单片机I/O口的开漏输出及推挽输出区别是什么

Maskman

推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;

2 e' O7 t5 M$ L! U( q" [9 X6 `  o) i

开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行. 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内).
+ m6 b9 z% b# I& r   

* j- G2 i% M3 P( ~

    推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.
     要实现 线与 需要用OC(open collector)门电路.是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存在于电路中,各负责正负半周的波形放大任务,电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。

! a. ]+ A+ r3 i

/////////////////////////////////////////////////////////////////////

9 C! Y! C3 t4 r  ?3 r$ Y

开漏电路特点及应用
* z0 g4 ~& _0 S2 ^
) G' @& P6 u; Y, }7 M3 a& E     在电路设计时我们常常遇到开漏（open drain）和开集（open collector）的概念。

6 Q/ l- O3 V) Y/ M

　所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。

   
组成开漏形式的电路有以下几个特点：

1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。
5 L# R' [. ^) I0 d' P0 N 2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成 “与逻辑” 关系。如图1，当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。

. z& M2 b, k8 A* d  q# D. f

3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
1 V  L+ _6 V4 O  C6 @- n 4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0口而言，要想做输入输出功能必须加外部上拉电阻，否则无法输出高电平逻辑)。
5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。

应用中需注意：
1.   开漏和开集的原理类似，在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如，某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它，即方便又节省成本。如图3。

0 c8 }1 T2 k' M1 d' t! s2 S

2. 上拉电阻R pull-up的 阻值 决定了 逻辑电平转换的沿的速度 。阻值越大，速度越低功耗越小。反之亦然。

   Push-Pull输出就是一般所说的推挽输出，在CMOS电路里面应该较CMOS输出更合适，应为在CMOS里面的push－pull输出能力不可能做得双极那么大。输出能力看IC内部输出极N管P管的面积。和开漏输出相比，push－pull的高低电平由IC的电源低定，不能简单的做逻辑操作等。push－pull是现在CMOS电路里面用得最多的输出级设计方式。

51单片机的I/O口是开漏输出，驱动能力较弱，所以一般都要加上拉电阻去驱动下一级电路，

而AVR，stm8s系列的都是真正的双向I/O口，推挽输出，电流可达20mA左右

tick_tock

认真学习技术知识，\(^o^)/~

dragongfly

学习的道路上遇到的困难还有前辈大佬帮忙解决，真心感动

STGing

支持楼主，用心良苦\(^o^)/~