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本帖最后由 Heaven_1 于 2022-4-22 18:09 编辑
; e% m2 |% i! l, ~
4 b/ v( w! S4 n; }. n1 Cgh侧功率开关，集成垂直功率场效应管，提供嵌入式保护和诊断功能。
% n0 z/ a; E' n7 |/ L' e, C/ e5 t; ~/ ~- G, ?: K
一、MOS管（场效应管）BTS723GW特征概要：
8 f) \. V4 P3 C1.非常低的待机电流4 r# k7 R/ p2 L& P6 }1 C& k) a! l
2.CMOS兼容输入
0 a" b9 n) s5 P" ~4 E- @! Z3.改善电磁兼容性（EMC）8 J; a( e0 z% k
4.感应负载快速消磁# J4 G+ A) } R4 \( L$ E
5.欠压时的稳定行为
! _ F6 b3 i3 r; d, b& |8 z. i6.宽工作电压范围
% R Z* j: P+ _. ]7 D8 |% b4 |7.独立于负载接地的逻辑接地! K; H8 ^; A# w
8.优化的逆电流能力# ^# G( R. u2 ]2 P
9.过载保护
0 F' ~- j. q: `$ m6 [# q11短路保护
: t9 I. b" V \/ G12.热关机
! U7 R7 \% s$ Y13.过电压保护（包括甩负荷）8 ?: g* f8 k$ V# I/ W8 s
14.带外部电阻器的反向电池保护
W0 a0 h1 P, q v0 m15.静电放电（ESD）保护
+ e% l" m) ]0 i2 O' o0 L' u, r16.开漏诊断输出
4 H& [" p2 `! t/ c1 X17.断开状态下的打开负载检测
. D( c' @8 m A5 p18.热关机状态反馈4 s( T% `! x6 D8 w M8 k4 d) }3 K
19.反向电流时，两个通道的诊断反馈均正常工作" r+ I0 {3 [: \5 a! U8 E& H' {
* x, y6 J- K o) H" |" `
二、MOS管（场效应管）BTS723GW的优势：3 B$ D( K+ y7 s/ A$ b) p
1.高压能力 L- k; T9 m; F( G
2.基准能源稳健性
! t! \$ o% j2 a5 u3.高负载卸载保护
, e# X3 u7 F. K! B9 D& t G% g, L1 u1 u0 {9 G; E1 O
三、MOS管（场效应管）BTS723GW的参数2 o5 e. P& _8 Y' V, J" A
开关类型：通用
3 `4 X% i1 X' F5 {输出数：2
/ \: H( u G! u2 O: `比率 - 输入:输出：1：1, u' K7 R, {- e
输出配置：高端' E" E5 s9 ?. b" H, Q3 M
输出类型：N 通道
3 }$ I4 ~ M D5 h接口：开/关
/ Y% B; p4 U1 g8 G0 J; c电压 - 负载：7 V ~ 58 V
# g1 x D! ~7 B- U7 Z3 w$ ?电压 - 电源（Vcc/Vdd）：不需要
$ ~# q$ Z/ A b0 U! E1 ~% Q电流 - 输出（最大值）：2.5A7 M; f% _4 ]! a. `7 p; |1 G5 a9 V
导通电阻（典型值）：90 毫欧% {9 J p7 u8 I
特性：状态标志4 h$ h! S% R1 y
故障保护：限流（固定），开路负载检测，超温，过压
' v8 T9 U; \0 q工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
' Y7 H; s, y4 ^. X* S" i( Q封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
e5 O+ s8 Q3 |' a% @供应商器件封装：PG-DSO-14?$ O/ } p0 h# U1 ^% W9 t
所属类别：电源电路, I) I, X' c. l/ M+ p
集成程度：中规模
1 ]4 N N1 |$ g4 o处理信号：数字信号
6 \' f4 e# p& S1 _) \导电类型：双极型- ~, q, o9 f' K9 c, F3 \% @! h/ ]- y
开启电阻（最大值）: 0.09 Ohms
. J8 M/ |9 S! Z1 L7 o3 b最大功率耗散: 3 W
- K5 t) F3 l/ }* P+ ?4 s1 \电源电流: 1 mA: |& r, K. H7 t$ w
9 i- {9 ?0 ~. Y5 @- I% X
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发表于 2022-4-22 16:54
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