TA的每日心情 | 郁闷 2023-8-16 15:55 |
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本帖最后由 liugm668 于 2022-1-13 16:53 编辑
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1,我是这样理解的:mos管的开启电压,假设是5V,源极电压有12v,这样是不是不需要加栅极电压就可以导通了?而把栅极电压提高到8V,又关闭了?- {! n2 `# P2 D# X5 s
>>:MOS分为PMOS和NMOS,打开关闭的条件是Vgs的电压。除非VDS耐压30V你加一个40V那就是击穿不是正常导通。
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. g9 p. _1 t( b9 x2,Vdss,Id是不是SD间的最大耐受电压和电流呢?( o5 A& Q" b# c8 r
>>:MOS管手册里面都有参数的详细介绍。连续电流、脉冲电流等等* y, V' W& i8 j) [; U
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3,Vgs是mos的开启电压吗?好像一般都是20V。我想应用在单片机,用单片机控制栅极驱动12V80ma的LED,那么这个20V是不是太大不大合适,有没有合适的型号呢?或者说选用大点的话发热量小些?5 Z9 C% B. s; A1 k& [. K, a0 c4 v9 B
>>: VGS负责开启,你说的20V那是最大耐压值,超过20V就烧掉了啊。
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4,我看到Vgs前面有正负号,这个是开启电压是正负电压都可以开启的意思还是,浮动的含义?
- }4 I; r) U2 _>>: 这个VGS的最大耐压能力。
( Q4 ^4 g f1 N( Y! f3 p1 B5,关于导通电阻,就是SD之间的电阻是吗?
8 S& G. ]9 r# `4 M>>:导通状态下的VDS电阻。) Z0 {9 Y, Q) n
6,现有一12V80ma的LED,需要通过单片机TTL5V电平通过MOS管驱动点亮,关于MOS大致选择什么参数合适?0 Z( H `( q" i2 s3 e
>>:VDS耐压20V以上,一般都能满足。Ids大于80mA看你的降额需求,VGS耐压大于8V,一般的MOSFET也能满足要求。2 m" E/ S1 j" w* o8 S: ?
7,根据上面,另外电路中的电阻该如何考虑?比如限流电阻,电源的选用呢?! A
% c; f7 L5 @0 \1 _6 Z; |* n4 O>>:要看LED的参数LED随着电流变化流明会不一样。假如你的LED是80mA压降2V,那大概就是限流电阻120欧姆1瓦的电阻。 |
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