TA的每日心情 | 开心
2022-1-29 15:04 |
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一、雪崩破坏- s3 x' k; }& f1 n1 q |9 ^7 R2 F, h5 ~
* E. Z( E* r# C* L0 q( w 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。7 J+ Z; p. `& O& m- E* ^; V8 _
% |, ?8 t' c5 b 在1质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率mos管的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。
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二、器件发热损坏
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' k# p6 ?$ N9 q 由超出安全区域弓|起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因:外加直流功率而导致的损耗弓|起的发热
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7 I% E; s1 s) s K' C 导通电阻RDS(on)损耗(高温时RDS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加)由漏电流IDSS引起的损耗(和其他损耗相比极小)瞬态功率原因:外加单触发脉冲负载短路$ {8 T8 D+ V6 _; v* Z
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开关损耗(接通、断开)*(与温度和工作频率是相关的)
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MOS管的rr损耗(上下桥臂短路损耗)(与温度和工作频率是相关的)( B' v8 m: x) }
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器件正常运行时不发生的负载短路等弓|起的过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。
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( n+ ^1 q$ Y. ]; B 三、内置二极管破坏1 G0 u, @1 u; g5 Z% a1 i- ~
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在DS端间构成的MOS管运行时，由于在flyback时功率MOS管的寄生双极晶体管运行，导致此二极管破坏的模式。. K1 ]+ M' h7 L/ i! s
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四、由寄生振荡导致的破坏此破坏方式在并联时尤其容易发生* G ^) g4 K: j* Z( I9 [& V+ i7 b
$ N+ D0 ?: ]7 o) R+ e8 q 在并联功率MOS管时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高速反复接通、断开漏极源极电压时，在由栅极-漏极电容Cgd(rss)和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件(wL=1/wC)成立时，在栅极源极间外加远远大于驱动电压Vgs(in)的振动电压，由于超出栅极-源极间额定电压导致栅极破坏,或者接通、断开漏极-源极间电压时的振动电压通过栅极漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作弓起振荡破坏。- E) \1 t, I/ F; E k1 D
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五、栅极电涌、静电破坏
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主要有因在栅极和源极之间如果存在电压浪涌和静电而弓起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端(包括安装和和测定设备的带电)而导致的栅极破坏
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发表于 2022-2-23 14:34
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