等效电容对MOS管的影响

MrL1

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。

有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。

电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。

由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。

它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

mqerew

MOS的输入相当于一个电容负载，这个电容是影响MOS开关速度的主要因素，所以要求驱动电路必须能提供足够大的充放电能力。
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ESCAPE

在矩型脉冲电路中MOs管速度高于PN结三极管。任何一门电路由开门、关门、执行三部分组成、电荷存贮时间Ns、Ps、所以快。三极管的速度取决于特征频率FT、给出上升下降沿速率、反映此管类型。

Memory00

单纯的MOS速度是不如晶体管。但现在都是V-MOS和IGBT的天下了。
7 ?7 X* ~5 j% P* \; j比如说，现在电脑的CPU，工艺就基本上属于高集成的V-MOS工艺，而不是晶体管的工艺。
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