 O! _; {4 a

器件正常运行时不会发生负载短路而引起过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。
4 P, Z8 A  r2 ^4 j; w# E第三种：内置二极管破坏
* ]% V6 V. {1 v4 A) D; k在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，
导致此二极管破坏的模式。
( X# ~& _4 H2 ^/ G1 x) @- R

第四种：由寄生振荡导致的破坏
; [9 k2 v5 b% v; {( a6 X此破坏方式在并联时尤其容易发生。
7 l0 F9 \- ?2 D3 Q在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高频率反复接通、断开漏极—源极电压时，在由栅极—漏极电容Cgd（Crss）和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件（ωL=1/ωC）成立时，在栅极—源极间外加远远大于驱动电压Vgs（Vin）的振动电压，由于超出栅极—源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极—源极间电压时的振动电压通过栅极—漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。
6 k: N" O; }5 u2 b4 M8 c2 B

第五种：栅极电涌、静电破坏
2 r( N8 i9 }& N3 V' h6 B主要是在栅极和源极之间存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏。

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最常见的就是雪崩损坏了吧！

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寄生振荡导致的破坏在并联时最容易发生

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超出安全区域引起发热而导致的器件发热损坏

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经过的电流过大，也会导致MOS管损坏
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