MOS的导通电压时20V我看都没有看见过,估计你是吧Gt看错了,是栅极最高承受电压,你肯定是看错了,一般来说都是不超过8V,TTL这些低电压的电平驱动场管子的话的确是要加驱动的,不加驱动很恼火,你可以用IRF540N,导通电压最高时4V最低2.5V,参考值是3.5V,但是您应用的是PWM建议您用驱动芯片,在好几十K的情况下驱动MOS栅极是要消耗能量的,而且随着频率的增高,您要做的推动的功率也会相应增加,驱动显得尤为重要,您这个驱动对频率是有限制的,开关电源的话,建议你还是用驱动芯片做,一般单管驱动你这样做开关是有几百ns的延迟,打开时间和关闭时间是有一定延迟的,虽然加了电容作为补偿,下降沿没有足够的栅极放电通路,频率高的时候就工作的不尽人意,我都是用半桥作为驱动的。。。。。一般外围元件加的非常少,如果要延迟开关时间的话我直接加电阻,在受到推动的管子上栅极和源极之间要加吸收电路,不然栅极容易受到尖峰电压的损坏 % D& n, N+ l+ m& E