TA的每日心情 | 郁闷 2023-8-16 15:55 |
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本帖最后由 liugm668 于 2022-1-13 16:53 编辑
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7 ^4 n% R" L& w4 t+ h) i5 Y/ M/ _1,我是这样理解的:mos管的开启电压,假设是5V,源极电压有12v,这样是不是不需要加栅极电压就可以导通了?而把栅极电压提高到8V,又关闭了?
; E& G1 l, ~$ A% e4 V! n2 S5 Y) y>>:MOS分为PMOS和NMOS,打开关闭的条件是Vgs的电压。除非VDS耐压30V你加一个40V那就是击穿不是正常导通。
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2,Vdss,Id是不是SD间的最大耐受电压和电流呢?, k0 Z: X; U2 f2 A: }" Y7 x
>>:MOS管手册里面都有参数的详细介绍。连续电流、脉冲电流等等
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3,Vgs是mos的开启电压吗?好像一般都是20V。我想应用在单片机,用单片机控制栅极驱动12V80ma的LED,那么这个20V是不是太大不大合适,有没有合适的型号呢?或者说选用大点的话发热量小些?5 Z9 C% B. s; A" m: L& ]/ l, h* ?4 R& V7 [
>>: VGS负责开启,你说的20V那是最大耐压值,超过20V就烧掉了啊。
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/ g: h4 f7 T1 r* ]$ ^5 Q+ s- r4,我看到Vgs前面有正负号,这个是开启电压是正负电压都可以开启的意思还是,浮动的含义?
- F: q- Q" _" f0 ?- t& V) j>>: 这个VGS的最大耐压能力。
( T9 s2 U$ H( f! f, R5,关于导通电阻,就是SD之间的电阻是吗?
# s, C K/ d! o2 ~7 V: H# v" G>>:导通状态下的VDS电阻。4 W6 j Z; S" y' k2 _% b6 G
6,现有一12V80ma的LED,需要通过单片机TTL5V电平通过MOS管驱动点亮,关于MOS大致选择什么参数合适?2 e6 {8 ?0 [. V' @ u0 A8 [
>>:VDS耐压20V以上,一般都能满足。Ids大于80mA看你的降额需求,VGS耐压大于8V,一般的MOSFET也能满足要求。
* O6 v8 s+ {8 l, `7,根据上面,另外电路中的电阻该如何考虑?比如限流电阻,电源的选用呢?! A
6 W+ L8 k) \2 ]! F3 X: M( k>>:要看LED的参数LED随着电流变化流明会不一样。假如你的LED是80mA压降2V,那大概就是限流电阻120欧姆1瓦的电阻。 |
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