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(1)场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。8 \! V o* _/ w, V
(2)场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
- H5 u3 `& F5 `" G (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
7 E, u4 {& F3 D) s (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
# L( D0 `5 K7 B2 A7 p (5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于开关电源及各种电子设备中。尤其用场效管做开关电源的功率驱动，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
K! X( k! D; T7 | (6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。
7 V. n& o) R! {7 J 三极管BJT与场效应管FET的区别很多，简单列出几条：1 ^- m, c- `0 K; H
1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，BJT放大电流，FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值，FET第一参数是跨导gm;
& b2 C' q' A6 [+ Y! D1 F/ f 2.驱动能力：MOS管常用来电源开关管，以及大电流地方开关电路;0 g: E5 B) ~" W% ^7 z
3.成本问题：三极管便宜，MOS管贵;
" d+ w8 E0 O& G' B% D0 w 4.BJT线性较差，FET线性较好;
2 b; K# W5 M2 L/ d 5.BJT噪声较大，FET噪声较小;
# y6 W$ g( H* q$ G" k 6.BJT极性只有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;
- ^9 F9 e# R6 L" W5 A 7.功耗问题：BJT输入电阻小，消耗电流大，FET输入电阻很大，几乎不消耗电流$ R! c1 S$ H/ W" Z0 Z6 k
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发表于 2022-2-16 13:46
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