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一、FET-G2LD-C核心板体验
0 D5 ~. F, w5 D7 D( e8 ^5 a先介绍下核心板的基础配置:+ ?; e P8 r4 n* S) x' O u
3 \- u3 s. \" V+ K. G8 I' @
CPU:RZ/G2L
4 n( ]4 q2 C: Y& b双核ARM® Cortex®-A55 @ 1.2GHz
. f8 Q/ x# k; N( G: ?% E, O单核Arm® Cortex®-M33 @ 200MHz
. k T4 P; L, A4 v, U: F+ }' j/ ^' kGPU:Arm® MaliTM-G31 @ 500MHz- g' y5 I/ Z9 ]
内存:ddr4-1600(当前版本为2GB大小)
8 E) o2 ^. z% t+ Z, h: \. a存储:eMMC(16GB)+QSPI Flash(16MB)
$ r9 t9 K8 C' {5 a. U电源:集成式电源芯片: I9 ?( m. M! ~
与底板连接方式:超薄连接器
+ ]1 c" c& L2 | p4 [$ w
' ` G" D; o! q& \6 D W JFET-G2LD-C核心板基于瑞萨高性能、超高效处理器 RZ/G2L设计开发, 其采用多核异构,搭载Cortex-A55内核,运行频率高达1.2GHz;并集成Cortex-M33 mcu内核,主频达200MHz。 FET-G2LD-C核心板配备500MHz GPU Mali-G31及多种显示接口,功能接口资源丰富,支持多路UART、Ethernet、CAN-FD等, 适用于工业、医疗、电力、交通等多种行业和各类泛工业应用场景。9 \3 | m8 r9 c
; b# r! L4 @7 y& {
4 Q) d$ g: P6 R/ Y. ~1 y+ K6 n7 m- H3 H4 T. ], z4 Z" g
: X6 B% ~# U9 f/ T5 a u
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' O3 |8 p$ [" a* h6 [0 j8 g7 L0 f! D8 L: r- J
k7 C2 y3 A! K. ?2 _FET-G2LD-C核心板正、反面实物图; P+ s1 }$ s& C# @
, Q! ^1 V6 T) _8 _9 `8 t4 [![]()
% a/ P' n* e3 Z0 ?+ W j2 D . t/ E) L2 W% ]/ b2 G( z2 [6 Z, Q
FET-G2LD-C核心板正、反面尺寸图
# O% g7 l! p+ B1 n
& w5 w: v) ]2 c0 X* [得益于集成式的电源方案,整个核心板尺寸可以控制得非常小,仅有60mm x 38mm。在板对板超薄连接器的加持下,核心板到底板最高的部分(电感)距底板表面仅有5.6mm。适用于对空间要求苛刻的应用场景。核心板采用沉金加树脂塞孔的工艺,大大提升了焊接的可靠性以及稳定性。并采用无铅工艺,符合环保要求。同时,对信号完整性以及电源完整性进行了严格把控,通过仿真,为系统稳定运行提供理论依据;核心板的4个角预留固定孔位,以应对高强度震动场景;此外还具有更为人性化的防呆设计。
9 w/ T2 h+ {, k
' q; g9 ~$ b5 ~8 n; c! z二、RZ/G2L核心板稳定性测试1 `; V7 J2 j( |; v0 u
1. 电源稳定性测试:
+ y4 u: i8 q5 c6 e) A& E为了测试电源的稳定性,飞凌将RZ/G2L核心板调到满载,通过示波器抓取各个测试点的波形:
' D8 v& R3 J/ [: O
i) a4 h j; \# M![]()
' l$ h7 v$ T+ a2 [$ J2 g/ b/ F% w5 ~核心板TP1波形
% G6 g: D+ p" S5 l
0 t% c2 I- @8 x$ d% Q # G- @3 ^% `$ b
核心板TP2波形( |6 M6 w" u8 j* X
) U# O8 ?! g5 A* S2 j$ N
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9 t8 c; i- |4 R- i0 F+ T2 a核心板TP3波形/ c6 Q; H) m2 \
" p' ^3 j7 U" x# g( v
$ I; G& M: {& |! W; F7 H
2 f Z* j- p. J' t4 G
核心板TP4波形
/ L5 ~$ y. z1 w( l5 K. X) f8 S6 j0 M
8 S* K" k2 _ f$ h; w- U9 p
核心板TP5波形
* c( j! h# }8 _5 M9 _& P7 y8 `; A, ?' q \- v
