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AUIRF8739L2TR：N 通道 40 V 57A 晶体管0 y, i8 }$ g3 Y2 r+ z
5 N5 w8 R) _% M
特征：! Z- D3 F4 |+ Y/ F* j$ B' k
先进的工艺技术7 ^1 w/ ^0 Q; j- ` l& {
针对汽车电机驱动、DC-DC和其他重负荷应用进行了优化' \- f% n* [; h4 v+ M
超小的尺寸和低矮的外形
0 Y. o( T4 |- F2 l9 M2 i5 F$ A& b高功率密度; G/ Q3 `% y _
低寄生参数3 [/ Z$ [& E/ d, H0 E/ M
双面冷却, i+ `. x( V2 k9 a9 O0 K
175°C工作温度* g' h! F4 Y5 S7 [$ b5 h# k
允许重复雪崩，最高可达 Tjmax
. m! e( t2 N2 P0 k# _" l: U3 B" v无铅，符合RoHS标准，无卤素汽车认证
5 p" t5 f" p" ^+ I# q7 R
) A, R" M1 x4 Q6 h: m# i5 k概述：
1 K1 H* t, ^1 pAUIRF8739L2结合了最新的汽车HEXFET®功率MOSFET硅技术和先进的DirectFET®封装技术，以实现卓越的性能，其封装尺寸为SO-8或5X6mm PQFN，轮廓仅为0.7mm。DirectFET®封装与电源应用、PCB组装设备和气相、红外线或对流焊接技术中使用的现有布局几何图形兼容，但必须遵循有关制造方法和工艺的应用说明AN-1035。DirectFET®封装允许双面冷却，以最大限度地提高汽车电源系统的热传递。
' i6 x( W; S( O( \" z/ q& o2 U* s8 k9 w6 w) Q T4 U
属性：
+ W! m1 m9 n6 `% i1 r. g' S# X# c6 DFET 类型：N 通道- c$ A' G- N7 e$ ]# X, v$ Z
技术：MOSFET（金属氧化物）+ C2 M: [# s* j: ~
漏源电压（Vdss）：40 V
* Q$ X3 v. A/ n25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：57A（Ta），545A（Tc）
2 F/ X2 l; [1 |0 h驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
! o r: `- l1 V# R不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：0.6 毫欧 @ 195A，10V- k% E+ T% P E/ Z/ u4 \: F ~
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250µA5 z- M- }$ s9 m, x c2 u
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：562 nC @ 10 V$ Q4 B* x* I% H( {. F
Vgs（最大值）：40V5 d, O. a( K( O$ k
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：17890 pF @ 25 V
8 H# _, U7 d- Y/ D3 F% j" G& K功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），340W（Tc）1 b1 ]- e6 S! y9 u1 S) ^
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
; ]1 t0 g0 j2 J4 h' R. F" D! X安装类型：表面贴装型
+ J9 s! b9 T% v$ ] y( g( W
- U% m2 ]( N3 U( ] AUIRF8739L2TR：N 通道 40 V 57A 晶体管！
& F8 s: o k% U( P' L0 W$ ~* s |
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发表于 2022-8-1 10:06
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