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(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
9 h! ]; E+ k' u2 @" y (2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
$ d' D' U4 N3 M9 c (3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
9 n* R# O% s7 H6 R& S# {; @ (4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
' ~ a2 w" ?. m% E4 h% s6 |6 h (5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于开关电源及各种电子设备中。尤其用场效管做开关电源的功率驱动,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
+ K9 V, N1 J( i8 v6 I, ~% p (6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。
0 C3 K8 \1 h2 L: n3 ^! V7 j 三极管BJT与场效应管FET的区别很多,简单列出几条:
! d4 T& B+ p! g" K 1.三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,BJT放大电流,FET将栅极电压转换为漏极电流。BJT第一参数是电流放大倍数β值,FET第一参数是跨导gm;
* i+ `* e% ^3 R. r: i0 \$ q4 n 2.驱动能力:MOS管常用来电源开关管,以及大电流地方开关电路;
g/ g- T7 S n 3.成本问题:三极管便宜,MOS管贵;* ~5 n0 Y% l' g
4.BJT线性较差,FET线性较好;
/ h, g4 k) I+ W! R4 N 5.BJT噪声较大,FET噪声较小;
0 i# ~' w3 K B1 ^. f8 F8 I+ M 6.BJT极性只有NPN和PNP两类,FET极性有N沟道、P沟道,还有耗尽型和增强型,所以FET选型和使用都比较复杂;+ M( D' u; Z3 K5 a5 q
7.功耗问题:BJT输入电阻小,消耗电流大,FET输入电阻很大,几乎不消耗电流5 y/ T, J) C( @3 N. v6 g+ O- n5 ]
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