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关于MOS管搭建门电路的问题

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1#
发表于 2022-3-31 14:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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理论上来说这应该是个或门,可仿真却出现失真了,我想知道为什么。很奇怪当两个Vin都处于低电平的时候Vout怎么还能有电压??? 而用同样的门搭建或非就一点都不是真,是完美的方波····我想知道为什么- Z; b, m  U' Y% ~/ |; P5 m

1 |& s3 L5 i5 H2 o8 T' h 0 K# l7 d; h* n4 h. U1 \

该用户从未签到

2#
发表于 2022-3-31 15:20 | 只看该作者
1.放大电路还是比较基本的,无非就是反相比例放大电路(估计要两级),然后再跟一级功放。
$ D8 A! Z/ l+ H) [6 A  \4 J/ M(1)放大倍数可调,无非就是在反馈电阻的位置上,增加一个电位器。& h9 X2 W2 I2 O, s) f; _7 V( T& x2 e
(2)3dB带宽要达到100KHz,且放大倍数为50倍,考虑到带宽增益积的问题。一级放大估计吃不消,建议用两级10倍放大,用的运放也要好一点,比如LF353或LF356。
  T) x" h$ ~  B+ [8 B- u2、
& I, z9 K5 \# k4 D(1)这个地方有难度,你可以搭一个H桥。用IRF9540(PMOS MOSFET)和IRFZ44N(NMOS MOSFET)搭成乙类推挽放大的模式。: E) m# g& G. M1 r  X/ v8 ?2 m
(2)5W对于前面那两个MOSFET来说,小菜一碟,再大个几倍也可以。
: c) D8 O6 a! @  p

该用户从未签到

3#
发表于 2022-3-31 15:36 | 只看该作者
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