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(介绍)MT25Q 串行NOR闪存可满足消费电子、工业、有线通信以及计算应用的需求。这些器件采用行业标准封装、引脚分配、命令集和芯片组兼容性,易于为各类设计所采用。这样可节省宝贵的开发时间,同时确保与现有和未来设计的兼容性。: ?& W! X: Y) W, m0 B( Y
MT25Q 串行NOR闪存具有低引脚数,简单易用,是适用于编码阴影应用的简单解决方案;只需在存储器中提供一个起始地址用于读取,然后即可在整个存储器阵列中连续地从器件输出数据。高级安全和内存保护等特性可让您高枕无忧,确保重要程序代码和敏感用户数据的安全。MT25Q 串行NOR闪存解决方案可满足您的任何应用需求。该款双四路串行NOR闪存在单一封装中集成有两个四路I/O器件,以打造8位双向I/O结构。Micron双四路串行NOR的工作频率为166MHz,将上一代串行NOR的最高带宽速率提高了一倍(从83MB/s到166MB/s)。
' o H: ^- V% H' g特性
" t! E8 M) z$ E0 Y8 \9 a较低密度、低引脚数(串行)6 @# F3 v& x' U3 e6 J* |; c
简单易用* E! O4 E, ]4 D- O/ T- s3 \7 A9 M
可靠的代码和数据存储% a* q) w- f5 t- ]: e( ?
快速读取和随机访问时间, V9 T9 S( T0 x7 `& M; F5 M1 X
较高的耐用性和数据保持力
. W$ R: K: N" C, C规格参数
F! m0 h/ M# t1、MT25QU02GCBB8E12-0SIT,IC FLSH 2GBIT SPI 133MHZ 24TPBGA7 V. p- a' n" f0 |- l T5 `
存储器类型:非易失
; \3 q$ _& T2 n/ W+ e: K) G存储器格式:闪存
0 X0 r+ {/ k; A1 _技术:FLASH - NOR
, L: y/ p; ^0 ^$ X5 W* J存储容量:2Gb(256M x 8)
" d9 h* S% Q7 L7 g' H; ?+ U存储器接口:SPI
- V6 s( `; \& B8 v# s+ } _" L& ]时钟频率:133 MHz) W% M4 y% C% e5 ?( s3 w
写周期时间 - 字,页:8ms,2.8ms& p% J' n |& ~! d; _3 b
电压 - 供电:1.7V ~ 2V
7 Q+ B5 ]8 f) U: z: e, y; j8 R% W工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
! w% G+ m6 E0 ^: X安装类型:表面贴装型! \4 N9 I$ g4 {
封装/外壳:24-TBGA- j0 ]* k( i5 O! t5 \: N9 l
供应商器件封装:24-T-PBGA(6x8)
) }" a1 l" p1 t6 a# [基本产品编号:MT25QU02
% g% `7 w8 I' ^7 {2 c5 O2、MT25QU01GBBB8ESF-0AAT,FLASH - NOR 存储器 IC 1Gb SPI 133MHZ 16SOP2) K( V8 C3 I# L- P
存储器类型:非易失
2 ?! u) L5 p- f) }存储器格式:闪存
2 {' q$ q& v3 @0 S. f! a技术:FLASH - NOR2 }9 V2 B) g8 y
存储容量:1Gb(128M x 8)
0 f& x" U/ _+ e- p. `% P8 R存储器接口:SPI* [5 S/ Q& W$ U G& q0 T. t. ]
时钟频率:133 MHz* E9 V( m' Q/ s
写周期时间 - 字,页:8ms,2.8ms
( `* R$ I# |: P: f. S电压 - 供电:1.7V ~ 2V1 @" G$ \# J0 R l! b# z2 ?2 u
工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
# ?8 k: o( W, B安装类型:表面贴装型# t, }) T3 O6 d. ?
封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
# [/ b T' x' F供应商器件封装:16-SOP2
( T2 l) Z2 x) z8 a; C3 W% o基本产品编号:MT25QU01: m" e& `" W$ \% o @+ h/ q( q1 O
m9 y s) \ f& Q
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