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本帖最后由 li205212021 于 2022-3-8 09:22 编辑 ) h [1 f# J+ F o+ J' f5 X
5 I* _( \3 t. S, S) n9 w8 `* m% ^RAM，Random-Access Memory，即随机存取存储器，其实就是内存，断电会丢失数据。
' I- }# l' g0 m8 @* @1 s 主要分为SRAM（static）和DRAM（dynamic)。主要的区别在于存储单元，DRAM使用电容电荷进行存储。需要一直刷新充电。SRAM是用锁存器锁住信息，不需要刷新。但也需要充电保持。' t+ t% m- B- C1 z8 ^+ E; C
关于DRAM，其基本的存储单元如下，利用一个晶体管进行控制电容的充放电。
c6 R$ }0 g J. q% \9 y& M+ }" I6 w7 C3 G+ B4 J& R
2 q, K* Z4 y" E! k% T- _2 `! rDRAM一般的寻址模式，控制的晶体管集成在单个存储单元中。: |; d# A8 B. M
& w+ ]3 L+ u3 F! D4 f" c) S; T) g+ l1 ? l
; q- {- ]4 S! k8 }
现在的DRAM一般都是SDRAM，即Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步且能自由指定地址进行数据读写。其结构一般由许多个bank组成并利用以达到自由寻址。
/ f$ ~4 |# ~9 |/ b. Y" }6 \1 z$ }, t. |. F
) i$ u+ ]; W0 i7 G* }9 ?
+ M# F; Y! s& T8 B+ M# w( w8 ?( f: B/ ^9 E+ ^0 Q, Y
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/ c& Y( c0 z: N8 ]- p0 |而RRAM，指的是Resistive Random Access Memory，这是最近才新研究的技术，并不成熟。利用Memositor（一种记忆电阻，其阻值会根据流过的电流而变化）作为存储单元，优点十分明显，并且和DRAM比起来在array中可以减少控制晶体管的数量，在CMOS chip上已经有所应用。: j+ I: z! u4 M3 ?/ ?: \7 o7 i; x
举crossbar为例，我在一篇文章上看到的芯片 ![]()
' p1 ], l4 T, \9 g
其基本的寻址模式是在crossbar外进行控制，DATA A为读取的数据而DATA B是不读取的数据。对相应的地址加以两种不同的电压完成存取。 ![]()
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发表于 2022-3-8 08:58
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