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关于MOS管搭建门电路的问题

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1#
发表于 2022-3-31 14:34 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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理论上来说这应该是个或门,可仿真却出现失真了,我想知道为什么。很奇怪当两个Vin都处于低电平的时候Vout怎么还能有电压??? 而用同样的门搭建或非就一点都不是真,是完美的方波····我想知道为什么
6 R  l1 a6 O5 D$ e
$ X1 K; v1 d" D# p7 F9 V, a & a+ B+ Z0 ~* _: r5 p! P0 J4 R& H

该用户从未签到

2#
发表于 2022-3-31 15:20 | 只看该作者
1.放大电路还是比较基本的,无非就是反相比例放大电路(估计要两级),然后再跟一级功放。7 ]5 x, M0 ^& c% b
(1)放大倍数可调,无非就是在反馈电阻的位置上,增加一个电位器。
/ o' A7 i% U8 W- R- g# ]; }(2)3dB带宽要达到100KHz,且放大倍数为50倍,考虑到带宽增益积的问题。一级放大估计吃不消,建议用两级10倍放大,用的运放也要好一点,比如LF353或LF356。
1 E) E: O( L+ k7 `8 y2、' w) {) N. z3 o/ X0 q" r/ Q
(1)这个地方有难度,你可以搭一个H桥。用IRF9540(PMOS MOSFET)和IRFZ44N(NMOS MOSFET)搭成乙类推挽放大的模式。+ O; j+ f4 ?, G; U  q
(2)5W对于前面那两个MOSFET来说,小菜一碟,再大个几倍也可以。" P7 F! `) K/ ]2 f: O7 Q

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3#
发表于 2022-3-31 15:36 | 只看该作者
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