关于SiC MOS驱动电压在高VDC_LINK时波形震荡严重

Lindberge4

/ P" }4 X2 x  r发现CREE SiC 模组Vgs驱动电压在VDC_LINK低压和高压差别非常大,我们设置的驱动电压幅值为20V/-5V,VDC_LINK=24V~100V还算正常，到540V时，震荡太厉害从而导致交叉点上移到5V,上管正压增大至28.7V,而其负压则增大至-12.8V，都已经超过管子耐受电压25V/-10V，这种情况为什么电源还能正常工作而没有炸机(一方面看交叉点高于5V会引起直通，另外一方面Vgs超过耐受值)？不知道各位的驱动波形是不是也是这个情况？下面分别贴了VDC_LINK=24V和540V的上下管驱动波形
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拓扑图

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/ H  T8 F7 J, r: S' ]# KVDC_LINK=24V（CH1：上管1，CH2：下管2，CH3:TB1-TB2相电压）



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VDC_LINK=540V（CH1：上管1，CH2：下管2，CH3:TB1-TB2相电压）
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adogpp

Ip 回路太大，布局不当引起的。

domenica

碳化硅MOS管的驱动电压-3V/+20V,部分产品驱动电压-3V/+15V,可替换常规MOS管