我们常说的MOS管的导通阻抗是指什么状态下的

unfaithful2021

通常我们都会说，NMOS的导通阻抗小，只有几十mohm，PMOS的导通阻抗大，有100mohm多；
) ~! ~; g3 O3 P; }那么想问一下，MOS管的三个工作状态：截止区、饱和区、可变电阻区；
这个我们此时说的导通阻抗，是指的MOS管的什么区？
0 z8 _* E- t0 E( G2 B* g7 O# y, B

whatever_

顾名思义，当然是导通状下的。

I_believe

% c+ Q- S  v6 o1 c& Ards(on) 是在vgs=10V下测的。
这要看mos管的测试电路。
* G* u: Z! w, w, W/ g不过参考图示仪的电路，应该是个共源电路。
3 Q. [, [6 {  y+ B0 }饱不饱和，取决于漏极上面的电阻。
3 Z1 m5 T" Z. i是不是可变电阻区，取决于vds的电压。
4 A, \) e8 \+ O9 G1 C* K6 v

duhe3hfu

开关电路，MOS管工作在截至区和饱和区（忽略过渡过程）
模拟电路，MOS管工作在可变电阻区

we_happiness

看数据手册中关于 Rds(on) 的数值就知道，Rds(on)的大小与Vgs有关，这不正是变阻区的性质嘛