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ddr2的问题

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1#
发表于 2011-8-30 21:27 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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DDR2里面的ADDR  CMD  CNTRL  DATA  DQS  DQ  DM 各代表什么啊,在布线时应怎样来布啊,望高手指点

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2#
发表于 2011-8-30 21:47 | 只看该作者
看规格书,ADDR是地址,控制,数据等规格书上有。

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3#
发表于 2011-8-30 22:41 | 只看该作者
ADDR是adress地址 ( CMD  CNTRL不知道)  DATA是数据  DQS  DQ是一组差分锁存信号  DM 数据掩码

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4#
 楼主| 发表于 2011-8-31 19:09 | 只看该作者
thanks

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5#
 楼主| 发表于 2011-8-31 19:10 | 只看该作者
谢谢

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6#
发表于 2011-8-31 20:08 | 只看该作者
没事。I know English well,there is no need to translate "thanks".

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7#
发表于 2011-8-31 20:21 | 只看该作者
CMD  CNTRL  是控制信号。

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8#
发表于 2011-9-1 12:56 | 只看该作者
DDR2里面的ADDR  CMD  CNTRL  DATA  DQS  DQ  DM 各代表什么啊,在布线时应怎样来布啊,望高手指点* J7 d5 G% n7 L# N" S. L6 q

* }$ T+ W7 y! O# `3 \3 R% N忽略电源,地网络.' u; p4 i- y5 g5 @
- Z, A' ^- S+ U: Q- I1 ~
DDR2可以分为以下三类:; {" d, G  C: q( R% V
3 F5 q; l( i9 T" {% X
1,差分时钟信号:CLK_N,CLK_P# ~2 R" Q; r: B- ~& T" @! j

# v* u- E2 ~" E3 y, `7 y; z4 h2,数据线DQ0~DQ15,数据掩码信号DQM0,DQM1,数据选通信号DQS*_N,DQS*_P
" Q2 q& C8 ]2 Q7 E  O1 K* }! W3 N7 g$ n& o/ L6 q6 {, r
3,地址线/控制线:除数据,时钟外的其他信号,如A0~A12,WE,CS,BA0~2,CKE等等7 \( {. l$ z/ I; u, K+ _5 F
8 k6 F7 H9 x/ k) [+ h
可以设置为以下几个class规则:
; h# {$ `0 ]$ Y  X) R0 |3 o5 W
% D/ c$ E* y- i7 M2 I) [1,DATA_L_BUSQ0~DQ7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P) p. @8 s4 ]# s+ s; c  l7 C' p5 G

4 t# H' }/ W3 R5 S2,DATA_H_BUSQ8~DQ15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P
% W+ i& `3 \4 z1 v
/ Y8 G" V, E# Q, Q, d0 f9 C& Y3,ADDR_BUS:除数据线外的其他信号9 q1 I3 Z) K' k3 U. }) k
  h0 @+ `4 K( b% J. d; W0 ~, r/ l
4,CLK_DIFF: CLK_N,CLK_P
, ?; ^8 v( U, P" x: o' C- r
8 Y+ y9 G# `1 w: e8 r! O/ F等长设计:
- Q0 J& x' p# P
+ r6 A3 z0 `: F$ H4 A1,所有信号线参加差分时钟的长度作等长
7 w7 n" B6 B2 L7 W# }
2 ]/ J9 T0 k8 f$ O! T1,DATA_L_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil
8 e, ^5 B3 I$ x; g( P& u0 K: p. Y
3 m4 |4 g5 B# c* r* H2,DATA_H_BUS共11根走在同层,与差分时钟的长度误差25mil2 z" J) G0 k" ?  h" `) B( V
  Q2 Z; N* e7 S! D" E( `
3,ADDR_BUS:与差分时钟的长度误差200~300mil
9 D' x7 N$ o) P+ n7 e. ^! l
1 z. [# Q+ m  Z0 T' z: ?# }$ O( C其他要求:
: \$ M0 ?+ J) Y; j& x
% j  x( Z  n; o4 Z2 t9 _1,特性阻抗: 单端 50欧,差分100欧
! Z) x4 t+ {2 [6 p; k
3 f6 l2 s. Z/ K. O2,完整的参照平面
# k% c  f- D. X5 X) f$ D1 ~& X: }6 y" |" Y! \
3,VREF电容要靠近相关的电源管脚,线宽尽量在40mil以上
5 g' f* K+ Q4 M" P) Q8 J2 k8 c: C, M. \# `
4,信号线不能跨分割.7 |2 l, L) @& r( y" A3 H# f

4 W* h0 y3 P% W5,DDR2走线区域不允许有其他信号穿过.
6 a8 p2 r. t& h: N
* G! s: m7 W+ T! m4 ]# m% l  m$ X& y6,去耦电容要靠近相关IC的电源管脚
7 @+ J& V) _/ \6 ^2 V( c' a
7 b& W6 |7 j  E* b. P6 A7,尽量采用多层板* P2 V' p( ^- h1 n# G
* e5 J- K+ p  I1 g# A+ i

1 W) B  z' u7 W( V
/ f5 e  |  x0 a; t. w9 j% g& q

0 p! t* j# D! {( S
9 I- p2 t6 i# i# q/ e

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9#
 楼主| 发表于 2011-9-1 21:54 | 只看该作者
谢谢分享,学习

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10#
发表于 2011-9-16 12:52 | 只看该作者
不错哦,
  • TA的每日心情
    开心
    2022-12-30 15:16
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    11#
    发表于 2012-2-6 15:52 | 只看该作者
    版主很好 写的很详细
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