晶体GND 与 芯片GND 需不需要隔离 的问题，向大家请教

sandyxc

大家好！
很多芯片都需外接一个石英晶体，我看到大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的
但最近使用的Marvell的一个芯片，在Layout Guide里要求将保持石英晶体的GND与芯片的GND相同，不太理解
& n3 @+ u" c# v; ~# O" F如下图：
5 _1 E, C* H! w4 `
# B; y- Y1 S6 J$ r" ~) z! D, i3 d
6 S$ ^' U& x7 ^, _4 Z请大家帮忙分析一下，晶体的GND和芯片的GND到低应该是哪种处理方式
多谢大家了{:soso_e100:}

sandyxc

求高手哦

xegl

不是高手，发表如下看法：
大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的----------貌似没听说过要这样处理。
我的理解是，晶体的地和芯片GND尽量短，有高频低阻抗路径，利于EMC。 另外是晶体地的接法似乎和晶体负载的寄生电容有关。

sandyxc

xegl 发表于 2011-11-2 20:51
不是高手，发表如下看法：
大部分的设计都是石英晶体正下方的GND与芯片的GND是隔离开的----------貌似没听 ...

+ Y: n! c- X+ d% e; n5 J有高频低阻抗路径，请问这个是什么意思？烦请解释一下和EMC的关系
多谢了

lap

sandyxc 发表于 2011-11-3 11:04
$ D$ N6 y% }$ l7 l5 B7 r* z3 u1 r有高频低阻抗路径，请问这个是什么意思？烦请解释一下和EMC的关系
多谢了

+ a2 t6 L/ D9 o- c' i7 k$ u+ F  D, y在高频信号走线的时候，信号回流是选择低阻抗路径回流的。高频信号线正下方（参考平面）的阻抗为低阻抗，故回流路径是沿着信号线方向的反方向。