mos管的宽长比是什么

choose521

我用的高教4版，根本没提这个概念，但题里有，是两个MOS管做镜象电流源，两个S端接地，D端接直流电源，两者Id成比例关系1：2，问两个MOS的宽长比。
一个MOS管的D端接恒流源Id 另一个Id做镜像，因为不知道宽长比是什么，简单的题也没法做

opipo

mos管没有宽长比，mos管的VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

- {; J0 u: W$ M- SMOS晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

改变栅压可以改变沟道中的空穴密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。

Blah

宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比，宽长比越大，MOS 管的 Id 就越大，也就是宽长比与 Id 成正比。具体公式可以去查书。
电流镜的 Id 比例是 1：2，那么两个 MOS 管的宽长比的比（注意是两个宽长比的比）应该也是 1：2，因为如上所述 Id 与宽长比成正比。
所以如果 MOS1 的宽长比为 10， 那么 MOS2 的宽长比应该为 20，以此类推。
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