. M2 K9 \! y. d$ s5 G
核心板TP6波形9 J8 |* o1 I- H( l
- K0 i! C' b' F* p! z![]()
: ]& E; _3 j F) l$ d; E3 ?2 h核心板TP7波形
% T( V' Q5 Z6 c* [- q: ]4 |
& T4 m4 _7 h6 }! z' X" Y* @![]()
1 G# N5 @9 H, O* Y核心板TP9波形4 D+ Q! J6 f7 O- E0 ]/ l* e
8 `9 B. I$ {" M" c/ O" Z![]()
3 D+ m! r2 J3 N' I8 b核心板TP10波形
% w; {, ~, X+ J" F* K3 ^" S$ n$ V1 \ x8 V% d, v
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; Q9 [! ~. c v/ }: h% U- v% ~核心板TP11波形2 e/ s- E5 Z7 G0 i
' c1 Z- W) b1 O c2 s8 O" D. \% I7 n3 L6 t" X$ `- q. N x: {; a
三、内存压力测试:
/ e! o3 J- m. ^2 g/ F FET-G2LD-C核心板内存压力测试的结果如下图所示。
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9 N4 W/ F7 ]& S8 r1 u![]()
+ t8 @( _+ k$ T3 y4 M9 X4 {7 N3 s6 X; E$ Y3 E; W) I
内存压力测试的结果8 y' D9 B3 p& T3 Z& u
可以看出在满载压力测试中FET-G2LD-C核心板表现优秀。7 ~$ ?; i5 q* E( h9 p
/ l) K" o! G. Z: H3 ?5 c3 P8 d四、RZ/G2L 开发板初体验
* G, V" o& Z& \; N飞凌嵌入式RZ / G2L 核心板配套开发板的底板布局紧凑,尺寸仅150mm x 130mm。但是接口非常丰富,有双千兆网口、双USB2.0、USB OTG、TF、双路CAN-FD、rs485、MIPI-CSI、MIPI-DSI、音频耳机输出、音频喇叭输出、音频MIC输入、ADC等接口,板载WIFI&BT模块,预留MIPI PCIe的4G模块插槽。
: L. s. `. s+ ^3 Y. e1 h' X( R+ F# N) J2 b1 h8 e) t" i
外围接口有相应的防护电路,各个接口排布靠近板边,方便用户自己制作外壳或放置到机箱使用。
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) D/ A5 m* y; B) P; G底板尺寸图1 j* n1 R9 r2 `: R
& `- J3 v5 A. i+ k1、开发板功耗测试
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很多小伙伴对FET-G2LD-C核心板和OK-G2LD-C开发板的功耗比较关心,因此小编针对RZ/G2L系列整套开发板和单独核心板分别进行了初步的功耗测试,测试结果如下图所示:
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7 ]' z( H1 S, J% V1 U核心板在满载状态下,功耗仅为1.8w。得益于如此低的功耗,FET-G2LD-C核心板可以采用无风扇、无散热片的设计(注:核心板处于空气流动良好的环境中,如果是密闭的环境则需要具体情况具体评估)。 n6 }% L0 z1 I, h0 G' `
0 F/ _ L# T% n2、开发板启动测试
# p$ M( s( e, e/ J. l
; v/ _7 i8 X* d2 x! ^* AOK-G2LD-C开发板支持TF卡烧写,支持SCIF和Flash启动(暂不支持eMMC启动),底板拨码旁边的丝印就是不同状态时的拨码位置,可直接按照丝印进行拨码。如下图所示拨码开关为Flash启动:; O* ?+ i7 t/ b8 _* O- _) N
" b1 @$ p9 ?$ n& e4 ?3 G4 v4 i 9 G4 T8 ~4 R5 c5 y; n+ B9 R) S9 P
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$ ?1 g8 a: I8 Y. r0 \0 \. V6 h& j4 X4 M1 T0 s
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FET-G2LD-C核心板及配套开发板
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