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MOS管替代的前提是什么

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发表于 2021-12-15 09:51 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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STP75NF75可以被光宝75N08替代吗?3 H7 w' @" v- C' P5 W7 R

该用户从未签到

2#
发表于 2021-12-15 10:44 | 只看该作者
首先耐压和电流要相当,封装要相同,其次看应用场合,开关频率高的地方要考虑Gate端电容,发热量/电流大的地方要考虑芯片承受高温及散热的能力及瞬态带电流能力。0 T7 V% q' F- f
一般现在市面上75N75的静态特性,耐压,静态电流等等都差不太多,但是在开关应用,散热,可靠性等测试中,一般ST的都会有不俗的表现。IR的也不错,BYD的也还可以,算的上时国内性价比比较高的。
7 U9 y  X# I/ r. D8 C: r' P; T' Y3 H! V% H
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该用户从未签到

3#
发表于 2021-12-15 13:11 | 只看该作者
mos管是电压控制器件,三极管是电流控制器件。控制原理不一样,mos管不能代替三极管。  h' V' D. l; s+ [  }! j7 u" G6 G7 z
当mos管有电流输入时,mos管内部会对电流进行锁存,与至于电流不断增大,会烧掉mos管。
4 X$ N+ V, t% w  }可控硅里的三极管也一样,不能用mos代替。

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    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2021-12-15 13:59 | 只看该作者
    我想看看 其他人是怎么说的7 @. a9 K- m, f! u' v
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